關注存儲拐點機遇

李興然

在底部運行一段時間后，目前有市場消息稱，三星近期與客戶（包括小米、OPPO及谷歌）簽署了內存芯片供應協議，DRAM和NAND閃存芯片價格較現有合同價格上調幅度達到10%-20%。另外據悉，鎧俠、SK 海力士等上游NANDFlash原廠已開始拉高晶圓合約價。

價格接近全面回升

根據中信證券存儲行業深度追蹤研報的價格統計，8月DRAM個別產品已經還是上漲，而NAND價格則持續回升。

DRAM方面：8月個別產品價格出現上漲，環比-6.12%至+6.45%，本輪高點21年6月至23年8月累計跌幅為69%至83%。高端DRAM（服務器DDR5）合約價格穩定，主流DRAM（DDR4）價格跌幅收窄，個別產品價格出現上漲，8月漲跌幅-6.12%至+6.45%（7月漲跌幅-7.92%至-1.02%），利基DRAM（DDR3）價格跌幅在2.06%至4.55%（7月跌幅3.96%至8.33%），目前價格處于周期底部。TrendForce 預計，受DRAM廠商陸續減產影響，供給逐季減少，加上季節性需求支撐減輕供應商庫存壓力，23Q3跌幅將進一步收縮至0%至5%，同時LPDDR5產品價格有望上漲0至5%。

NAND Flash 方面：8月價格持續回升，環比0.00% 至+7.09%（512GB大容量連續兩月環比上漲，128/256GB價格保持穩定），本輪高點21年8月至23年6月累計跌幅為47%至69%。23H2旺季備貨周期將至，盡管今年需求低迷，如Cli?ent SSD與Enterprise SSD在下游出貨量下滑預期下采購量下降，導致終端出貨預測持續下修，但在原廠持續減產及下游需求復蘇預期下，市場仍認為23H2終端出貨量會優于23H1，采購量有機會逐季增加。根據CFM閃存市場，7月初至9月14日，512Gb Wafer價格從1.41美元上漲至1.68美元，漲幅達20%；展望23H2，TrendForce預計23Q3 NAND Flash Wafer整體均價環比漲幅0%至5%，Q4漲幅將進一步擴大至8%至13%。

存儲模組方面：今年2月開始價格下跌幅度收窄，8月SSD價格出現上漲，DDR4價格基本持平（9月1-2周小幅上漲），本輪高點22年3月至23年8月累計跌幅為44.76%至60.63%。據CFM閃存市場，截至9月12日，近半年DDR4 SO?DIMM（8GB 3200）由約16.5美元下降至不足14美元，降幅約15%，OEMSSD（512GBSATA）由約25美元下降至19美元，降幅約24%。我們認為模組廠商產品單價有望于23Q4開始回暖，隨下游需求復蘇而獲得銷量彈性，同時上游晶圓成本處于底部，有利于模組環節盈利水平修復。

價格傳導分析：NAND Wafer漲價行情已由合約價傳導至現貨價，8月末已自上而下由晶圓端傳導至模組端。5月起，美、韓系廠商大幅減產后，部分供應商已經開始調高wafer報價；由于多數供應商已開始減產，庫存壓力在Q3下降，三星等原廠報價態度強勢，Q3合約價已出現較大幅度反彈，并刺激買方采購意愿，加速供需平衡。8月末起，晶圓端漲價已開始傳導至模組端，根據CFM閃存市場，SSD、EMMC、UFS等模組產品中多數已出現不同幅度的上漲（單周價格漲幅約0至5%）。TrendForce預計23Q3 NAND Flash整體均價跌幅將收縮至5至10%，Q4有望止跌回升，預估漲幅為0至5%。

展望后續，中信預計23Q3 NAND 各環節漲價將延續至23Q4；隨DRAM 持續減產以及下游服務器市場復蘇，預計23Q4 DRAM價格有望開始回升。

供需改善

供給端，為應對下游需求持續疲軟、行業供過于求，部分廠商調降投片量，同時下調2023年資本開支及產能提升預期。

據了解，三星近日為應對需求持續減弱，宣布9月起擴大減產幅度至50%，減產仍集中在128層以下制程為主，三星平澤與西安工廠都將擴大減產幅度。另據Omdia預計，2024年下半年三星DRAM月產量將保持在60萬片，較目前水平進一步減少。

據TrendForce集邦咨詢調查，其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產幅度，目的是加速庫存去化速度。

據各公司業績交流會，美光預計2023資本支出降至70億美元，同比-40%以上，并將對DRAM和NAND進一步減產30%至2024年；SK海力士預計2023資本開支將同比削減超50%，并決定對NAND 進一步減產5-10%；西部數據預計2024資本支出將大幅下降；鎧俠此前也將產能從去年四季度開始30%減產擴大至2023年的50%，該廠已將日本巖手縣北上市建設的生產廠房的投產時間，從原定的2023年內延期至2024年以后，廠房設備交付也被推遲。

中信證券稱，預計23H2大廠庫存消耗速度將加快，促使半導體整體產業狀況改善。量產、擴產方面，SK 海力士24GBLPDDR5XDRAM已量產并供貨OPPO；此外，SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品，計劃2025H1量產。

從歷史周期看，資本開支增速與市場規模增速強相關性，隨著各大存儲廠商陸續下調2023年資本開支計劃并降低稼動率，中信證券預計23年行業供給增速將低于需求增速，供需將逐步達到平衡，有助于庫存修復，看好存儲板塊周期2023年下半年見底。

圖：NAND 減產表述

來源：方正證券研究所

需求端，下游廠商“降成本、去庫存”趨勢持續，需求逐步復蘇。

國內存儲下游廠商江波龍近期也在機構調研中稱，在經歷艱難的磨底階段后，終端庫存水位逐漸恢復正常，價格回升趨勢將在行業供需博弈關系中逐步建立。該公司表示，從整體趨勢來看，三季度整體需求會進一步好轉。從下游需求來看，目前部分客戶采購有所恢復。

從下游應用來看，手機和服務器是DRAM和NAND市場中占比最大的應用領域。

手機端，根據Canalys數據，2023Q2全球智能手機出貨量達2.58億部，同比下降10%。但同比跌幅環比略有收窄，市場衰退有所放緩。隨著經濟逐漸復蘇，手機需求將會逐步好轉。此外因為Mate 60 系列手機的發布，在一定程度上能夠沖抵手機的疲軟需求。

服務器端，根據TrendForce調查數據，現階段普通服務器DRAM（不含HBM）平均容量約為500至600GB。但AI服務器所需DRAM容量遠高于普通服務器，且目前AI服務器成長需求較為強勁。根據TrendForce數據預測，AI服務器年增率近38%，AI服務器的大幅增長有望帶來價值增量。

投資建議

從存儲芯片的產品布局來看，海外巨頭多聚焦于DRAM、NAND主要領域等高端市場，業務重心在大容量存儲產品。而中國存儲廠商則主要布局于利基型存儲，包括利基DRAM、SLC NAND、NOR Flash等中小容量產品，代表廠商有：華邦電子、旺宏電子、兆易創新、北京君正、東芯股份等。

中信證券表示，國內廠商已發布2023年中報業績，整體來看，Q2大部分存儲廠商毛利率已至近年低位，庫存見頂，營收/出貨量出現環比增長，部分廠商Q2利潤端環比改善。預計23H2隨庫存去化，需求逐步回歸，行業細分龍頭有望迎來業績修復機會，看好國內存儲產業鏈周期復蘇疊加國產化趨勢下的投資機遇。

中信建議關注：1）存儲模組：深科技、江波龍、佰維存儲、德明利、協創數據、朗科科技等；2）存儲芯片設計：東芯股份、兆易創新、北京君正、普冉股份、恒爍股份等；3）存儲配套芯片：瀾起科技、聚辰股份等。