面向光電子器件的鈮酸鋰鍵合技術研究進展

孔 輝,沈 浩,張忠偉,錢 煜,濮思麒,徐秋峰,*,王勤峰,*

(1.天通凱巨科技有限公司,江蘇 徐州 221000;2 天通控股股份有限公司,浙江 嘉興 314000)

0 引言

鈮酸鋰(LiNbO3,LN)晶體是一種優良的多功能晶體材料,具有優異的光學和電學性能[1]。鈮酸鋰具有較高的光學非線性系數、較寬的透明范圍、良好的光學均質性和穩定性[2-3],被廣泛應用于光學、聲學、電學和電子領域[4],是制備聲表面波(SAW)濾波器、光波導及調制器的重要功能材料[5-7]。

目前對鈮酸鋰在集成光電子器件的應用研究較多,已在鈮酸鋰塊體材料上實現了光子學器件的商業化生產[8-9]。但在塊體材料上制備的光子學器件尺寸較大, 提高器件集成度較難[10]。隨著光電子領域向多功能、多類型化方向發展,需要將具有不同特征尺寸和材料的多個不同組件或裸片制造、組裝和封裝到器件上,以提高新一代器件的性能[11]。通過晶圓鍵合技術能實現不同材料的異質集成,可顯著提高器件的功能[12]。鈮酸鋰作為優異的光電材料,成為熱門的研究對象,如將鈮酸鋰與硅片或藍寶石鍵合,可提高器件的傳輸頻率,降低損耗。在具有高折射率對比度的平臺上,異質集成塊狀鈮酸鋰可實現更短的彎曲半徑和更高的集成密度[13]。晶圓鍵合技術是將兩片表面清潔、原子級平整的同質或異質半導體材料經表面清洗和活化處理,在一定條件下結合,通過范德華力、分子力,甚至原子力使晶片鍵合成為一體的技術[14-15]。目前晶圓鍵合技術在光電子器件領域應用廣泛,國內外許多公司已運用晶圓鍵合技術展開了大規模的工業化生產,如法國的 Soitec 公司、日本三菱公司、美國的IBM、TI等[16-17]。

鍵合技術分為間接鍵合技術和直接鍵合技術[18],不同鍵合技術根據其不同工藝條件和工藝原理應用于特定的領域。本文介紹了有關鈮酸鋰鍵合技術研究進展及鈮酸鋰鍵合技術在光電子器件的應用,并對鈮酸鋰鍵合技術未來的發展進行了展望。

1 鈮酸鋰鍵合技術研究進展

1.1 間接鍵合技術

間接鍵合技術是將兩個或多個晶圓通過中介層進行可靠連接的技術,在兩個晶圓之間引入中介層實現鍵合,中介層通常是一層薄膜,可以是金屬、聚合物、氧化物等材料。鍵合過程中,中介層的表面被激活,使其與晶圓表面形成強的鍵合[19]。

間接鍵合技術能夠實現不同材料之間的鍵合,克服了直接鍵合中材料選擇的限制,可以在不同材料之間實現高質量的鍵合連接[20]。間接鍵合通過中介層可以實現不同尺寸、形狀的元件間鍵合,使得間接鍵合技術適用于各種器件和應用領域?；诒讲h丁烯(BCB)的粘合劑鍵合是目前鈮酸鋰間接鍵合常用的方法。但由于間接鍵合技術需要額外的中介層材料和加工步驟,加工流程復雜,制造成本較高。王鑫微[21]研究了基于BCB的硅和鈮酸鋰鍵合最佳工藝,鍵合實驗步驟示意圖如圖1所示。測得鍵合溫度250 ℃,保溫2 h,施加壓力0.05 MPa時,鍵合效果較好,鍵合率達到97.73%,剪切強度達到2.09 MPa,鍵合界面良好,這為加工與制造異質集成的光電子器件提供了良好效果的工藝基礎技術。李云飛[22]通過退火溫度試驗,基于BCB完成了Si和LN的鍵合,通過降低退火固化最高溫度到200 ℃以及延長保溫時間至100 min,解決了鍵合中熱失配導致的LN碎裂問題,測試了旋涂速度、稀釋劑含量對鍵合層厚度及鍵合強度的影響,測得在旋涂轉速為5 000 r/min,Mesitylene(均三甲苯)與BCB的質量比為5∶1時,BCB層厚度僅約為150 nm,但鍵合強度隨著BCB層厚度的降低而減小,經測試,鍵合強度為3 MPa。利用該技術研制了LN薄膜微環諧振器,其制備流程如圖2所示[22]。該諧振器的消光比為6.981 dB,傳輸損耗為0.415 dB/cm。李杰[23]通過BCB膠實現了鈮酸鋰晶片在硅襯底上異質鍵合,測得當甩膠轉速為 3 000 r/min,預烘溫度為90 ℃,預烘時間為80 s時,預鍵合質量最佳。預烘溫度過高或預烘時間過長會導致預鍵合無法完成,預烘溫度過低或預烘時間過短會導致預鍵合層BCB膠溢出,鍵合壓力大于1 MPa時會導致鈮酸鋰晶片碎裂,低于0.4 MPa時會出現鍵合層不完整,固化溫度超過300 ℃或升溫速率高于2.5 ℃/min會出現裂紋。

圖1 基于BCB的硅-鈮酸鋰異質鍵合實驗步驟示意圖

圖2 微環諧振器的制備流程

間接鍵合的中介層厚度對于間接鍵合的質量和性能有一定影響,如果中介層過厚,可能會引起應力集中、散熱問題或電性能損失等問題,而過薄的中介層可能會導致鍵合強度較低。He Mingbo等[24]通過BCB鍵合技術制備了大于100 Gbit/s的馬赫-曾德爾調制器,該調制器結構示意圖如圖3所示?；旌喜▽У臋M截面示意圖如圖4所示[24]。BCB中間層厚度僅300 nm,調制帶寬大于70 GHz,插入損耗為2.5 dB,調制速率高達112 Gbit/s,功耗低至170 fJ/bit,為未來高速、節能和經濟的光通信網絡開辟了新的途徑。Xu Mengyue等[25]通過BCB鍵合技術實現了LN波導和Si波導的結合,BCB層厚度為 300 nm,而Si波導和LN波導之間的BCB層厚度為80 nm,使光可以從 Si 波導中耦合到LN脊波導,測試結果表明,耦合效率大于90%。Roelkens等[26]通過稀釋BCB來降低BCB薄膜的厚度,得到的BCB鍵合層厚度為 200 nm。

圖3 整個電路的結構示意圖

圖4 混合波導的橫截面示意圖

研究發現,使用BCB膠鍵合制備的異質集成器件的可靠性難以保證。Zhen Song等[27]研究發現,使用BCB膠鍵合會伴隨空洞的形成,主要有中心空洞、花空洞、微空洞和絮狀空洞,使用未固化和部分固化的BCB粘合劑可減少空洞面積。為進一步減少鍵合空洞現象,專家使用新的鍵合中間層或采用離子注入的方法。Takigawa等[28-30]采用銀和金作為中間層實現了LiNbO3和Si之間的鍵合,但因金屬對光固有的強吸收作用,使得以金屬作為中間層的鍵合方法無法用于波導器件的制備。Yao Shuai等[31]在鈮酸鋰中注入離子,然后使用BCB對鈮酸鋰和硅進行鍵合,在硅襯底上制備出鈮酸鋰薄膜,但經光學顯微鏡測試發現,鈮酸鋰薄膜存在平行的微小裂紋。Asmatulu等[32]采用等離子體對鍵合界面進行處理,以提高BCB厚度為300 nm的Si和InP的鍵合強度。測試表明,經等離子體表面活化處理后樣品清潔度高,同時增加了鍵合樣品表面潤濕性和粘性。歐欣[33]發明了一種適用于鈮酸鋰的臨時鍵合和解鍵合方法,使用熱釋電材料SiO2或氮化硅為介質層,介質層厚度為0.1～10 μm,表面粗造度小于1 nm,無需增加均勻性和平整度較差的臨時鍵合過渡層或涂敷絕緣膠層,能夠耐受300 ℃以上的高溫,保證了后續器件加工的一致性。

1.2 直接鍵合技術

直接鍵合是將兩種材料進行處理后,無需任何粘結劑和外加電場將材料鍵合在一起。晶圓直接鍵合技術不需要中介層,減少了復雜的制備步驟和材料選擇的限制,可以減少電阻、電導等因素的影響,提高了器件的性能,能夠實現多個晶圓的堆疊,從而實現更高的集成度和性能[34]。目前鈮酸鋰鍵合使用較多的直接鍵合法包括等離子活化鍵合、濕法活化鍵合和紫外光活化鍵合等。

Tadatomo Suga提出的等離子活化鍵合,一般是利用高速原子或活性等離子沖擊晶圓,去除晶圓表面有機物,提高晶圓表面活性,對晶圓表面的影響較小,保證了較高的界面強度。Takagi等[35]完成了鈮酸鋰、鉭酸鋰、藍寶石和釓鎵石榴石與硅的等離子活化鍵合,經測試均有較好的鍵合強度,同時已能實現室溫下氧化物晶片之間的鍵合,但鍵合強度取決于氧化物材料。

等離子活化鍵合在加工時通常需進行退火加工,退火過程中界面的部分水分子滲進晶圓,晶圓與水反應形成H2,氫氣聚集在鍵合界面形成孔洞。由于鈮酸鋰晶片莫氏硬度較低,同時本身具有熱釋電效應,在鍵合中如果溫度過高則會發生翹曲。當鈮酸鋰與不同材料進行鍵合時,由于熱膨脹系數、楊氏模量不同,若退火工藝不完善,在退火過程中易產生熱應力[36]。通常情況下,預鍵合好的晶片在進行退火工藝時,熱應力的大小與退火溫度的變化成正比,退火溫度越高,熱應力越大。但過大的熱應力會導致晶片產生翹曲、解鍵合、滑移及碎裂,甚至產生熱損傷和界面空洞等問題,嚴重影響光電子器件的性能,近年來業內學者對優化退火工藝及常溫鍵合展開了大量研究。劉洪剛[37]發明了一種低溫晶圓鍵合方法,清洗后兩個晶圓表面沉積一層氧化鋁、氧化鉿或氧化鑭。采用O2、N2、SF6等離子體對兩個晶圓中的一個進行表面活化處理。在真空環境下,將表面活化處理后的兩個晶圓彼此接觸并施加外力,使其鍵合,然后對鍵合后的晶圓進行低溫(100～400 ℃)退火處理,最終有效鍵合面積達到98%。Takigawa等[38]對等離子活化鍵合進行優化,實現了 LN/SiO2/Si 異質結構的制造,其原理示意圖如圖5所示[38]。改進的表面活化工藝可以同時在LN和SiO2晶片表面上沉積超薄鐵層,使用 Ar 離子束在室溫下對鍵合表面進行轟擊,室溫下,使LN和SiO2的表面與所施加的載荷相接觸,離子束轟擊時間為4 min,外加載荷約為22 MPa,鍵合強度為1.8 J/m2。

圖5 等離子活化鍵合原理示意圖

濕法活化鍵合工藝需要將晶圓放入不同化學溶液中清洗,使晶圓表面呈現活性狀態,晶圓表面懸浮鍵數量和表面活化能均大幅增加,晶圓接觸界面發生化學反應生成共價鍵。濕法活化鍵合一般分為親水法處理和疏水法處理,親水鍵合一般是親水性的晶片吸收水分子,且彼此間形成鍵橋,晶片通過鍵橋連接。疏水鍵合一般依靠分子間范德華力將晶片鍵合在一起。親水法和疏水法形成化學鍵的多少決定了鍵合的質量[39]。一般情況下,僅使用濕法活化工藝獲得的鍵合晶圓鍵合強度較低,需增加高溫退火使較弱的化學鍵轉化為較強的化學鍵,或配合其他鍵合方法來提高鍵合效果,耿文平[40]發明了一種能在常溫下實現不同晶圓材料實現良好鍵合的晶圓鍵合方法,對晶片進行Ar/O2束等離子活化處理,然后分別放入硫酸溶液及氨水和雙氧水混合液中清洗,進一步提高晶圓表面活化程度,在壓力為1 000～12 000 N,真空度為9.8×103～1.1×108Pa的條件下,保持0.5～20 h,完成常溫下鈮酸鋰與其他鐵電單晶體的鍵合。

紫外光活化鍵合法采用紫外光照射晶圓表面,晶圓表面污染物受紫外光照射后會發生斷鍵,斷鍵后的不飽和活性基團間重新組合后生成氣體,氣體揮發達到清洗晶圓的效果,同時表面活性基團增多完成鍵合。許繼開等[41-42]基于CMOS工藝兼容的真空紫外光活化法和等離子體活化法對鈮酸鋰和玻璃的鍵合進行了研究,發現真空紫外光和等離子體活化能大幅提升待鍵合晶片表面的親水性,兩種鍵合方法均能完成鈮酸鋰和玻璃的直接鍵合。經測試,活化時間15 min時晶片粗糙度最小,不同活化時間下的粗糙度如圖6所示[41],隨著活化時間的增加,石英玻璃晶片表面的潤濕角會逐漸降低,之后在150 ℃下退火12 h時鍵合效果最佳,鍵合平均強度達到2.7 MPa。同時,通過紫外光活化可以提升晶圓表面羥基密度,提高晶片表面的親水性,有利于晶片間直接鍵合。王晨曦[43]發明了一種利用真空紫外光、氮等離子體兩步活化直接鍵合鈮酸鋰和硅晶片的方法,在20%～80%的濕度條件下將待鍵合的鈮酸鋰晶片和硅晶片置于真空紫外光光源下活化,然后將晶片置于N2等離子體下進一步活化,室溫下相互貼合,最后在100～180 ℃條件下保溫完成鈮酸鋰和硅的直接鍵合,避免了因二者之間巨大的熱膨脹系數差異而發生鍵合界面開裂及鍵合材料斷裂的現象。

圖6 不同活化時間下鈮酸鋰的表面粗糙度

1.3 鍵合強度測試方法

鍵合強度是檢測鍵合質量的重要指標之一,鍵合強度較低時易出現鍵合晶圓開裂的情況,導致鍵合失效。目前鍵合晶圓應用的許多領域都要求鍵合晶圓有較強的鍵合強度和穩定的鍵合界面,主流的鍵合強度檢測方法主要有裂紋傳播擴散法(插刀法)、MC測試法及顆粒法等[44]。

裂紋傳播擴散法需將刀片插入鍵合界面一定深度(見圖7),通過測量裂紋長度來計算鍵合能:

圖7 裂紋傳播擴散法示意圖

(1)

式中:tb為刀片厚度;tw為晶圓厚度;E為楊氏模量;L為裂紋長度。

裂紋傳播擴散法是利用鍵合片分開部分的彈性力和開裂頂端的鍵合力相平衡的原理進行測試,是目前測試鍵合能的主要測試方法,但測試結果會受到插刀深度及插刀速率的影響,同時,當鍵合強度很高時,刀片難以插入,故此方法不適用。

MC測試法(V型測試法)是在裂紋傳播擴散法基礎上衍化而來,MC測試法需要在鍵合前對晶圓刻蝕出一個V型結構,然后用拉力手柄對鍵合晶圓施加外部拉力。測試初期,楔狀頂端的裂紋隨著拉力增加穩定擴展,當裂紋達到臨界長度后裂紋擴展加速,晶圓的斷裂韌度K與最大拉力F之間的關系為

(2)

式中:W為樣品長度;a為楔狀頂端和拉力柄邊緣的距離與樣品長度的比值;t為晶圓厚度;B為樣品寬度。

MC測試法測試精度較高,誤差一般在3%內,單個鍵合片采用這種鍵合方法可以多次測試,而裂紋傳播擴散法只能測試一次,但MC測試法操作較復雜。

顆粒法是一種非破壞性鍵合強度測試方法,在鍵合界面引入SiO2顆粒,然后進行退火處理,當SiO2顆粒周圍未鍵合部分表面能與彈性能之和達到最小值,鍵合達到平衡時,鍵合能為

(3)

式中:d為晶圓厚度;R為平衡狀態下未鍵合圓形半徑;Δ為SiO2顆粒高度。

顆粒法是無破壞性接觸,誤差較小,但不能測量儲藏期間鍵合能的變化。

2 鈮酸鋰鍵合晶圓在集成光電子器件的應用

我國光電子器件經過多年的發展取得長足進步,但我國光電子器件產業大多屬于中低端器件領域,與歐美、日本等區域相比缺乏競爭力。隨著5G技術及網絡通信數據量的大幅提升,對光電子器件的性能需求將越來越高,光通信器件正向著超高速、超大容量、超長距離方向發展,并將實現網絡、終端、應用和場景間密切協同。鈮酸鋰晶體作為光電子器件的重要功能材料,經過鍵合加工后所制備的調制器、諧振器等滿足未來光電子器件低成本、高集成、小型化的要求。

諧振器可以調節光信號的頻率和波長,實現光信號的調制和濾波功能,研究人員通過調整晶圓的尺寸、結構和材料參數等,實現高品質因數(Q)和大的諧振頻率范圍。Yoo Seung Lee等[45]將Z-切LN薄膜作為頂部覆蓋層,制備了Si和LN混合集成的電光可調環形諧振器,測得混合微環可調諧諧振器的有效系數為1.7 pm/V,但該諧振器的Q值相對較低,需要采用波導設計來減少損失。Chen等[46]通過苯并環丁烯將Z-切鈮酸鋰的亞微米薄膜鍵合到硅微環諧振器上,制備了Si-LN混合集成微環諧振器,將鈮酸鋰的電光功能與硅波導的高折射率對比度相結合,實現了緊湊的低調諧電壓微環諧振器,斷面結構示意圖如圖8所示。制造器件的紅外自由光譜范圍為7.15 nm,可調諧性為12.5 pm/V。

圖8 集成微環諧振器斷面結構示意圖

由于Z-切鈮酸鋰薄膜鍵制備的諧振器存在漏光損耗現象,業內專家開展了X-切鈮酸鋰薄膜制備光電子器件的研究。蔡璐彤等[47]采用晶體離子切片和晶片鍵合法在絕緣體上鈮酸鋰(LNOI)上制備了鉻薄膜,避免Z-切割情況下存在的漏光損耗,通過優化制備工藝,在X-切 LNOI 的鈮酸鋰薄膜中成功制備了通道波導,形成了2 μm寬和0.16 μm交換深度的通道波導,在1.55 μm波長時的傳播損耗低至0.2 dB/cm。Wang Mengke等[48]使用X-切的LN,將其薄膜化后與硅片鍵合,制備出絕緣體上薄膜鈮酸鋰材料。采用階梯結構的新型邊緣耦合器,避免了高精度對準,該耦合器成本低,損耗小,在波長1.55 μm下可實現小于1.60 dB的低耦合損耗,邊緣耦合器的偏振消光比大于10 dB,提高了基于X-切LNOI調制器的調制效率和消光比。為克服現有薄膜體聲波諧振器機電耦合系數過低的缺陷,帥垚[49]設計了一種基于單晶鈮酸鋰薄片的薄膜體聲波諧振器,通過BCB完成Si和LN鍵合,該諧振器同時具有較大的諧振頻率和極大的機電耦合系數,提高了器件傳輸頻率帶寬。

針對現有技術中鍵合溫度高引起晶格缺陷和機電耦合系數低的問題,周長見[50]通過設置鍵合金屬層實現壓電薄膜與高聲速襯底的鍵合,加工工藝溫度低,降低了器件的熱應力,同時金屬鍵合保證了鍵合強度,器件更穩定。通過使用X-切鈮酸鋰作為壓電薄膜,保證叉指電極的垂直方向與壓電薄膜Z軸成44°夾角,可以獲得更高的機電耦合系數,進而提高器件的帶寬。Weigel等[51]通過直接鍵合在200 ℃下實現了LN薄膜材料與SOI芯片的集成,得到了具有超高帶寬的Mach-Zehnder電光調制器,結構圖如圖9所示,通過設計集成硅光子學光的輸入/輸出和光學元件,無需對薄膜LN進行蝕刻或圖案化,調制帶寬可達106 GHz。

圖9 調制器結構示意圖

鈮酸鋰鍵合晶圓廣泛應用于光學調制器中,光學調制器將電信號轉換為光信號,實現信號的調制和調節。鈮酸鋰鍵合晶圓可作為電光調制器的材料,通過外加電場改變晶體的折射率,從而實現對光信號的調制。調制速度、帶寬和功耗是制備調制器需考慮的主要因素,研究人員通過優化晶體結構,提高電光效應的效率及采用新的調制器架構,實現了更高的調制速度、更大的頻率和波長范圍,以及更優的調制能效。Mengyue Xu等[52]基于鈮酸鋰高對比度波導的無縫集成與緊湊及低損耗硅電路制備了一種調制器。調制器結構示意圖如圖10所示,該調制器插入損耗為3.3 dB,調制速度32 Gbit/s、40 Gbit/s下,其消光比分別為8 dB和6.6 dB。該裝置避免了傳統硅調制器中的吸收損耗和非線性,并證明了鈮酸鋰調制器中最低的半波伏積產物。Martin Thomaschewski等[53]基于鈮酸鋰襯底制備了等離子體電光定向耦合器,通過在鈮酸鋰襯底上的Au納米電極引導耦合電磁模式和控制耦合的電信號,從而實現緊湊高效的開關和調制功能,測得電光開關長度為20 μm時,在±50 V電壓下調制深度可達90%, 半波電壓長度積為0.3 V·cm。Ahmed等[54]利用SiN和LN鍵合制備了Mach-Zehnder調制器,該調制器采用3 dB多模干涉耦合器進行分離和組合光,直流半波電壓為0.875 V,半波電壓長度積為2.11 V·cm,所制造器件的功率消光比約為30 dB,光學損耗約為5.4 dB。

圖10 調制器結構示意圖

鈮酸鋰鍵合晶圓可用于制作光學波導器件,王廣慶等[55]發明了一種鈮酸鋰-氮化硅波導與激光器異質集成結構的制備方法。首先在刻蝕后的條形鈮酸鋰波導上鍵合氮化硅,形成鈮酸鋰氮化硅混合波導,保證鈮酸鋰波導層中光場能量低于分布在鈮酸鋰氮化硅混合波導中總光場能量的5%,然后在氮化硅層上鍵合IIIV族激光器,完成鈮酸鋰氮化硅波導與激光器異質集成,克服了鈮酸鋰波導平臺無法實現激光器的集成和傳輸損耗大的難題。為改善壓電晶體的厚度,降低器件體積,實現SAW器件的高集成化,程進等[56]針對聲表面波器件的鍵合減薄工藝進行了研究,利用化學機械拋光提高鈮酸鋰晶片拋光精度,拋光后其粗糙度Ra為0.468 nm。Parfenov等[57]提出了一種鈮酸鋰襯底上集成光學超導單光子探測器(SSPD),由傳統鈦擴散波導的LiNbO3襯底、NbN超導納米結構和高折射率介電條帶和錐形波導模式變壓器組成,通過硅基結構提供更高的光濃度,以保證有更高的吸收系數,提高探測器效率。經測試,TiO2的吸收系數約為1.31 dB/μm。

3 總結和展望

近年來,晶圓鍵合技術發展迅速,鍵合工藝呈現多樣化和實用化,但鍵合材料相對單一。目前有關鈮酸鋰鍵合晶片的研究及應用中,硅片襯底較多,需開發更多的新型功能材料,同時需優化鍵合工藝。通過改進材料的制備方法、表面處理技術及優化鍵合工藝參數,國內外正大力開發低溫鍵合技術,并認為低溫鍵合技術是未來鍵合技術的主流。低溫鍵合技術對晶圓本身粗糙度、平整度及預處理工藝要求較高,目前尚未形成一套穩定統一的工藝處理流程,相關研究還需繼續進行。未來集成光電子器件將向多功能、多類型化方向發展,需要將具有不同特征尺寸和材料的多個不同組件或裸片制造、組裝和封裝到單個器件或封裝上,以提高新一代器件的性能?；旌湘I合技術可以同時鍵合介電材料和電互聯材料,可有效解決高密度電互聯和多功能電子器件存在的問題,與集成光電子技術未來發展方向相契合?；旌湘I合與標準封裝工藝不同,在潔凈度、顆?？刂?、對準和計量精度方面更接近前端制造,以混合鍵合技術為代表的微納系統集成,將是未來半導體延續摩爾定律的主要手段。

隨著移動互聯網、網絡視頻、云計算、物聯網等業務的蓬勃發展,以及廣闊的應用市場、5G新應用場景的開發與成熟等因素驅動,光電子器件在全球的應用越來越廣,國內光電子器件市場將迎來新的增長周期。鈮酸鋰鍵合晶圓的電光響應速度較快,潛在的高速高頻性能為光電子器件的發展提供了良好的基礎。通過優化器件結構、材料性能及集成電路設計等方面的研究,進一步提升了其高速高頻特性,滿足日益增長的高速通信和數據處理需求。我國應加大相關基礎理論及關鍵技術研究,加強自主創新研發,提高我國在集成光電子技術領域的水平,以增強我國科技實力。