空位
- FeCuMnNi合金體系中溶質-空位團簇的原子尺度研究
移級聯損傷,產生空位和自間隙原子等點缺陷及其團簇;形成的點缺陷及其團簇具有很高的移動性,加速了溶質原子的擴散,在溫度場、應力場的作用下,經過長時間的演化,在RPV鋼中形成析出物、位錯環等微觀缺陷以及元素的晶界偏聚[1-3]。這會使RPV鋼出現輻照硬化和輻照脆化,導致材料韌脆轉變溫度升高,增加壓力容器發生脆性斷裂的風險,直接威脅核設施的安全運行[4-5]。研究表明,中子輻照誘發RPV鋼脆化的機制可分為兩類:主導機制為硬化脆化,即輻照導致材料形成高密度納米級的
原子能科學技術 2023年10期2023-10-27
- 不同過冷度條件下HCP-Mg 凝固過程中的空位捕獲
200444)空位是材料中最至關重要的缺陷, 會嚴重影響諸如金屬蠕變、屈服極限、半導體摻雜、光學器件吸收譜等重要材料屬性[1-3]. 空位的形成通常是在材料加工的早期——凝固過程中被捕獲進晶體. 這種捕獲通常會造成其濃度超過平衡濃度, 稱為“捕獲效應”. Hillert 等[4]基于固液界面的漸變模型, 構建了一個用于描述純金屬快速凝固過程中空位捕獲的經驗模型, 并認為空位捕獲必須在凝固速度超過1 m/s 的條件下才會發生.空位捕獲現象是公認的事實[5]
上海大學學報（自然科學版） 2023年2期2023-06-11
- 用插空位法求解不相鄰問題的步驟
題的主要方法是插空位法.運用插空位法解答不相鄰問題的步驟為：題目中要求5名兒童不相鄰，則需采用插空位法解題，先將無限制條件的元素（5位母親）進行全排列；再將不相鄰的元素（5名兒童）插入已排好的元素（5位母親）之間的空位及兩端的位置上.例2.將A，B，C，D，E， 5名同學按下列要求進行排列，求所有滿足條件的排列方法數.（1）5名同學排成一排，且A，B不相鄰；（2）5名同學排成一排，且A，B都不與C相鄰；（3）若一排有6個座位，將5名同學安排到其中的5個座位
語數外學習·高中版下旬 2023年1期2023-03-23
- 半導體材料中空位的引入、表征及其對光催化的影響
,13-14]、空位工程[15-16]、異質結[17-18]和壓電光催化[19-20]等。眾所周知，缺陷能夠明顯改變材料的物化性質[21]。空位作為最常見的點缺陷之一，因其能在不引入雜質元素的條件下優化光催化性能而被廣泛研究。Fujiwara等在20世紀90年代研究了硫空位對CdS吸附CO2能力的促進[22]，是第一個直接討論空位缺陷影響光催化性能的研究。此后，各種元素空位的開發，例如常見的陰離子空位氧[16]、硫[23]、氮[24]和陽離子空位鋅[25]
功能材料 2022年11期2022-12-19
- 富鋰錳基三元材料Li1.167Ni0.167Co0.167Mn0.5O2中的氧空位形成*
.5O2 中的氧空位形成,討論了環境溫度、壓強以及點缺陷的存在對氧空位形成能的影響,還討論了氧空位對材料容量的影響.結果表明,氧空位的形成能隨溫度的升高而下降,隨氧分壓的降低而降低.對于帶電氧空位(,空位形成能隨著費米能級的升高而增加.研究還表明,氧空位的形成對Li1.167Ni0.167Co0.167 Mn0.5O2 材料中電荷密度分布的影響是相當局域的, 氧空位形成后僅在氧空位附近的Mn 離子周圍出現明顯的電荷密度的重新分布.此外,計算了氧空位附近存在
物理學報 2022年17期2022-09-14
- Fe-C 合金在輻照條件下基體缺陷演化的OKMC 模擬*
驗證了碳(C)-空位(Vac)復合體在理想條件下的演化，在較低溫度下，復合體主要為C-Vac2.基于復合體陷阱的假設，對Fe-C 系統中基體缺陷在輻照條件下的演化進行了模擬.驗證了碳空位復合體對基體缺陷有明顯的捕獲作用.模擬Fe-C 系統中基體缺陷在輻照條件下的演化能夠得到與實驗一致的結果，對比討論了模擬中使用的有效近似參數對模擬結果的影響，為鐵基合金輻照缺陷演化的研究提供了基礎支撐.1 引言反應堆中的中子輻照、高溫、高壓環境使鐵基合金產生微觀結構改變,韌
物理學報 2022年16期2022-08-28
- 鋼液環境對Ti-O團簇形貌影響的分子動力學模擬
由于體系內出現了空位群，導致此處能量較低，從而吸引了Ga＋與N-，誘導了GaN的形核。上述研究均表明溶液中溶劑原子和空位對溶質團簇的形貌結構及長大過程有顯著影響。本文采用分子動力學模擬探究鋼液中液態Fe原子、空位對Ti-O團簇的形貌及長大過程的影響。1 模擬過程和參數設置利用Lammps軟件進行分子動力學模擬計算，選用楊立昆等開發的Fe-Ti-O三元體系勢函數進行相關計算，根據該勢函數計算得出Fe的熔點為2 051.99 K，模擬冶煉溫度為2 122 K，
上海金屬 2022年3期2022-06-01
- 空位對Cu/Sn 焊點中Cu3 Sn層元素擴散的影響
Cu 界面上存在空位時各元素的擴散行為,研究發現Cu 晶體中Cu 空位形成能大于Cu3Sn 晶體中Cu 的空位形成能,在任何溫度下最有可能的遷移路徑是Cu 晶體中的Cu 向Cu3Sn 晶體中的Cu空位遷移,同時相比于無空位模型,界面存在空位時擴散現象更加明顯。郭麗婷等[11]研究了電場作用下電場方向和電場強度對Cu3Sn/Cu 界面原子擴散行為的影響,發現在正向電場方向下,提高電場強度,會使得界面處原子的擴散速率差異更加顯著,產生的Kirkendall 效
電子元件與材料 2022年4期2022-04-30
- 空位對Hf-Ta-C體系的結構、力學性質及電子性質影響的第一性原理研究
Evgenii空位對Hf-Ta-C體系的結構、力學性質及電子性質影響的第一性原理研究彭軍輝1,2, TIKHONOV Evgenii1(1. 西北工業大學 材料學院, 材料發現國際中心, 西安 710072; 2. 太原工業學院 材料工程系, 太原 030008)本研究理論預測了三元Hf-Ta-C空位有序結構以及空位對力學性質的影響。采用第一性原理進化晶體結構預測軟件USPEX, 預測得到了5種熱力學穩定和3種亞穩的(Hf, Ta)C1–x空位有序結構,
無機材料學報 2022年1期2022-04-12
- 空位缺陷對單層2H-MoTe2光電效應的第一性原理研究
方法研究了1Te空位、2Te空位和Mo空位對單層2H-MoTe2光響應電流的影響，可以指導2H-MoTe2在電子領域和光電器件領域的應用。1 理論模型與計算方法選擇穩定性2H相MoTe2作為結構模型的原胞，晶格常數為a=b=0.348 nm，按輸運和周期方向擴胞4×3×1并轉化為器件。該器件由3部分組成：左電極、右電極和中心區域,如圖1所示。其中左、右電極分別為沿Y軸負方向和正方向延伸的半無限長，整個器件在X-Y平面周期性排列。2H-MoTe2的本征(Pu
人工晶體學報 2022年12期2022-02-01
- 空位濃度對纖鋅礦CdS電子結構和光學性質影響的第一性原理研究
贗勢方法，研究了空位缺陷對閃鋅礦結構CdS體系電子結構和光學性質的影響，發現S空位使得能帶變窄，而Cd空位使帶隙變寬，空位的介入使其鄰近原子電子結構發生變化，使得空位缺陷體系光學性質變化主要集中在低能量區。就目前而言，關于空位濃度對纖鋅礦CdS電子結構和光學性質影響的文獻較少?；谝陨系难芯勘尘昂退悸?，本文采用基于密度泛函理論的第一性原理平面波贗勢方法，借助于Materials Studio軟件包中的CSATEP程序模塊，用第一性原理對纖鋅礦CdS的本征體
人工晶體學報 2022年12期2022-02-01
- 三元Hf-C-N 體系的空位有序結構及其力學性質和電子性質的第一性原理研究*
-C-N 體系的空位有序結構及其力學性質和電子性質.首先采用第一性原理和進化算法,預測得到8 種可能存在的熱力學穩定的Hf-C-N 空位有序結構;這些結構都具有巖鹽結構,與實驗發現的無序固溶體的結構類型一致.本文的預測結果證明了Hf-C-N 空位化合物能夠以有序結構形式存在,空位與C,N 原子都位于[Hf6]八面體間隙,這一結構特點與HfCx 的相同.然后采用第一性原理方法,計算了Hf-C-N 空位有序結構的力學性質,發現除C∶N=1∶4 外,相同C/N
物理學報 2021年21期2021-11-19
- 氧化鋁中氧空位形成能的摻雜調制
生定向移動，使氧空位在局部發生聚集并形成可供電子快速遷移的通道，實現電阻的退化.所以，氧空位的形成能大小直接影響電阻轉變的難易程度.目前，相關研究主要集中在二元金屬氧化物半導體中，如氧化鋅、氧化鎳、氧化銅等.眾所周知，氧化鋁是當前硅基半導體制造工藝中最常見的金屬氧化物，且與工藝路線完全兼容.但是氧化鋁是一種絕緣材料，氧空位的形成能非常高，無法在電場作用下實現可逆的電阻轉變.因此，如何使氧化鋁也具備阻變功能層的特性，是一個值得研究的課題.本文借助第一性原理，
湖南工程學院學報（自然科學版） 2021年3期2021-09-25
- 關于“○”的爭論及辭書收錄建議
○ 漢字 圖符 空位 編號一、 問題的提出據舒寶璋（1991）回憶，二十世紀六十年代，基于實際使用情況，他建議將“○”作為漢字收入《現代漢語詞典》。這一觀點引起了學者們的爭論， 本文對“○”是否應被辭書收錄引起的相關討論進行梳理，并考察不同辭書在不同時代的處理方式，結合國家出版標準的相關規定和語料庫中的使用情況，對不同目的編寫的辭書應如何處理“○”提出建議。二、 關于“○”收錄辭書的主要爭議關于辭書收錄“○”的討論主要圍繞著兩個問題進行：一是“○”是否為漢
辭書研究 2021年5期2021-09-24
- S空位調節扶手型二硫化鉬納米帶的電子性質
不可避免，其中S空位最為典型.潘等人發現，對有空位的ZMoS2NRs邊緣進行修飾時，能夠使其從金屬性質變為半金屬性質[12].所謂半金屬材料是指在一個自旋通道上表現出金屬特性，在另一個自旋通道中表現出絕緣體性質.半金屬材料被認為是未來納米器件中提供100%自旋極化電流的理想自旋電子材料[13-17].事實上，AMoS2NRs中的原子空位缺陷很容易得到，甚至可以通過實驗實現其濃度來控制[18-20].然而，關于空位對其電子性質的影響的報道極少，這里，我們采用
原子與分子物理學報 2021年3期2021-08-16
- 金屬摻雜改善HfO2阻變存儲器(RRAM)氧空位導電細絲性能
電細絲(成分為氧空位或金屬離子)的形成與斷裂，實現RRAM高、低阻態轉變[7-10]。KALANTARIAN等[11]認為導電細絲形狀、半徑都會影響RRAM的Set-Reset電壓、數據保持特性和耐擦寫性。因此，理解阻變過程中可逆轉變的物理機理是優化器件性能、促進技術發展的有效途徑。KWON等[12]通過高分辨率透射電子顯微鏡發現在 Pt/TiO2/Pt器件中存在氧空位納米導電細絲；沉淀工藝制作ZnO薄膜層時在(0001)面上產生氧空位，在高電場的作用下，
材料科學與工程學報 2021年3期2021-07-28
- 鎢中空位及其團簇的能量學和動力學性質參數
中引入大量缺陷。空位及其團簇便是其中1種主要缺陷，它們影響并決定著W中微觀組織結構和氫同位素滯留性質，最終影響和改變材料的力、熱性能[3]。空位及其團簇的能量學和動力學行為已被廣泛研究[4-54]。盡管如此，空位及其團簇的能量學和動力學基本性質參數仍不完整且存在一些爭議[4-54]。本文將對文獻中現有的空位及其團簇的能量學和動力學性質參數進行總結，并采用第一性原理(FP)方法計算獲得更加完整和精確的基本性質參數，并探討文獻中相關爭議的可能原因。1 計算方法
原子能科學技術 2021年1期2021-01-21
- 鎢/銅界面處氫原子與空位相互作用的第一性原理計算
2.2 界面處的空位在強中子輻照下，材料內部將產生大量的缺陷，缺陷的演化會影響材料的力學性能，最終導致部件材料失效。因此，研究鎢/銅界面中缺陷的存在有助于在原子尺度上理解材料的力學性能變化。通過在鎢/銅界面中引入不同位置的空位和間隙發現，由于鎢原子和銅原子的原子半徑較大，兩者的間隙均很難穩定地存在于界面中。因此，以下的研究中僅考慮空位，而不考慮間隙。根據圖1中鎢/銅界面模型，本文將界面模型中不同層數中的單個晶格原子移去，以獲得不同層數下的單空位模型。1)
原子能科學技術 2021年1期2021-01-21
- 鉍基氧空位光催化劑應用研究進展
能帶結構、晶面和空位易于調控等特點，廣泛受到光催化領域的關注。Bi基光催化劑其Bi6s和O2p軌道部分重疊，使得帶隙減小，吸光帶邊紅移；Bi基光催化劑獨特的層狀結構能夠加速載流子到達表面，以上優勢使Bi基光催化劑在光催化中成為研究的熱點[1]。然而，受吸光范圍、光量子效率(包括載流子的分離與傳輸問題)以及到達催化劑表面的電子(e-)與空穴(h+)參與反應等因素限制，Bi基光催化劑催化效果還不理想[2]。為解決這些問題進行了多種改性研究，如形成氧空位(OVs
河北環境工程學院學報 2020年6期2020-12-19
- 稀土鈰基催化材料氧空位的表征方法綜述
000）引 言氧空位（Ov）是金屬氧化物缺陷的一種，它們是金屬氧化物在特定外界環境下（如高溫、還原處理等）造成的晶格中氧的脫離，導致氧缺失形成氧空位。氧空位的概念最早是在1960年被提出來的，當時也稱為“Wadsley defect”，研究者們發現金屬氧化物并非大家所認為的理想完整晶體結構，而是存在一定的氧離子缺陷位點[1]。這種缺陷的存在使得金屬氧化物在催化一些反應中有至關重要的作用[2-3]。直到2000 年，人們才通過掃描隧道顯微鏡（STM）的表征手
化工學報 2020年8期2020-08-19
- 大直徑直拉單晶硅片退火前后工藝的研究
缺陷;殘余應力;空位;空穴;缺陷引言大直徑的直拉單晶硅高溫退火，在國外，一般采取的方式是在拉直單晶硅后不出單晶爐，直接進行高溫退火，這就是所謂的爐內高溫退火的直拉大直徑單晶硅;而在國內，對待大直徑的直拉單晶硅采取的方式均以單晶硅片的形式來進行高溫退火。一般直徑超過300mm，厚度超過50mm的直拉單晶硅片對高溫退火要求是相當嚴格的，在高溫退火過程中極容易出現炸裂的現象，同時也會有顯示不出來真實的電阻率值的現象。本文只針對大直徑直拉單晶硅片，在高溫退火過程中
科學導報·學術 2020年70期2020-06-21
- 空位缺陷摻雜單層MoTe2的研究
2樣品中存在多種空位缺陷，這些空位對MoTe2材料的穩定性起著重要作用[16-18].空位的出現也有可能對材料電子和光學性質產生顯著影響[19-20].然而，對空位摻雜的單層MoTe2，特別是1T′MoTe2還缺乏系統的研究.因此，本文擬對空位缺陷摻雜單層1H和1T′MoTe2進行研究.1 計算方法本文采用基于密度泛函理論的計算軟件包Atomistix Tool Kit(ATK)完成結構優化以及電子結構計算.采用的贗勢為Hartwigsen、Goedeck
湖南工程學院學報（自然科學版） 2020年1期2020-03-26
- 氧空位對ZnO基(110)二維膜材料電子結構的影響研究
陷，如Zn和O的空位缺陷，Zn和O的位置互換，以及Zn和O的間隙缺陷等，然而在低維氧化鋅材料尤其是二維膜材料方面的報道相對較少，對其高原子密度晶面的電子學性質方面未見報道，在氧空位缺陷對低維材料電子結構影響方面也未見報道. 本文在密度泛函理論計算分析方法的基礎上，系統研究了本征氧化鋅(110)二維膜材料的電子結構性質，并研究了氧空位對氧化鋅(110)二維膜材料電子結構性質的影響.2 計算模型與過程纖鋅礦ZnO塊體材料呈六角對稱，空間群為P63mc，晶格參數
原子與分子物理學報 2019年6期2019-12-06
- Ce摻雜與O空位對銳鈦礦相TiO2磁學和光學性能影響的第一性原理研究
的體系中產生了O空位，然而由于實驗上較難對O空位的位置和濃度進行準確把控，因此O空位對該結構性質的影響是實驗研究無法論述的；此外，根據作者先前的一系列研究可知，雖然單純的Ce摻雜銳鈦礦TiO2體系沒有磁性[11]，但O空位的形成卻能夠引起電子自旋極化[14]。而當體系具有磁性時，其自旋能級的分裂必然改變帶隙寬度[11]，進而對光學性質產生影響。因此研究含有O空位的Ce摻雜TiO2的磁學性質對提高其光催化活性是十分必要的?；谝陨显?，本文在與文獻[10]相
人工晶體學報 2019年8期2019-09-18
- δ-Pu空位缺陷的密度泛函理論計算
存在自間隙原子和空位兩種本征缺陷，其中空位易與材料輻照老化產生的He結合形成團簇，進而發展成為氦泡，對材料的結構和性能造成顯著影響[2,3]. 當前對于Pu中缺陷的研究主要集中于氦點缺陷和氦泡的形成機理以及對基體物性的影響[4-6]，對空位的影響及其機理研究還比較少見.自1941年發現以來，钚及其化合物的性質研究就受到廣泛重視. 然而，由于Pu的放射性、毒性以及復雜的物理性質和化學性質，精密的實驗研究面臨很大困難. 盡管目前在Pu的宏觀性質研究方面已經取得
原子與分子物理學報 2019年5期2019-04-28
- 一個空位
然我并不可能找到空位的。站在人群中真的挺累的，我看著那些一手抓著扶手，一手刷著手機的人身體隨著車搖晃，小腿的肌肉也明顯地看出在微微地發顫以保持平衡，站著那該是有多累??！一個站點到了，原來人擠人的公交車，仿佛突然被放空了，一大批人潮擠著下了車，原本擁擠的車上變得空曠了許多，瞬間多了幾個空位，我正踏步準備搶占一個座位，視線瞄了一眼周圍——身旁并沒有任何人有絲毫的動靜，沒有人像我一樣準備找個空位坐下。站著人，依舊站著。為了不變得那么突兀，我也不好意思坐那個空位子
浙江國土資源 2019年9期2019-01-28
- 氧空位依賴的氯氧化鉍光催化反應
)在BiOCl氧空位上的吸附、活化和光催化反應隨著現代材料表征技術與理論模擬計算的協同發展，人們逐漸認識到對于實際的催化劑，其表面少量缺陷相比于其體相結構和化學組成起著更重要的作用1。鑒于此，深刻地理解表面氧空位與光催化中動力學、熱力學以及反應路徑之間的關系非常重要。其中氧空位是最常見并且研究最多的一種陰離子缺陷2。最近，華中師范大學化學學院張禮知教授研究團隊結合氧空位依賴的光催化表面化學的研究現狀及其團隊在該領域的最新研究進展，在Angewandte C
物理化學學報 2018年12期2018-12-20
- 原子模擬金屬鋯中點缺陷行為
量的點缺陷,包括空位和自間隙。這些點缺陷隨后擴散,并可被系統的不同阱捕獲,或者聚集形成更大的缺陷,例如位錯環和空位團[1]。空位團也可以出現在淬火鋯合金中。過去已經進行了大量的實驗研究來確定HCP-Zr及其合金中這些缺陷團簇的結構。第一個輻射生長模型是在1962年提出的,之后相繼又提出了很多模型。然而,能夠預測純Zr的單晶變形的機械模型尚不清楚,因此還是依賴唯象的方法[2]。對諸如鋯合金等各向異性材料的基本蠕變機制的理解還不夠強,不能真正預測。實驗[3-8
沈陽師范大學學報(自然科學版) 2018年4期2018-12-19
- 氧空位缺陷對PbTiO3鐵電薄膜漏電流的調控?
最顯著的就是以氧空位缺陷為代表的薄膜晶格缺陷.而在鐵電薄膜中氧空位缺陷將直接影響鐵電材料的局域極化強度和方向,進而改善漏電流.Jia和Urban[13]利用透射電子顯微鏡觀察到鈦酸鋇(BaTiO3)薄膜中存在32%的氧空位缺陷.通過摻雜改變薄膜晶粒大小和形貌來有效地抑制氧空位,進而提高漏電流特性,為不顯著增大薄膜厚度而改善漏電流性能提供了思路.基于此,本文重點探究雜質元素和氧缺陷空位對漏電流的耦合調控,即研究Cu,Fe,Al和V四種金屬陽離子摻雜對PbTi
物理學報 2018年18期2018-10-26
- 氧空位缺陷對光催化活性的影響及其機制
對 TiO2中氧空位對其可見光催化降解去除 NO氣體的影響進行了研究，但該研究并沒有引起足夠的重視．直到2011年，陳曉波等[2]利用在氫氣氣氛中高溫煅燒納米TiO2粉末，在其表面引入氧空位及大量無序結構等，使其強烈地吸收可見光，進而極大地提高了可見光催化產氫效率．由此，引入并調控氧空位成為改善光催化材料活性的重要手段且備受矚目，因而成為研究的熱點之一．氧空位不僅存在于氧化物中，而且存在于所有含氧化合物中．盡管其具有眾多優點，如：化學穩定性高、儲量豐富、價
天津科技大學學報 2018年5期2018-10-23
- 缺陷對單壁碳納米管電子結構調制的第一性原理計算
拓撲缺陷, 如單空位(碳管中失去一個碳原子)、雙空位(碳管中失去兩個相鄰的原子)和Stone-Wales缺陷等[6-9]. 碳管中的拓撲缺陷也可通過實驗引入, 用化學處理或離子碰撞可在碳管中引入空位. Krasheninnikov等[10]的分子動力學模擬結果表明, 使用Ar離子轟擊碳納米管, 主要產生單空位和雙空位, 當用120 eV的Ar離子垂直管軸轟擊時, 其中30%～40%的碰撞產生雙空位. 這種碳原子缺失會導致碳納米管的電子結構發生特定改變, 從
吉林大學學報（理學版） 2018年4期2018-07-19
- 淺談數字口譯技巧
，簡而言之就是“空位”和“落位”?！娟P鍵詞】數字口譯；口譯質量；空位；落位【作者簡介】尹子津，福州大學外國語學院。眾所周知，數字口譯是評估口譯質量的一個重點，因為其關系著口譯的準確性，也關系著對譯員口譯能力及其口譯可信度的評估。而數字口譯也一直是口譯的難點。北大的方生平先生認為，數字信息所攜帶的信息量要比一般語義信息所攜帶的信息量大出約20倍。而且，數字口譯的高信息量和低預測性都將對譯員造成心理過載，最終影響口譯的流暢度和準確性。為提高數字口譯的效率，筆者
校園英語·下旬 2018年1期2018-05-15
- Sm3+,Sr2+共摻雜對CeO2基電解質性能影響的密度泛函理論+U計算?
激發產生的少量氧空位以及低氧分壓下Ce4+到Ce3+的轉變,是一種擁有極低的氧離子電導率和電子電導率的混合導體材料.而高性能的IT-SOFC電解質材料則要求材料具有較高的氧離子電導率以提高氧離子的傳輸性能以及越低越好的電子電導率以降低電解質的內短路電流.為了提高CeO2基材料的氧離子電導率,人們通常會在CeO2中摻入某種二價或者三價元素,通過電荷平衡來產生氧空位.近年來,關于CeO2的實驗和理論研究有很多[9?19],人們發現在單摻雜體系中,摻雜離子的價態
物理學報 2018年8期2018-05-08
- 租 船
知道怎樣租船沒有空位嗎？我是這樣解的。全租小船，就是求36里面有幾個4，算式為36÷4，“四九三十六”，36÷4=9（條），也就是租9條小船沒有空位。我是這樣解的。全租大船，就是求36里面有幾個6，算式為36÷6，“六六三十六”，36÷6=6（條），因此租 6條大船沒有空位。我是這樣解的。先租6條小船，6條小船可以坐4×6=24（人），這樣還有36－24=12（人）需要租大船，需要租大船12÷6=2（條），因此要想沒有空位，可以租6條小船和2條大船。我是這
數學小靈通(1-2年級) 2018年4期2018-05-07
- 原子模擬鈦中微孔洞的結構及其失效行為?
?18],可能使空位型點缺陷在裂紋萌生擴展中扮演比其他材料更重要的角色.因此有必要對空位及其團簇的結構穩定性以及對裂紋形核的影響進行細致研究.本文采用激發弛豫算法結合第一原理及原子間作用勢,考察鈦中不同尺寸空位團簇的穩定和亞穩構型;采用分子動力學模擬,系統研究拉應力作用下不同尺寸的穩定空位團簇對微裂紋形核的影響,以期為理解鈦合金復雜的疲勞斷裂機理提供參考.2 方 法原子模擬采用嵌入原子法作用勢(EAM),該勢可較好地描述六角金屬鈦的點缺陷能、面缺陷能和彈性
物理學報 2018年5期2018-03-27
- SrFe0.5Nb0.5O3雙鈣鈦礦Sr空位最大值研究*
有待研究，比如，空位在材料中不可避免，在鈣鈦礦材料中也不例外，空位是否存在最大值的問題．1 空位在SrFe0.5Nb0.5O3鈣鈦礦材料中潛在作用用來描述熱力學點缺陷含量如下(1)其中，n表示空位數量，N表示格點總數，ΔSV表示空位形成熵，ΔEV表示空位形成能，k表示玻爾茲曼常數，T表示溫度．根據熱力學定律，溫度不可能達到0 K，只能無限接近，所以熱力學缺陷C一定是大于等于零的數值．空位的存在在很大程度上對電荷分布、磁性能、電性能等有較大的影響，主要體現在
物理通報 2018年9期2018-03-05
- 氧空位遷移造成的氧化物介質層時變擊穿的蒙特卡羅模擬
100081)氧空位遷移造成的氧化物介質層時變擊穿的蒙特卡羅模擬栗蘋 許玉堂?(北京理工大學機電學院,北京 100081)(2017年5月19日收到;2017年7月3日收到修改稿)氧空位,蒙特卡羅,氧化物介質,模擬1 引 言半導體產業是近幾十年信息技術革命的基礎,其核心技術是互補金屬氧化物半導體晶體管組成的集成電路.根據摩爾定律,金屬氧化物半導體(MOS)晶體管尺寸不斷縮小,將在10年內逼近其物理極限.其中柵介質厚度的按比例縮小是其中最先達到物理極限的部分
物理學報 2017年21期2017-11-10
- A l摻雜和空位對ZnO磁性影響的第一性原理研究?
稿)A l摻雜和空位對ZnO磁性影響的第一性原理研究?侯清玉1)3)?李勇1) 趙春旺1)2)1)(內蒙古工業大學理學院,呼和浩特 010051)2)(上海海事大學文理學院,上海 201306)3)(內蒙古自治區薄膜與涂層重點實驗室,呼和浩特 010051)(2016年11月11日收到;2016年12月6日收到修改稿)A l摻雜和Zn空位在ZnO中或A l摻雜和O空位在ZnO中的磁性來源和機理的認識頻有爭議.為了解決本問題,本文采用基于自旋密度泛函理論框架
物理學報 2017年6期2017-08-03
- 空位缺陷對β-AgVO3電子結構和光吸收性能的影響?
晶體中存在的Ag空位和O空位引起的.Zhao等[5]通過在室溫條件下用NaBH4還原β-AgVO3,發現可以把β-AgVO3中的Ag離子還原成Ag納米顆粒并吸附在β-AgVO3表面,形成Ag/AgVO3納米帶,與β-AgVO3相比具有更強的光催化活性.解釋其原因一是Ag納米顆粒的存在引起等離子體表面共振,有效抑制了晶體中光生電子-空穴對的復合,提升光生電子-空穴對的遷移率,從而使Ag/AgVO3光催化活性提高;原因二是Ag/AgVO3的帶隙值(1.51 e
物理學報 2017年15期2017-04-26
- Cr2AlC中空位相關屬性及電子結構的第一性原理研究
?Cr2AlC中空位相關屬性及電子結構的第一性原理研究彭飛(上海電子信息職業技術學院電子工程系,上海201411)通過第一性原理研究了Cr2AlC中空位對其結構和電子性質的影響.在Cr2AlC中，Cr,Al和C空位形成能分別為1.15eV(Cr-poor)、-1.93eV(Cr-rich)，2.02eV(Al-poor)、-4.38eV(Al-rich)和 1.14eV(C-rich)、-3.05eV(C-poor). 計算結果表明,Al空位的形成能相對較
西北師范大學學報（自然科學版） 2016年4期2016-09-01
- 空位缺陷對CrSi2光電性能的影響
561000)?空位缺陷對CrSi2光電性能的影響于立軍1,張春紅2,張忠政2,鄧永榮2,閆萬珺2(1.長春師范大學 物理學院,長春 130032；2.安順學院 航空電子電氣與信息網絡工程中心,貴州 安順 561000)采用第一性原理方法,計算含空位缺陷CrSi2的電子結構和光學性質,并分析含Cr和Si空位缺陷的CrSi2光電性能.結果表明：Cr和Si空位均使CrSi2的晶格常數和體積變??；能帶結構密集而平緩,且整體向上移動,Si空位缺陷形成帶隙寬度為0.
吉林大學學報（理學版） 2015年3期2015-08-16
- LiF中空位形成能的第一性原理計算
039)LiF中空位形成能的第一性原理計算何 旭1, 杜 泉2(1．成都紡織高等?？茖W?；A教學部， 成都 611731; 2．西華大學物理與化學學院， 成都 610039)采用平面波展開和基于密度泛函理論框架下的第一性原理贗勢法, 計算了102 GPa下LiF化合物中Li空位和F空位的形成能及空間周圍的原子弛豫, 討論了空位形成時電荷密度的重新分布, 相應的電子態密度以及能帶結構等性質. 結果表明: LiF晶體中F空位的形成能比大于Li空位的形成能; F
原子與分子物理學報 2015年5期2015-03-23
- 面向等離子體鎢材料中氫氦氣泡形成研究獲進展
，科研人員計算了空位-氫復合體濃度隨溫度的變化關系，該結果表明在iter的服役溫度(1 000 K)附近，空位-氫的復合體大量存在，相比之下空位-氦則更加穩定。研究還表明，氫和氦在空位中的聚集促進了空位與空位之間的結合。因此，氫和氦氣泡可以通過以下兩種方式成核和生長：(1)空位捕獲氦原子，當氦原子濃度達到閾值時，空位周圍發射一個自間隙原子，長大的空位再捕獲氦原子再發射自間隙原子直到氦氣泡的形成。(2)氫和氦原子在空位中的占據，促進了空位的聚集從而形成空位團
中國有色冶金 2015年1期2015-01-27
- 空位
圖/文/黛西空位圖/文/黛西Eternal Mind Vacancy假如，今天再見，估計我們已認不出彼此?；蛟S，那段童年的記憶，只有我還刻骨銘心，而她早都忘了；或許，這個人從來都沒存在過，只有我童年的幻想。但，悲傷是真真切切地存在過的。在我心里，有一個位置，一直空著……某天下午，在公交車上。我看見你正和一個男孩拉著手，此時你也看見了我，但我們連笑都沒來得及，就把目光移到了窗外。送給美好的過去送給美好的過去在我旁邊就有一個空位，你卻始終沒坐，就這樣一站接著一
讀者欣賞 2014年6期2014-07-03
- 稀土元素對Ni-Cr-Al合金高溫氧化影響機理的研究
b) 稀土La與空位共存的鎳合金超原胞圖2(a)Al2O3晶胞圖2(b)O2分子原胞Ni-Cr-Al合金在高溫氧化的條件下，加入稀土元素對其降低氧化速率、增強氧化薄膜的結合力、提高氧化薄膜的粘附性等方面起到積極的促進作用.氧化膜生長的快慢取決于氧化膜中離子的擴散速度，而離子擴散速度與離子空位濃度有直接的關系.對于稀土改善氧化膜的粘附性機理，幾種具有代表性的機理解釋的模型為:(1)稀土氧化物的“釘扎”作用.(2)稀土阻止氧化膜與基體間形成孔洞.(3)減緩氧化
吉林化工學院學報 2014年11期2014-03-01
- D-D中子輻照單晶TiO2的損傷特性
通過彈性碰撞誘發空位缺陷損失能量，再用對原子尺度缺陷極其敏感的正電子湮沒技術(PAT)研究D-D中子在單晶TiO2內部引發的缺陷類型和缺陷濃度，給出中子在樣品中的作用機制。1 材料和方法TiO2(001)單晶購于德國 MaTecK-Material-Technologie & Kristalle GmbH，生長方法為水熱法，晶體尺寸10 mm×10 mm×0.5 mm，單面拋光。輻照在蘭州大學ZF-300-II型強流中子發生器上完成，中子源為 D-D反應，
核技術 2012年2期2012-10-16
- 鐵鋁金屬間化合物中的原子缺陷
金有序無序性能、空位硬化性能和阻尼性能的影響.鐵鋁金屬間化合物;原子缺陷;影響Abstract:The formation and characteristics of atomic defects in Fe-Al intermetallic compounds and their influences on order-disorder，vacancy-hardening and damping behaviors are discussed in t
蘇州市職業大學學報 2012年2期2012-09-14
- 含單空位的(10,10)碳納米管的振動性質和拉曼譜
SW)[7]、單空位(monovacancy，MV)[8]、 雙空位(divacancy, DV)[9]以及這些缺陷的衍生結構[10].當這些缺陷存在時，即使其濃度很小，也會極大地影響碳管的物理和化學性質[11].因此，深入了解缺陷存在時對碳管性質的影響，具有十分重要的意義.到目前為止，人們對于包含缺陷的碳管的研究，主要集中在缺陷對碳管的結構和電學性質的影響上，著重討論缺陷對碳管中電子輸運性質的改變，這些研究為碳管在量子線和場效應管等方面的潛在應用提供了理
鄭州大學學報（理學版） 2012年2期2012-05-15
- ·經典詩歌欣賞·
我的身邊總有 空位當某天聞到一縷芳馨垂下眼簾 喃喃低語突然一種預感使我驚恐不安睜開 軀體原來依然 空位于是我也走了留下一個 空位——朱凌波 《空 位》現代人有著本質的孤獨，灰色的生活狀態又加重了這種孤獨，所以即便朋輩滿座，他們仍會感到內在的不可抗拒的凄涼?！?span class="hl">空位》傳遞的正是第三代詩人們過分重視主體內心世界所產生的普泛痛苦體驗。詩人感到“身邊總有《空位》”渴望會有人來，當“聞到一縷芳馨”時，他暗垂眼簾希望它會被填補滿；可睜開“軀體”一看，空位依然，原來只是一
名作欣賞 2010年3期2010-08-15
- 含空位和雜質缺陷的閃鋅礦電子結構的第一性原理計算
∶1，這主要是由空位缺陷造成的；二是鐵和鎘雜質，即閃鋅礦晶格中含鐵或者鎘雜質。天然閃鋅礦常含有鐵雜質，其含量(質量分數)從0.4%到22%不等，含鐵超過6.0%的閃鋅礦稱為鐵閃鋅礦[13]。鐵雜質對閃鋅礦的半導體性質影響較大，含鐵閃鋅礦是n型半導體，鐵含量越高，其導電性越強[14?15]，鐵雜質使閃鋅礦不利于或者難于浮選。閃鋅礦中也常含有鎘雜質，當含鎘量達到 5%時，稱為鎘閃鋅礦，鎘雜質能夠提高閃鋅礦的可浮性。本研究根據礦物晶體學和半導體缺陷理論構建含有硫
中國有色金屬學報 2010年4期2010-01-04
- 住宅小區智能化總體設計質量的研究
。關鍵詞：越位；空位；價值工程；限額同綠色住宅、生態住宅、節能住宅一樣，住宅智能化正逐步得到市場的廣泛認同。但是，當前智能住宅往往出現這樣的情況：一方面業主投入不少，住戶使用率卻不高；另一方面物管努力不少，住房投訴率卻不低。究其原因，筆者認為往往與智能化系統設計相對簿弱有直接關系。資料顯示：由于設計造成的工程質量問題大約占40%，對投資的影響程度為70%。因此，筆者認為總體設計單位應首先從以下三個方面著手加強設計質量控制。1 擺正位置，明確職責，正確處理與
中國新技術新產品 2009年18期2009-09-03