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新思科技數字與定制設計平臺通過TSMC 5 nm EUV工藝技術認證

2018-04-16 16:46
單片機與嵌入式系統應用 2018年12期
關鍵詞:工藝技術布線低功耗

新思科技(Synopsys, Inc.)宣布,新思科技數字和定制設計平臺通過了TSMC最先進的5 nm EUV工藝技術認證。該認證是多年廣泛合作的結果,旨在提供更優化的設計解決方案,加快下一代設計的發展進程。

Design Compiler Graphical綜合工具經過了嚴格的5 nm啟用驗證,并證明了與IC Compiler II布局布線工具在時序、面積、功耗和布線擁塞方面的相關一致性。Design Compiler Graphical 5 nm創新技術可以實現最佳性能、最低功耗和最優面積,這些新技術包括過孔支柱優化、多位庫和引腳接入優化。

IC Compiler II的增強功能是滿足設計密度要求的關鍵。在優化過程中可內在地處理復雜的、多變量以及二維的單元布局,同時最大限度提高下游可布線性以及整體的設計收斂。

新思科技PrimeTime時序分析和signoff解決方案中的POCV分析已得到增強,能夠準確地捕獲由于工藝縮放和通常用于實現能源效率而采用的低電壓操作導致的非線性變化。此外,PrimeTime物理感知ECO已擴展到能夠支持更復雜的版圖規則,以改善擁塞、布局和引腳接入感知。

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