離子源
- 便攜式電弧打火機質譜離子源及其在快速鑒定分析中的應用
大地豐富了質譜離子源的類型，并突破了傳統質譜離子化技術的局限[1-3]。質譜分析不再受限于樣品的狀態，免除了對樣品進行溶解、氣化和共結晶等繁冗費力的前處理過程，可最大程度地反映樣品的原始狀態[4-5]。其中，以實時直接分析電離源（Direct analysis in real time，DART）、介質阻擋放電離子源（Dielectric barrier discharge ionization，DBDI）和低溫等離子體探針（Low temperature
分析化學 2023年10期2023-11-10
- 氮工質ECRIT離子源性能計算與實驗研究
。對ECRIT離子源建立整體模型并開展性能計算,再結合實驗驗證其準確性,可以快速方便地評估ECRIT的性能。然而目前國內外在這方面的研究工作有限,主要集中于氙氣、水工質的ECRIT離子源性能評估。文獻[6]對微型氙氣和水工質ECRIT離子源進行了整體建模計算分析和實驗研究,計算與實驗結果定性一致,但是由于模型忽略等離子體分布、磁化效應以及鞘層結構,計算與實驗結果存在差異。在輸入功率4～6 W的范圍內,水工質離子源的引出束流范圍為11～18 mA,相對誤差范
西北工業大學學報 2023年2期2023-05-12
- BNCT02加速器設計及離子源調試
共振（ECR）離子源、一臺射頻四極加速器（RFQ）及必要的束流傳輸線即可.束流整形體（BSA）的中子學計算表明，當RFQ的輸出能量約為2.8 MeV、束流功率為40 kW時，中子的通量便滿足BNCT治療的要求，此時所需要治療時間約為30 min［6］.2020年，中國科學院高能物理研究所完成了國內首臺基于加速器的BNCT實驗裝置BNCT01.BNCT01包含一臺加速器和一個固定的固態鋰靶，BNCT01加速器則由一臺75 kV的ECR離子源、一段長度約2.5
白城師范學院學報 2022年5期2022-12-06
- 微型電子回旋共振離子源的全局模型*
ce,ECR)離子源在緊湊型離子注入機、小型中子管、微型離子推進器等領域有著十分廣泛的應用.為了深入認識微型ECR 離子源的工作機理,本文以北京大學自主研制的一款微型氘離子源作為研究對象,以氫氣和氘氣放電形成的等離子體為例,發展了一種基于粒子平衡方程的全局模型.研究結果表明,該離子源束流成分與離子源的運行氣壓和微波功率有著很強的依賴關系.對于氫氣放電等離子體,微波功率低于100 W時,離子源可以分別在低氣壓和高氣壓情況下獲得離子比超過50%的離子束和離子束
物理學報 2022年14期2022-07-28
- 兆瓦級強流離子源長脈沖運行分析及實驗研究
1-3］。強流離子源主要用于產生高密度等離子體，并引出其中的離子形成具有一定束能量和光學特性的離子束，是中性束注入系統的核心部件。強流離子源能達到的參數基本決定了中性束注入系統的性能，為此首先需要實現強流離子源的長脈沖穩定運行。在強流離子源運行過程中，不可避免的出現加速器電極打火等故障態，從而中止離子源的運行。鑒于強流離子源在運行過程中容易出現打火的現象，開展了離子源打火的因素分析，研制了強流離子源打火再起的自調整技術，從而在離子源打火后經過毫秒量級的調整
核技術 2022年7期2022-07-22
- 2 cm 電子回旋共振離子源猝滅現象模擬*
.然而,在探究離子源推力下限的過程中發現,在極低功率(0.5 W)和極低流量(0.1 sccm,1 sccm=1 L/min)的極限工作狀態下,過度施加柵極電壓可能引發離子源猝滅.采用實驗手段對猝滅現象進行觀測的難度很大,一方面因為猝滅現象具有隨機性和瞬時性;另一方面,介入式診斷對弱放電水平的等離子體干擾很大,而光學診斷又有柵極系統阻擋.為此本文采用全粒子數值模型對離子源進行了一體化模擬,復現了猝滅現象.模擬結果表明,天線和放電室之間的雙極擴散是導致離子源
物理學報 2022年8期2022-04-27
- 含氘電極真空弧等離子體空間分布特性診斷研究*
化物電極真空弧離子源，搭建了一臺緊湊型磁分析裝置，用來研究放電等離子體中氘離子與金屬離子的空間分布.當離子源弧流為100 A 左右時，該裝置能有效地傳輸引出束流，并且具有較好的二次電子抑制效果，可準確獲得各離子流強.利用該裝置測量并獲得了氘化鈦含氘電極真空弧放電等離子體內氘離子和鈦離子空間分布規律，結果表明:徑向上，氘離子和鈦離子都呈高斯分布，但氘離子分布均勻，而鈦離子相對集中在軸線附近，導致軸線附近氘離子比例最低;軸向上，所有離子數量都以自然指數函數減少
物理學報 2022年4期2022-03-04
- 離子束刻蝕改善光通信濾光膜均勻性的研究
、聚焦型RF 離子源、14 點晶控探頭、TSL-550 可調諧激光光源及其配套的直接光控系統。根據電子束余弦蒸發理論，小平面蒸發源膜厚公式為［10］式中，m為蒸發材料的總質量，θ為鍍膜面法線與連接蒸發源和鍍膜表面的直線所構成的角度，φ為面源法線與連接蒸發源和鍍膜表面的直線所構成的角度，μ為蒸發材料密度，l為蒸發源與鍍膜面元之間的距離［10］。對于旋轉平面夾具，其幾何配置如圖2 所示，則各個量的幾何關系為圖2 旋轉平面夾具幾何配置Fig.2 Rotating
光子學報 2022年12期2022-02-15
- 離子注入機離子束生成系統的原理及維修
氣體供給系統、離子源、吸極、質量分析器、加速管、掃描系統和靶室，如圖1 所示。源氣體供給系統為離子源提供雜質源，離子源將雜質源電離形成等離子體從而產生所需的離子，吸極用于將正離子從等離子體中引出并加速，利用質量分析器對加速后的離子進行篩選，只有特定質荷比的離子可以通過，而后利用加速管對離子進行后加速，掃描系統用于將離子均勻地分布于晶片內，最后離子進入靶室完成晶片的離子注入。離子束生成系統包括源氣體供給系統、離子源、吸極及其相關的電源、控制電路等，是離子注入
電子工業專用設備 2021年6期2022-01-06
- 電過濾紙噴霧離子源的性能優化及應用研究
域[1-4]。離子源是質譜儀的關鍵組成部分，通過電離待測物質，使質量分析器根據質荷比區分帶電粒子，實現對不同物質的化學成分檢測。目前，應用較廣泛的傳統質譜離子源包括電子轟擊電離源(electron impact ionization, EI)、化學電離源(chemical ionization, CI)和電噴霧電離源(electrospray ionization, ESI)等。但這些離子源一般需要將分析物進行復雜的樣品前處理，不僅耗時耗力，而且無法滿足現
質譜學報 2021年4期2021-08-04
- 光學反射鏡組件離子束加工中的熱效應
影響，文章根據離子源的能量分布特點，建立了離子束加工過程中的動態熱傳輸模型；結合模型對駐留時間、束流分布參數、離子源功率產生的熱效應進行了靜態和動態分析；最后，在某直徑1 000mm非球面ULE玻璃材料反射鏡組件的加工中進行試驗，實測加工中的最高溫度為47.19℃，與理論值基本一致，滿足了膠層對溫度閾值70℃的需求。文章可為確定反射鏡組件的離子束加工工藝參數提供參考。光學反射鏡組件 熱傳輸模型 駐留時間 束流分布參數 離子源功率 空間相機0 引言隨著空間光
航天返回與遙感 2021年3期2021-07-19
- 工藝參數對硫化鋅薄膜光學性能和結晶特性的影響
道中均使用霍爾離子源或考夫曼離子源進行輔助沉積，而本文采用的APS 型高能離子源具有能量更大、束流更集中的特性。中科院光電技術研究所的艾萬君[21]、申林[22]、Zhang 等[23]采用APS離子源，研究了偏壓特性對HfO2、YF3薄膜特性的影響，并且比較了霍爾源和APS 源的技術特性，指出APS 源制備的薄膜吸收率更低。目前來看，國內采用APS 離子源研究硫化鋅薄膜性能的文章還未見報道，本文采用APS 離子源研究硫化鋅薄膜的性能變化具有一定的創新性。
表面技術 2021年6期2021-07-03
- 基于ASIPP NBI 射頻負氫離子源氣體流量控制設計
性束系統對強流離子源要求的提高,在最近幾十年的離子源研制過程中研制了多種類型的強流離子源。射頻驅動離子源具有壽命長、結構簡單、安裝維護方便、無電極污染、供電系統簡單、等離子體密度高、引出束流均勻易控制等優點,成為國內外聚變中性束注入系統用強流離子源研究的重要內容[1]。ITER 中性束在2007 年選用了基于射頻激勵放電的負離子源[2]。EAST(全超導托卡馬克核聚變實驗裝置)NBI 現有采用的熱陰極離子源由于陰極燈絲壽命短、有污染等缺點,不能滿足未來聚變
科學技術創新 2021年15期2021-06-25
- 2 cm 電子回旋共振離子推力器離子源中磁場對等離子體特性與壁面電流影響的數值模擬*
ECRIT)離子源內等離子體分布會影響束流引出, 而磁場結構決定的ECR 區與天線的相對位置共同影響了等離子體分布.在鞘層作用下, 等離子體中的離子或電子被加速對壁面產生濺射, 形成壁面離子或電子電流, 造成壁面磨損和等離子體損失, 因此研究壁面電流與等離子體特征十分重要.為此本文建立2 cm ECRIT 的粒子PIC/MCC (particle-in-cell with Monte Carlo collision)仿真模型, 數值模擬研究磁場結構對離子
物理學報 2021年7期2021-05-07
- 中國散裂中子源加速器前端運行及改進
面等離子體負氫離子源（IS）、一條長度為1.6 m 的低能束流傳輸線（LEBT）、一臺能量為3.0 MeV 的射頻四極加速器（RFQ）、一條長度約為3.0 m 的中能束流傳輸線（MEBT）、一臺能量為81 MeV 的漂移管直線加速器（DTL）及一條長度約為150 m的高能束流傳輸線（HEBT）組成.如圖1所示，加速器前端系統是指直線加速器的起始部分，包含負氫離子源、低能束流傳輸線、射頻四極加速器及中能傳輸線.作為直線加速器的起點，前端系統是CSNS 的重要
白城師范學院學報 2021年2期2021-05-06
- 氦質譜檢漏設備故障排除與維護保養
示，儀器內部的離子源電子經加速進入電離室,在電離室內與殘余氣體分子和經被檢件漏孔進入電離室的氦氣相互碰撞，使其電離成正離子，這些離子在加速電場作用下進入磁場，在洛倫茲力作用下產生偏轉，氦氣最終經過電離、加速、聚焦全部收集到接收極，在接收極上表現為微弱的電信號，再經過放大器進行信號放大，電路處理轉換，顯示出漏率；檢漏設備主要由機械泵、渦輪分子泵、質譜室及電子學控制模塊組成，機械泵主要用來維持分子泵工作時所需要的前級真空及對被檢件的預抽真空，渦輪分子泵則提供質
中國設備工程 2021年4期2021-03-03
- 基于脈沖頻率調節機制的離子源高壓脈沖電源
程度上充分滿足離子源的供電需求。關鍵詞： 高壓脈沖電源;離子源;脈沖電源中子發生器在具體的運行過程中，在很大程度上受到離子源性能的至關重要的直接影響，決定著它是采取持續性發射中子的方式，還是以脈沖的方式來發射中子，而針對離子源工作狀態而言，又在根本上取決于離子源結構、磁場強度、離子源內部壓力等相關方面的因素。離子源在不同的狀態下會呈現出不同的形式，例如，在直流狀態的工作形式，和脈沖狀態之下的工作形式是完全不同的，為了能夠在更大程度上確保電壓應用更安全穩定，
科技風 2020年23期2020-09-12
- 高氮含量金屬摻雜氮原子簇的液氮冷卻-激光濺射生成研究
計新型液氮冷卻離子源，對固相底物及激光濺射后生成的等離子體進行冷卻，以期抑制某些分解歷程，促進具有更高氮含量的摻雜氮原子簇的生成；進而分別研究了離子源改進前后鋰和鈉等堿金屬摻雜、以及釩和鉻等過渡金屬摻雜的氮原子簇的生成，比較了離子源對產物的影響，為亞穩態原子簇的研究探索新的方法。2 實驗部分2.1 試劑與儀器氯化鋰、氟化鋰、氮化鋰、氮化鋯、氮化鋁、氮化硼、氟化鈉、釩、鉻，分析純，美國百靈威科技有限公司。自制的激光濺射-飛行時間質譜儀，主要由Nd：YAG 激
含能材料 2020年7期2020-07-11
- MINItrace回旋加速器升級前后運行對比研究
定、爆靶故障及離子源短路時有發生。這些對PET-CT檢查的正常進行提出了非常嚴峻的挑戰。此外，病人對于醫院準時性、準確性等方面的要求不斷提高，放射性藥物供應的及時性和穩定性就尤為重要。本院于2018年4月對MINItrace型回旋加速器升級為Qilin型。本研究回顧性分析了升級前后回旋加速器的運行情況，以期為回旋加速器的系統升級提供客觀依據。1 對象與方法1.1 回旋加速器的原理與結構回旋加速器的原理是離子源氣體經電弧放電電離產生粒子束流，該粒子束流在直流
中國醫療器械雜志 2020年1期2020-02-24
- 磁路和天線位置對2cm電子回旋共振離子推力器性能影響的實驗研究*
比較不同磁路的離子源和中和器的束流引出特性,選出合理的磁路結構,再比較不同天線位置對束流引出的影響.歸納了磁路和天線位置對ECRIT的性能影響規律,得到合理的推力器結構.實驗結果表明：功率和流量的增加有助于提高離子引出束流和降低電子引出壓；保持天線空間位置不變,合理的磁路結構能增大電子獲能并減小粒子損失,從而提高引出離子束流并降低耦合電壓；在合理磁路結構條件下,離子源和中和器存在有利于離子引出和降低耦合電壓的合理天線位置.根據實驗結果選擇出結構較優的中和器
物理學報 2019年23期2019-12-16
- 化學反應在液相質譜測定的一些應用
I、DESI等離子源的開發，化合物在液相質譜的測定取得了巨大的發展。液相質譜能夠測定物質的首要條件是該物質能夠在離子源電離，但能夠電離的物質只占物質總數的極少量，眾多的化合物依然無法在離子源電離，導致其無法測定。難電離物質的測定，一直是質譜學最具挑戰性的課題之一?，F今解決難電離物質化合物測定的方法，一種是開發新的離子源，文獻報道已經超過100多種離子源得到開發，極大地豐富了檢測方法的開發。另一種方法是化學方法，最具有典型的例子，是衍生方法和原位化學反應測定
食品安全導刊 2019年23期2019-09-16
- 串列加速器358型雙等離子體離子源改進及性能研究
域的工作。由于離子源漏氣損壞，原裝的358型雙等離子體離子源在1989年退役[5]，之后一直采用860A濺射離子源。因濺射源引出束流強度有限，限制了GIC4117型串列加速器的應用，為進一步拓展其應用，2017年購置了HVE公司的358型雙等離子體離子源。由于僅購置離子源源體，HVE公司未提供燈絲涂覆材料和配套電源。因此在358型雙等離子體離子源調試和使用過程中，燈絲涂覆材料采用中國科學院電子學研究所提供的氧化物陰極涂料，離子源電源除弧壓電源采用新采購的國
原子能科學技術 2019年9期2019-09-14
- CSNS強流負氫離子源及其改進
主要設備有負氫離子源(IS)、低能傳輸段(LEBT，長度1.82 m)、射頻四級加速結構(RFQ，長度3.688 m)及中能傳輸段(MEBT，長度3.002 m)[3-4]。在目前加速器的運行中，前端系統提供的束流模式有1 Hz-100 μs(重復頻率為1 Hz，脈寬為100 μs)、5 Hz-100 μs、25 Hz-115 μs、25 Hz-250 μs及單脈沖。在供束期間，主要運行模式有25 Hz-115 μs，束流功率為20 kW；25 Hz-25
原子能科學技術 2019年9期2019-09-14
- 介質阻擋放電離子源的研究進展
：介質阻擋放電離子源在質譜分析領域具有廣泛應用。介質阻擋放電離子源的電極結構對離子源中放電區域以及等離子體束的長度有著密切的關聯。本文梳理了介質阻擋放電離子源的重要專利技術，并給出了技術發展路線圖。關鍵詞：介質阻擋放電;離子源;電極中圖分類號：O657.63 文獻標識碼：A 文章編號：1003-5168（2019）11-0128-03Abstract： Dielectric barrier discharge Ion sources （
河南科技 2019年11期2019-09-10
- 化學反應在液相質譜測定的一些應用
I、DESI等離子源的開發，化合物在液相質譜的測定取得了巨大的發展。液相質譜能夠測定物質的首要條件是該物質能夠在離子源電離，但能夠電離的物質只占物質總數的極少量，眾多的化合物依然無法在離子源電離，導致其無法測定。難電離物質的測定，一直是質譜學最具挑戰性的課題之一?，F今解決難電離物質化合物測定的方法，一種是開發新的離子源，文獻報道已經超過100多種離子源得到開發，極大地豐富了檢測方法的開發。另一種方法是化學方法，最具有典型的例子，是衍生方法和原位化學反應測定
食品安全導刊·中旬刊 2019年8期2019-09-10
- 同位素電磁分離器離子源控制系統的研制
對象主要包括：離子源系統、接收器系統、真空系統、冷卻系統、安全防護系統等。主要介紹同位素電磁分離器離子源控制系統。研制的新離子源控制系統通過計算機監測同位素電磁分離器離子源的運行參數，提供必要的連鎖保護功能，防止操作員的誤操作，根據模擬信號、開關量信號監測顯示報警狀態，定時記錄離子源系統的參數并打印。離子源控制系統中電源種類多，如何選取電源控制接口與控制系統連接，且要保證控制對象的響應時間和控制精度，對電源控制系統的結構和軟件設計提出了嚴峻的要求。在同位素
計算機測量與控制 2019年8期2019-08-29
- 離子源自動控制系統研制
針對中子發生器離子源的工作情況，設計一套離子源自動控制系統。自動控制系統選擇離子源電流、離子源電壓、電離腔外殼溫度及針閥相對位置作為控制數據采樣點;并將離子源電源輸出電壓大小、針閥開閉大小作為控制動作輸出點。根據控制點設計系統電路及控制流程、編寫軟件。自動控制系統除具有離子源的控制、離子源工作狀態參數存儲功能及LCD顯示與鍵盤輸入功能?！娟P鍵詞】中子發生器;離子源;自動控制系統;單片機中圖分類號： V439.2文獻標識碼： A 文章編號： 2095-245
科技視界 2019年18期2019-08-07
- 基于微機電系統技術的薄膜離子源制備與實驗研究
MS技術的薄膜離子源和扁平帶狀離子束引出的平面中子發生器結構，它改變了傳統中子發生器基于電真空技術封接及制備的設計理念，因此獲得了美國2012年R&D成就獎勵。在SNL實驗室定向研究與開發(LDRD)項目的持續性支持下，Elizondo-Decanini等在2015年后仍在改進研究這種芯片型中子發生器及薄膜離子源[9-10]，但對其薄膜離子源等關鍵部件的尺寸參數及制備工藝等未公開。2008年，美國勞倫斯-利弗莫爾國家實驗室(LLNL)的Falabella等
原子能科學技術 2019年7期2019-07-15
- 醫用回旋加速器系統維護與保養策略分析探討
細分為靶系統、離子源系統、真空系統、水冷系統、射頻系統、磁場系統、萃取系統、診斷系統和自屏蔽系統；設備運行過程中涉及作為離子源氣體的氫氣、傳送靶水和冷卻用的氦氣等；設備各個系統正常運行需要復雜精密的電子控制柜以及射頻高壓電路等正常工作，因此日常維護和保養對于保證回旋加速器的正常運行十分重要。1.1 機房的溫度和濕度要求日常維護最基本的一項工作是保持機房的溫度和濕度在合適的范圍內，溫度保持在20℃～22℃，相對濕度保持在50%～55%，合適的溫濕度環境可使電
中國醫療設備 2019年2期2019-02-23
- 淺析中子管離子源高壓脈沖電源
子管檢測系統對離子源的供電需求。關鍵詞：高壓脈沖電源;中子;離子源;脈沖電源中圖分類號：TL822? ? ? ? 文獻標志碼：A中子發生器可以持續性發射中子，還可以以脈沖的方式發射中子并且深受離子源性能的影響，而離子源的工作狀態深受離子源結構、磁場強度、陽極電壓大小以及離子源內部壓力大小的影響。同時，離子源在直流狀態和脈沖狀態下的工作形式不同，為了能夠增強電壓使用的安全性和穩定性，需要相關人員就脈沖狀態下的離子源特點進行深入的研究。1 高壓脈沖電源的系統結
中國新技術新產品 2019年23期2019-01-20
- 正余弦n倍角公式及其應用
題.MS條件：離子源溫度為200 ℃，電子電離離子源；電子能量為70 eV，燈絲電流為150 μA，掃描質量范圍 33～450 m/z。=[z2n-1(z2-1)2+z2n-3(z4-1)2+z2n-5(z6-1)2+…+z(z2n-1)2]/4=[(z2n+3-2z2n+1+z2n-1)+(z2n+5-2z2n+1+z2n-3)+…+(z4n+1-2z2n+1+z)]/4用2n+1代替n得
數理化解題研究 2018年19期2018-08-15
- 數控脈沖中子發生器的設計*
構包括存儲器、離子源、加速極(靶極)。中子管工作原理是通過給存儲器內部燈絲通電加熱，使其釋放出D-T氣體，施加2 kV的離子源高壓使D-T氣體電離，再通過加速極(靶極)施加100 kV高壓，使電離的離子轟擊在靶上，從而產生中子。圖1 中子管結構示意由于中子產額及穩定性由存儲器施加電壓釋放的D-T氣體、離子源高壓、加速極(靶極)高壓三者共同決定，因此要求中子發生器的電源控制輸出可控，并能穩定控制不同電源的輸出。2 數控脈沖中子發生器中子發生器由中子發生器短節
現代礦業 2018年4期2018-05-09
- 《敞開式大氣壓質譜離子源通用技術規范》擬立項
開式大氣壓質譜離子源通用技術規范》。項目申報單位：寧波華儀寧創智能科技有限公司，東華理工大學。CIS標準項目公示表中給出了該標準制定的目的、意義及必要性：具高靈敏度和高特異性的質譜分析儀是目前業內最權威的定性定量分析工具，其中離子源是整個質譜儀的核心。近年來，敞開式大氣壓離子化技術是離子源領域的一場新革命，具有樣品用量少、分析速度快、支持實時原位檢測、檢測成本低等優點，實現了質譜技術在現場高通量分析中的應用，是緝毒查毒、公共安全、食品安全、藥物分析等領域強
分析測試學報 2018年12期2018-04-01
- Eclipse HP型回旋加速器常見故障分析
?；匦铀倨?；離子源；FDG；故障分析正電子藥物是正電子發射計算機斷層掃描儀（PET/CT）必不可少的顯像劑，其中以18F-FDG顯像劑最為重要。18F-FDG全名氟代脫氧葡萄糖，通常稱為FDG，因為FDG可準確反映體內器官組織的葡萄糖代謝水平，被稱為世紀分子，由回旋加速器和化學合成模塊經物理化學反應合成[1]。目前生產回旋加速器的廠家主要有日本住友公司、荷蘭飛利浦公司、美國GE公司，德國西門子公司等?，F以我院購進的德國西門子公司Eclipse HP 型回
臨床醫藥文獻雜志(電子版) 2017年62期2017-12-18
- EAST-NBI 離子源電極打火分析及處理
ST-NBI 離子源電極打火分析及處理許永建1張 黎1,2謝亞紅1蔣才超1,2梁立振1胡純棟11（中國科學院等離子體物理研究所 合肥 230031）2（中國科學技術大學 合肥 230026）強流離子源是 EAST (Experimental Advanced Superconducting Tokamak)中性束注入器(Neutral Beam Injector, NBI)最關鍵的核心部件，其能達到的性能在很大程度上決定了EAST中性束注入器所能達到的指標
核技術 2017年11期2017-11-21
- 利用質譜嗅覺離子源評價白酒
司利用質譜嗅覺離子源評價白酒□ 駱東梅 朱建雄 廣東聯捷生物科技有限公司本文介紹一種采用質譜新型嗅覺離子源對白酒快速分析的方法，新方法應用推廣必將產生和積累質譜指紋圖譜。一個較完整的白酒指紋圖譜數據庫將使制酒過程實現數據化的質量控制，檢測自動化出廠勾兌以及標準化酒品定位（包括假酒甄別）。白酒篇：白酒、嗅覺離子源、質譜快速分析、質量定位1 概述盡管高科技發展日新月異，但制酒從發酵進程到出廠勾兌直至酒品定位幾乎完全依賴品酒師的味覺與嗅覺判斷，近年來也有很多研究
食品安全導刊 2017年21期2017-09-03
- SiC高溫高能離子注入機的離子源熱場研究
能離子注入機的離子源熱場研究彭立波，張 賽，易文杰，羅才旺，孫雪平(中國電子科技集團公司第四十八研究所，湖南 長沙 410111)高溫高能離子注入機是寬禁帶半導體SiC產業的關鍵設備，離子源直接影響整機的性能指標。為保證離子源的長壽命和大束流，針對SiC高溫高能離子注入機中的離子源熱場問題，采用仿真軟件對燈絲、陰極帽和AlX罩的熱場、熱變形進行了研究，提出了離子源運用過程中的注意事項及改進設計。碳化硅（SiC）；離子注入機；離子源SiC（碳化硅）作為一種寬
電子工業專用設備 2017年3期2017-07-31
- 色譜—質譜聯用技術及其在衛生理化檢驗標準中的應用
檢驗；質譜儀；離子源色譜法是一種有效分離分析技術，特別適合于進行有機化合物的定量分析，但定性分析則比較困難；質譜是強有力的結構解析工具，特異性和靈敏度都較高，但在復雜有機化合物的分析上就會顯得比較無能為力。將這兩者進行聯用是當前最為重要的分離和鑒定分析方法，能夠大大提高分析儀器的性能，擴大了應用范圍。1 色譜-質譜聯用技術的種類和發展歷史色譜-質譜聯用技術是一種以色譜為分離手段，質譜為檢測器的檢驗方式，在衛生理化檢驗中應用較廣泛的為液相色譜-質譜聯用（LC
醫學信息 2017年3期2017-02-22
- 單電極介質阻擋放電離子源研究
極介質阻擋放電離子源研究寧錄勝1徐 明1郭成安2趙 鵬*1聞路紅1張新榮21 （寧波大學高等技術研究院，寧波 315211）2（清華大學化學系，北京 100084）介質阻擋放電離子源是一種常壓敞開式離子源，由于免試劑、適用范圍廣、易于小型化等特點而備受關注。該類離子源多采用表面雙電極或針-環電極設計方式。表面雙電極的接地電極會減弱氦氣在強電場中電離形成的流注崩頭能量，縮短等離子束噴射距離。針-環電極的電場主要集中在針電極尖端，流注崩頭能量小，等離子束噴射距
分析化學 2016年2期2016-11-01
- MAT253氣體質譜儀離子源系統故障排除
53氣體質譜儀離子源系統故障排除尹旻1劉文貴2*(1.湖南省婁底市第三中學，婁底 417000；2.中國地質大學(武漢)地質過程與礦產資源國家重點實驗室，武漢 430074)摘要：MAT253氣體質譜儀出現10kV高壓無輸出故障，但高壓單元本身正常，本文分析了故障產生的原因。關鍵詞：MAT253氣體質譜儀 同位素離子源系統高壓單元MAT253是高精度(優于0.0005%)氣體同位素質譜儀，可測量CO2、N2、O2、N2O、SO2、SiF4、SF6等氣體中的
分析儀器 2016年1期2016-03-04
- 基于無網格離子鏡的新型超高分辨率多反射高靈敏度飛行時間質譜分析儀研發技術
進一步拓寬不同離子源設備的頻譜范圍發揮基礎作用。未來，應用這種新一代離子光學元器件能夠建立新型的多反射質譜儀，這種儀器的分辨率可達到目前的最高水平，100000-200000，甚至更高。目前這種基于新型離子鏡的飛行時間多反射質量分析儀的優化設計已經完成，包括具有高水平的離子飛行時間記錄功能的無網格離子鏡、電子噴霧型離子源、從離子源到多反射分析其之間的真空充氣離子接口等的設計。具有相關的設計文檔，已經完成專利檢索。該技術具有專利，外方希望進行技術轉讓。
電腦與電信 2015年10期2015-03-24
- 大連化物所超高靈敏離子遷移譜研究取得新進展
這種工作模式對離子源所產生離子的利用效率極低，僅為1%，不利于離子遷移譜靈敏度的進一步提高。為了提高對離子源中離子的利用效率，研究人員在離子源和離子門之間的電極上施加一個與離子門開門脈沖同步的高壓脈沖。在離子門開啟的時間間隔內，該高壓脈沖將電離區的電場強度快速提高10到20倍，驅動其間的離子全部通過離子門進入到離子遷移管中。實驗結果顯示，該技術可以在保證離子遷移譜原有分辨能力的前提下，將離子源中離子的利用效率由原來的1%提高到20%左右，極大地提高靈敏度。
化學分析計量 2015年5期2015-03-23
- 基于無網格離子鏡的新型超高分辨率多反射高靈敏度飛行時間質譜分析儀研發技術
進一步拓寬不同離子源設備的頻譜范圍發揮基礎作用。未來，應用這種新一代離子光學元器件能夠建立新型的多反射質譜儀，這種儀器的分辨率可達到目前的最高水平，100000-200000，甚至更高。目前這種基于新型離子鏡的飛行時間多反射質量分析儀的優化設計已經完成，包括具有高水平的離子飛行時間記錄功能的無網格離子鏡、電子噴霧型離子源、從離子源到多反射分析其之間的真空充氣離子接口等的設計。具有相關的設計文檔，已經完成專利檢索。該技術具有專利，外方希望進行技術轉讓。
電腦與電信 2015年11期2015-03-23
- SSC-LINAC離子源氣閥控制系統設計
研究所擁有超導離子源（SECRAL）、常規離子源、全永磁ECR 離子源等眾多離子源。在這些既有的離子源基礎上，該所利用蒸發冷卻技術，并結合其他ECR 離子源的最新關鍵技術，研制成功了世界上第一臺利用蒸發冷卻技術的常溫ECR 離子源LECR4（SSC-LINAC離子源）。許多元素組成的單質在自然界中以氣態形式存在，使用時一般都將其存放在儲氣瓶中，在調束時經由氣閥送入弧腔，在經過微波作用后方可獲得這類元素離子，因此離子源的氣閥是非常關鍵的工作氣體控制組件。氣閥
原子能科學技術 2015年2期2015-03-20
- EAST NBI強流離子源反向電子流沉積計算
31）1 強流離子源反向電子的產生強流離子源引出系統的冷卻換熱過程已有相關的研究［1-2］。反向電子的產生只發生在強流離子源束引出過程中，離子源束經過縫型引出系統時會與引出電極和從離子源弧室擴散到引出系統的中性氣體分子發生碰撞，產生電子。強流離子源反向電子產生過程如圖1［3］所示。反向電子的來源主要有以下4個途徑：一是初始離子束電離加速電極間隙中的本底氣體產生的；二是初始離子束中異常軌道的離子打到梯度電極、抑制電極和地電極上產生的；三是中性化室內離子被反向
原子能科學技術 2015年2期2015-03-20
- Changes in feed intake,nutrient digestion,plasma metabolites,and oxidative stress parameters in dairy cows with subacute ruminal acidosis and its regulation with pelleted beet pulp
量70 eV；離子源溫度200℃，四級桿溫度150℃，質量數掃描范圍35～350 amu。Low ruminal pH was observed in cows fed the W20 diet; the minimum ruminal pH was around 5.4,which was consistent with SARA[1].SARA induced by increasing the levels of starch and reducin
Journal of Animal Science and Biotechnology 2014年1期2014-03-25
- 用于補償中子孔隙度測井的可控中子源技術
Penning離子源。Penning離子源的單原子離子產量較低（＜10%），因此美國Sandia國家實驗室（Sandia National Laboratoires）開發了一種單原子氘離子產量大于90%的離子源。這種離子源也利用了D－D中子的方向性和脈沖模式的工作方式，使離子源在相同的輸入功率下達到所要求的中子產額?，F正在研發一種現場發射型離子源，使中子發生器的體積更小、功率更低且可獲得更高的中子產額。由于超短RF（射頻）離子源或微波電荷離子源可以產生所需
測井技術 2013年1期2013-08-15
- 離子束刻蝕設備中離子源故障診斷和維修
加工的目的。由離子源讓惰性氣體離子化，由負極引出陽離子，經過加速，集束，最后射入工件表面。離子束加工主要有3個應用領域：離子濺射、電鍍；離子刻蝕；離子注入。此外在光刻工藝中也有應用，如離子束曝光。離子束加工是一種非接觸精密加工技術，真空環境下，無污染，不氧化。它需要一套離子源和真空系統[1]。離子束加工設備中的核心部件是離子源，本文以EVATEC的離子銑（離子束刻蝕）BAK641為例，介紹VECOO直流柵極離子源及其電源MPS5001的結構和原理特點，結合
電子工業專用設備 2013年5期2013-08-09
- 基于鐵電陰極材料離子源的結構設計*
譜儀的核心部件離子源需要擁有自主的知識產權和明顯的創新性，才能使我國在此領域占有一席之地。離子源被譽為質譜儀的心臟，其作用有兩個方面:將被分析的樣品電離成正離子或負離子;通過引出、加速和聚焦把樣品離子傳輸到質量分析器。離子源的類型不同，適用的樣品也不一樣。筆者選擇離子源的類型是電子電離源(EI源)，基于其可以分析所有的氣體、并且離子流穩定度高、便于調節離子能量、離子能散小等優點。鐵電陰極電子發射是要有在外界激勵作用下，例如:力、熱、光、電等，鐵電材料表面產
機械研究與應用 2013年2期2013-06-16
- 淺析強流離子源四電極引出系統的離子透鏡
注入建立在強流離子源的基礎上，隨著NBI的發展，要求離子源可產生強流、高密度、均勻的等離子體，并可準穩態運行.為了獲得強束流的離子束，需要大面積的多電極引出系統.對于正離子源，一般束能量在100KeV以下，因為再高的能量會導致中性化效率急劇的降低.其多電極系統包括三電極、四電極和更高電極.一般使用三電極和四電極，電極級數增加會因為總長度的過長使電荷交換損失和電極負載過大.一般而言，三電極系統多用于束能量小于60KeV的情況，四電極系統多用于束能量大于60K
棗莊學院學報 2012年5期2012-11-20
- 同軸式電化學電噴霧質譜離子源研究蒽電化學衍生十二胺
凌 星 丁傳凡(復旦大學化學系,上海200433)1 IntroductionElectrospray mass spectrometry is an indispensable tool for studying organic and biological samples.1It has been successfully integrated with other methods,such as liquid chromatography,2capi
物理化學學報 2012年11期2012-03-06
- 醫用回旋加速器原理、生產核素過程及一例常見故障排除
躍沖；其二是從離子源中拉出離子。③離子源系統：產生需要加速的帶電粒子；由離子源、離子源電源和氣體管理系統組成。④束流提取系統：該系統直接將加速的帶電粒子從真空腔中引出。⑤束流診斷系統：為了控制從離子源到靶的束流，診斷系統監測在回旋加速器和靶系統間不同位置時的束流。⑥靶系統：可包含多個靶位，如氟-18靶(液體靶)、碳-11靶(氣體靶)、氮-13靶(液體靶)、氧-15靶(氣體靶)。⑦真空系統：真空系統主要在真空腔內建立離子加速所需要的真空壓力水平，以降低束流的
中國療養醫學 2012年2期2012-01-15
- EAST強流離子源電源系統的初步測試運行
器的兆瓦級強流離子源樣機，已完成研制及整機裝配，并在一臺小型真空平臺上開展了離子源真空檢測、冷卻水壓力測試、電源系統整體測試，以獲取首次離子源起弧放電的實驗結果。EAST裝置設計要求的第一條NBI加熱束線，需安裝兩臺強流離子源，運行條件為注入中性束功率4 MW、能量50–80 keV、束流60 A。為測試和鍛煉此類大功率離子源的整體性能，國內外NBI實驗室都建立了專用的強流離子源綜合測試臺[1–3]。具有類似實驗功能的EAST NBI綜合測試臺正在建設中，
核技術 2011年11期2011-06-30
- 電子轟擊型離子源中抑制H3+的幾點思考
4)電子轟擊型離子源中抑制H3+的幾點思考李雪松,韋冠一,翟利華,張子斌,徐宗浩(西北核技術研究所,陜西西安 710024)分析了在電子轟擊型(EI)離子源中,磁場、進樣量、陰極電流和陰極電壓等4種主要儀器設備條件對產生 H3+的影響,在實驗中得到較好的驗證,并得到 H3+在4種條件下的基本影響趨勢。本研究對使用低分辨率質譜計分析天然氫同位素時,EI離子源參數的調節和進樣量的選取具有指導意義。低分辨率質譜計;電子轟擊型離子源;H3+;氫同位素使用低分辨率質
質譜學報 2011年2期2011-02-02
- 回旋加速器離子源故障分析
系統主要包括∶離子源系統、射頻系統、磁場系統、真空系統、束流診斷系統、萃取系統、靶系統、冷卻系統(包括水冷和氦冷)、控制系統、屏蔽等[1]。對回旋加速器在使用過程中的問題，不斷摸索并總結了一些經驗，就回旋加速器離子源出現過的故障進行了分析，并加以排除。2 回旋加速器故障分析2.1 故障現象工作束流不能加到35 μA。在使用回旋加速器半年左右，由于當日患者量比較多，希望通過加大束流多生產一些18F離子，在加大工作束流到30 μA時，觀察system stat
中國醫學裝備 2011年12期2011-01-31