本征
- (AlxGa1-x)2O3結構、電子和光學性質的第一性原理研究
性原理計算研究了本征缺陷對(AlxGa1-x)2O3電子和光學性質的影響。遺憾的是,該工作并未涉及Al濃度對結構和性能的影響研究,而Al摻雜濃度對于探究β-Ga2O3帶隙變化原理至關重要。最近,Mondal等[15]從理論上確定了Ca摻雜α-Ga2O3的微弱p型電導率,為克服制備p型Ga2O3所面臨的困難提供了新思路。然而,關于Al濃度與(AlxGa1-x)2O3性質之間的關系,尚缺乏深入研究。2014年,鄭樹文等[16]采用第一性原理方法分析了Al摻雜對
人工晶體學報 2023年9期2023-09-22
- Mn，Fe，Co摻雜GaAs電子結構與光學性質的第一性原理研究
研究時加入雜質在本征材料中，摻雜材料相較于本征材料而言，性能將得到一定程度的改善[4,5].就目前而言，未摻雜的GaAs性質有著諸多局限性，如對紅外光的吸收率普遍較低，與熱輻射器不能有效的相適應以及實際轉換效率不高等問題[6-8]. 一些科研工作者對未摻雜和摻雜的GaAs化合物進行了理論和實驗研究. 如Arabi等[9]利用第一性原理計算了四種結構(zinc-blende，sc16，cinnabar和Cmcm)的GaAs半導體材料的晶格常數、體積模量等.
原子與分子物理學報 2022年1期2022-12-07
- Generative Adversarial Network Based Heuristics for Sampling-Based Path Planning
布的旋轉和SPP本征模表達式出發推導出幾何相位.上述波導中的n階SPP場量都具有如下形式：Fig. 4. The detailed structure of GAN model for promising region generation.B. Evaluation MethodsWe evaluate our model from two aspects. As an image generation problem, we evaluate the
- 深入理解VLAN 工作機制
標簽的報文，打上本征 VLAN ID。對帶VLAN 標簽的報文，當VLAN ID 在接口允許通過的VLAN ID列表里時，接收該報文。發送報文：當VLAN ID 與本征VLAN ID 相同，且是該接口允許通過的VLAN ID 時，去掉VLAN 標簽并發送該報文；當VLAN ID與本征VLAN ID 不同，且是該接口允許通過的VLAN ID 時，保持原有VLAN 標簽，發送該報文。因為PC0 和PC2 之間需要通過trunk 鏈路，所以數據被打上PC0所接入
網絡安全技術與應用 2022年9期2022-10-14
- 直鏈和單環共軛多烯本征行列式遞推公式及本征能級的推導
鏈共扼多烯和輪烯本征多項式的一般表達式，找到了分子整體與其片段之間的分子圖形和本征多項式的對應關系，獲得了求解高階久期行列式方法。由于唐-江方法涉及較多的群論、圖論等數學知識，在本科教學中通常僅給出本征行列式的遞推公式[4-7]，但教學過程中發現學生對公式表示難于理解，期望明白公式的來源。本文在早期工作的基礎上[8-11]，用數學歸納法系統地對直鏈和單環共軛多烯本征多項式的遞推公式及其三角函數表達式進行了重新推導，校正了一些常見的表達錯誤，推導過程僅需要初
大學化學 2022年7期2022-09-03
- 基于AKPCA 算法的井下WLAN 位置指紋定位
算法的關鍵環節是本征維數的計算與確定，本征維數選取的恰當與否直接決定了位置指紋定位系統的定位精度。 目前，對于本征維數的計算主要通過最大似然估計獲得。 這一方式雖然計算效率高且無需準備大量經驗數據，但由于該方法中的本征維數大小主要依賴于以數據中心點為半徑的球形覆蓋范圍內近鄰數據點固定個數L的取值，而L的取值又和井下定位巷道結構有一定的關系。 聚類劃分后的位置指紋數據庫被分為多個由不同巷道結構的參考點的位置指紋樣本組成的子位置指紋圖，如果此時設定相同的L，這
煤炭科學技術 2022年3期2022-04-29
- 基于第一性原理計算的ΙA族元素摻雜p型ZnO光電學特性研究*
第一性原理研究了本征ZnO和Li-N、Li-2N 共摻ZnO的電子結構, 發現共摻對載流子濃度提高很大，而對光學性質影響不大。然而，從理論上對于ⅠA族元素摻雜形成的p型ZnO光電學性質進行比較的相關研究并不多。本文利用第一性原理研究了Li、Na、K摻雜ZnO的光電學性質，對實現ZnO的p型轉化具有一定的意義。1 模型及計算方法常溫常壓下，理想ZnO晶體結構是空間群為P63mc的六方纖鋅礦結構，ZnO原胞模型中包含兩個Zn原子和兩個O原子，實驗晶格常數為a=
功能材料 2022年2期2022-03-14
- Cu-N共摻β-Ga2O3的光電性質的第一性原理計算
所知，目前雖然對本征β-Ga2O3以及Mn、Ti等原子摻雜后β-Ga2O3體系的電子結構以及光學性質等物理特性已進行了相關的研究[10-13]，但對于Cu-N(N3-的離子半徑與O2-相接近，是β-Ga2O3中很有前途的p型摻雜劑)共摻對β-Ga2O3的光學性質的研究目前還未被報道[14].因此本文利用第一性原理對本征β-Ga2O3以及Cu-N共摻后β-Ga2O3的晶格常數以及光電性質進行了相應的計算與研究，為后續的理論研究以及實驗制備提供一定的理論參考.
原子與分子物理學報 2022年2期2022-03-04
- 含缺陷的二維CuI光電性質的第一性原理計算
計算上還未有人對本征CuI單層進行理論計算，為進一步探究二維CuI的基本物性，因此展開對二維CuI光電特性的研究顯得尤為重要. 此外，由于γ-CuI在制備的過程中會不可避免的出現本征缺陷，進而影響材料的性能，因此探究本征缺陷對二維CuI的結構、光電特性的影響極具研究意義. 因此本文利用第一性原理計算并分析了本征缺陷對二維CuI的光電特性，為實驗上進一步探究2Dγ-CuI提供一定的理論參考.2 計算模型與方法體相γ-CuI屬于閃鋅礦結構，其晶格常數為:a=b
原子與分子物理學報 2022年3期2022-03-04
- 面向本征圖像分解的高質量渲染數據集與非局部卷積網絡
級視覺問題，稱為本征圖像分解，該問題由Barrow和Tenebaum(1978)首次定義。在理想的漫反射環境中，一幅輸入圖像的每個像素可以分解為反照率和亮度的乘積。由于未知量的數目是已知量的兩倍，從單個輸入圖像恢復場景的反照率成分和亮度成分是高度不適定的。但由于其巨大的應用潛力，這項任務一直受到學者們的廣泛關注。之前的工作提出了各種基于先驗和統計的模型，包括Retinex模型(Land和McCann，1971)、非局部紋理線索(Zhao等，2012)和全局
中國圖象圖形學報 2022年2期2022-02-28
- Be, Si 摻雜調控GaAs 納米線結構相變及光學特性*
的生長方式制備了本征、Si 摻雜和Be 摻雜GaAs 納米線, 對其結構和光學特性進行分析. Raman 光譜顯示本征GaAs 納米線存在一個明顯的WZ 結構特有的E2 模式峰, 摻雜GaAs 納米線的E2 模式峰明顯減弱甚至消失. GaAs 納米線的高分辨透射電鏡(highresolution transmission electron microscope,HRTEM)及選區電子衍射(selected area electron diffraction
物理學報 2021年20期2021-12-23
- 扭轉變形對摻金黑磷烯電子結構和光學性質的影響*
響.研究發現,與本征黑磷烯受扭體系相比,摻金黑磷烯體系的電子結構對扭轉變形的敏感度提高.能帶結構分析發現,本征黑磷烯是直接帶隙半導體,金摻雜后,可實現其從半導體到金屬的轉變.摻金黑磷烯體系扭轉1°后,帶隙被打開,成為間接帶隙半導體.隨著扭轉角的增加,本征黑磷烯體系的帶隙增長緩慢,而摻金黑磷烯體系的帶隙呈先減小后增加,再減小的趨勢.從態密度分析發現,扭轉角為0°—5°時,本征黑磷烯體系具有很強的sp 軌道雜化,s 軌道和p 軌道對導帶和價帶均有貢獻,但p 軌
物理學報 2021年22期2021-12-09
- 基于APDL 語言的本征應變法重構激光沖擊強化后的殘余應力場
種應變被稱之為“本征應變”或“固有應變”，是固體內部所有非彈性不可恢復應變的加和。Korsunsky 等[14]在此基礎上提出本征應變的“可轉移性”， 指出固體中的本征應變分布對于幾何變化的敏感性要遠小于對加工過程中參數變化的敏感性，即在保持加工參數不變的情況下，在簡單幾何體中得到的本征應變分布規律也適用于復雜幾何體中，并根據本征應變分布重構了平板對接焊后的殘余應力場，結果驗證了“可轉移性”的猜想。劉川等[15-16]使用本征應變法重構了攪拌摩擦焊后的鋁合
電加工與模具 2021年5期2021-11-05
- Sc、Ce摻雜CrSi2的電子結構與光學性質的第一性原理
一性原理研究表明本征CrSi2是間接帶隙半導體，能帶計算結果為0.38 eV，La摻雜后帶隙變為0.07 eV，摻雜后CrSi2的靜態介電常數虛部介電峰向低能方向偏移且增強,光學吸收邊向低能方向移動,吸收峰減小。據以往研究，摻雜Sc元素能有效提高材料的熱電性質、光學性質和電導率[16-18]，Ce元素的引入能調控材料的磁學性質和導電性質[19-21]。本文采用基于密度泛函理論的第一性原理贗勢平面波方法對Sc、Ce單摻、共摻CrSi2的幾何結構、能帶結構、態
人工晶體學報 2021年8期2021-09-22
- 隨機勢場對氫原子能量本征問題的影響
程得到體系的能量本征值及其對應的本征波函數,進而了解該系統中粒子的能量狀態。但是大部分定態薛定諤方程無法精確求解,例如考慮外部干擾情形下的氫原子系統中電子的能量本征問題,數值解法的運用就顯得十分重要。近年來,研究人員采用數值解法已求解了若干種外界影響下氫原子中電子的能級。其中,具有局部控制能力的B樣條插值方法,通過調節其節點分布不但可以減少B樣條基組數量,減少計算量,還可以設置重節點解決原子計算中遇到的奇點問題。作為一種強有力的數值解法,B樣條插值方法一直
量子電子學報 2021年4期2021-08-17
- 基于深度學習的圖像本征屬性預測方法綜述
于深度學習的圖像本征屬性預測方法綜述沙 浩1，劉 越1,2(1. 北京理工大學光電學院，北京 100081；2. 北京電影學院未來影像高精尖創新中心，北京 100088)真實世界的外觀主要取決于場景內對象的幾何形狀、表面材質及光照的方向和強度等圖像的本征屬性。通過二維圖像預測本征屬性是計算機視覺和圖形學中的經典問題，對于圖像三維重建、增強現實等應用具有重要意義。然而二維圖像的本征屬性預測是一個高維的、不適定的逆向問題，通過傳統算法無法得到理想結果。針對近年
圖學學報 2021年3期2021-07-12
- 再談“PT 對稱的非厄米體系的能譜性質”
是因為厄米算符的本征值為實數, 是可觀測量. 而且量子態在厄米哈密頓量中隨時間的演化是幺正變換, 保證幾率守恒律[1], 然而對于PT對稱(宇稱-時間反演對稱)的非厄米系統也可以具有實數本征譜[2]. 文獻[3]基于PT對稱的一維緊束縛模型討論了體系虛數勢能對其能譜的影響, 但文章只討論了偶數格點系統能譜變化的特點. 本文在文獻[3]的基礎上, 對PT 對稱的非厄米體系的能譜性質重新進行了討論.1 PT對稱的非厄米模型為了文章的完整性, 我們從文獻[3]建
大學物理 2021年5期2021-04-27
- 物理氣相沉積銅膜本征應力形成機制及影響因素研究進展
中，Cu膜會形成本征應力，導致Cu膜彎曲變形，這不利于后期對Cu膜的高精度加工和高可靠應用，在本征應力非常高的情況下，甚至會導致Cu膜開裂和脫落[5-8]。用PVD制備Cu膜的本征應力類型和高低隨膜厚呈現出一定規律的變化[9-11]，本征應力會受到鍍膜方法[12]、基底狀態[13-14]、鍍膜工藝參數[15-17]等的顯著影響?？蒲腥藛T研究了Cu膜本征應力的形成機制、演變規律和影響因素，為降低或消除Cu膜本征應力提供了理論依據和技術途徑。本文根據近幾年用P
真空與低溫 2021年2期2021-03-29
- 任意形狀熱夾雜位移場的三角形單元離散算法1)
彈性應變統稱為“本征應變”.如果本征應變只存在于基體的某局部區域,力學家Eshelby[3]將該區域命名為“夾雜”.Eshelby 夾雜問題[4]是固體力學中的一個經典課題,我國力學工作者在夾雜及其相關問題上的研究也取得豐碩成果[5-10].夾雜問題在固體力學及材料科學領域具有廣泛應用.在真實的工程零部件材料中,夾雜形狀各異,不規則形狀夾雜的解析解通常不易獲得.1961 年Eshelby[3]完成了無限大基體材料中橢球夾雜問題的開創性工作,并提出經典的Es
力學學報 2021年1期2021-03-24
- 一種適用于毫米波的InP HBT小信號模型與參數提取方法
器件的寄生參數和本征參數,但小信號模型適用的頻率范圍為250 MHz～65 GHz。文獻[8]中李歐鵬等采用電磁仿真(EM)方法提取了InP HBT器件寄生參數,適用頻率為0～325 GHz,但該方法實現復雜且不能對本征參數進行提取。文獻[9]中Weimann等簡化了EM方法并提取了寄生參數,但是同樣缺乏對本征參數的提取和分析。綜上所述,目前缺乏一種簡單、高效且適用于毫米波頻段的InP HBT寄生參數和本征參數的提取分析方法。為了解決上述問題,作者通過器件
電子元件與材料 2021年1期2021-02-05
- 基于經驗模態分解的粒子圖像測速流場重構研究
琪等基于速度場的本征正交分解后處理技術,通過迭代方法有效地實現了錯誤數據的識別與修復[8]。吳龍華等在對人腦判別PIV錯誤數據方式進行模擬的基礎上,建立了可以進行準確錯誤數據識別的多證據推理Hopfield神經網絡模型[9]。王晉軍等引入不可壓縮連續性方程對PIV測得的流場數據進行后處理,使得修正后的流場嚴格滿足差分形式的連續性方程,實現了流場數據的準確修正[10]。阮曉東等采用Delaunay網格技術建立了基于流體連續性假設的自動檢測PIV數據中錯誤數據
西安交通大學學報 2021年1期2021-02-01
- 本征邊界積分方程法模擬含流體粒子固體的性能
by 等效夾雜和本征應變解的各種理論分析[7-8]和數值計算[9]的研究. 在各種物理問題中， 本征應變解可適用于非協調熱應變、相變、塑性應變以及殘余應力的固有應變[10]等問題. 通過對Eshelby等效夾雜物的替換， 本征應變還可用來處理固體基體中的異質體如夾雜粒子、孔洞[11]等問題. Eshelby 等效夾雜理論在材料科學、力學、物理、工程等問題中均有廣泛的應用. 近年來， 通過將邊界積分方程與Eshelby 等效夾雜理論相結合， 已有研究者提出了
上海大學學報（自然科學版） 2020年5期2020-12-10
- 升降算符在一維諧振子能級討論中的應用
(10)2 能量本征值的推導(11)(12)(13)(14)(15)取本征矢|E′〉，并將其被算式(15)作用易得(16)E′，E′-?ω，E′-2?ω，…(17)對于基態的能量，根據式(10)(18)易得E0=?ω/2(19)根據式(8)和式(10)可得(20)(21)E′，E′+?ω，E′+2?ω，…(22)另外，由式(6)可以對式(10)做進一步的處理為(23)(24)3 能量本征波函數的推導設諧振子基態波函數為ψ0(x)，由于(25)根據式(3)和
商丘師范學院學報 2020年12期2020-11-10
- 鐵（211）薄膜的反?；魻栃?/a>
三項電導率分別是本征貢獻（σint）、非本征的 skew scattering 貢獻（σsk）和非本征的 side jump 貢獻（σsj）.本征貢獻是KARPLUS 和 LUTTINGER［4］提出的，從理論上完全忽略了雜質和聲子等散射的情況，討論了自旋軌道耦合作用對自旋極化載流子的輸運影響.SMIT 認為，電子在外電場被加速運動的過程中，應該考慮到雜質和缺陷對反?；魻栃呢暙I［5］.自旋極化的載流子由于自旋軌道耦合作用，受到雜質的不對稱散射，結果導致
通化師范學院學報 2020年8期2020-07-29
- 球坐標系下三維諧振子的本征問題研究①
振子哈密頓算符的本征值和本征波函數，為量子問題的代數解法提供理論支持。1 球坐標系下角動量平方算符的本征值和本征波函數(1)(2)令Y(θ,φ)=Φ(φ)Θ(θ)，則根據分離變量法，可以得到.(3)(4)(5)(6)所以式(5)得到Φ(φ)=eimφ(7)按照周期函數的性質，Φ(φ)滿足周期性條件Φ(φ+2π)=Φ(φ)，即e2πim=1，所以m=0，±1，±2，…。令式(6)中x=cosθ，則(8)所以式(6)變為(9)進一步變形可以得到勒讓德方程(10
佳木斯大學學報（自然科學版） 2020年2期2020-05-18
- 含硫氨基酸與本征及缺陷石墨烯表面的相互作用
作用, 目前已有本征石墨烯, 金屬摻雜石墨烯作為氣體傳感器, 有效檢測含硫的氨基酸[8, 13], 但據我們所知, 半胱氨酸和蛋氨酸吸附在缺陷石墨烯表面的特性目前尚未被詳細研究.在這項工作中, 采用密度泛函理論方法探討了本征及缺陷石墨烯對兩種含硫氨基酸的吸附能力.通過吸附能, 態密度, 差分電荷密度詳細地分析了它們之間的吸附機制.希冀這一結論能夠對石墨烯傳感器在含硫氨基酸的檢測方面提供有價值的理論參考.2 模擬細節2.1 模型的建立半胱氨酸和蛋氨酸的模型:
原子與分子物理學報 2020年3期2020-05-15
- 金屬-DBR-金屬結構中光學Tamm態的弱耦合特性研究
的現象， 如出現本征模式分裂， 形成不同本征波長的OTS， 這為OTS的應用提供了新思路， 有著實際的或潛在的應用價值。2012年， 周海春等研究了對稱DBR1-M-DBR2結構和非對稱DBR1-M-DBR2結構中兩個OTS的耦合作用引起的本征模式分裂和遷移現象[10]； 2013年， 蔣瑤等研究了非對稱DBR1-M-DBR2結構中兩個OTS本征模式耦合與本征波長失諧量的關系， 以控制兩個OTS的遷移[11]； 同年， Zhang等構造的M1-QW-DBR
光譜學與光譜分析 2020年2期2020-02-25
- Co-Mo共摻雜Al2O3電子結構及透射率的第一性原理計算
晶體結構表1是本征及摻雜Al2O3優化后的晶格常數及摻雜結合能,可以發現摻雜后晶胞的晶格常數及體積均在增加. 這是因為Co(0.072 nm)和Mo(0.062 nm)的離子半徑大于Al(0.053 nm)離子半徑,形成的Co-O鍵和Mo-O鍵比Al鍵更長,同時,Co和Mo替換Al后,使得離子多余正電荷之間相互排斥力增大,系統能量增高而導致晶胞體積進一步增大[17].為了表征離子摻雜難易程度,引入摻雜結合能的概念,在電子在非自旋極化條件下,摻雜結合能的表
四川大學學報（自然科學版） 2020年1期2020-01-10
- 基于本征信息分解的植物葉片分類方法研究
準確率，所以進行本征信息分解十分必要。本文提出一種基于本征信息分解的植物葉片分類方法。將原始圖像分解后，從反射率本征圖像中提取葉片的顏色特征，光照本征圖像中提取紋理特征和邊緣特征，并將3 種特征按照一定的權重比例融合后用于植物分類。從而解決了不相關因素的干擾問題，有利于提高植物葉片分類效果，對維持多元物種，保護植物提供了一定的技術支持。1 材料與方法1.1 實驗材料與方法概述本文采用Swedish 葉片數據集進行實驗。在該數據中隨機選擇10 種植物葉片（歐
廣東蠶業 2019年8期2019-12-23
- 氧空位對ZnO基(110)二維膜材料電子結構的影響研究
用[1-5]. 本征氧化鋅體材料的載流子濃度約為1.7×1017，但是其載流子遷移率較高[3]. 文獻報道中通過摻雜和結構優化來改善其體材料的載流子性質，優化其光電性能[6-8]. 此外，低維化的氧化鋅也可作為一種功能材料在相關領域發揮作用. 李等人制備了氧化鋅基薄膜并研究了其光電性能. 結果表明主族元素摻雜氧化鋅薄膜的可見光透過率保持在 80%以上，其電性能也受制備條件影響，比如升高樣品退火溫度，載流子濃度和遷移率均增大，導電性能也增強[8]. 氧化鋅塊
原子與分子物理學報 2019年6期2019-12-06
- Fe,Co,Ni摻雜石墨烯表面吸附C2H4的第一性原理研究
計算對比和分析了本征石墨烯以及Fe、Co、Ni摻雜石墨烯表面吸附C2H4的作用過程，以期望對C2H4檢測提供一種新的思路，并且可以為石墨烯材料的表面氣體吸附及相關氣敏元器件研究提供理論支持.2 計算方法與結構模型本文所有的計算都采用基于平面波的密度泛函理論DFT：(Density Functional Theory)的第一性原理下的DMol3軟件包，利用密度泛函理論在廣義梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GG
原子與分子物理學報 2019年4期2019-09-17
- Bi0與石英光纖本征缺陷作用機制研究
易產生各種各樣的本征缺陷，它們都有不同的幾何結構、電子性質和光學性質。在鉍元素摻雜的過程中，鉍原子很有可能遇到這些本征點缺陷，導致這些本征點缺陷的局部結構發生很大的變化，進而會嚴重影響鉍活性中心的電子性質和發光特性，使得研究摻鉍石英光纖發光特性變得十分困難。通過調研得知，目前仍缺少關于Bi0與石英光纖中本征缺陷反應機制的系統理論研究，對于Bi0與Si—O網絡的相互作用機制，其反應路徑更加復雜，存在許多未解決的問題。本文主要采用第一性原理的方法從理論上研究B
西華大學學報（自然科學版） 2019年4期2019-07-11
- 零級Hamilton量二重簡并的量子體系能級微擾法研究①
學中，體系的能量本征值能夠精確求解的問題非常有限，除了少數體系(例如諧振子，氫原子等)外，往往不能嚴格求解[1]。因此，在處理各種實際問題時采用適當的近似解法，例如微擾論，變分法，自洽場方法，絕熱近似，準經典近似等，其中最廣泛的就是微擾論。設量子力學體系的Hamilton算符為H=H0+H′(1)(2a)(2b)(2c)(2d)(2e)等等。設微擾作用后，能級和本征態變成(3a)ψn=ψ(0)+ψ(1)+ψ(2)+…(3b)零級近似ψ(0)由兩個簡并態ψα
佳木斯大學學報（自然科學版） 2019年1期2019-02-15
- 時延自相關和ITD相結合的故障診斷方法
理缺乏自適應性。本征時間尺度分解（intrinsic time-scale decomposition，ITD）[4]是一種自適應時頻分析方法。目前，本征時間尺度分解已經在旋轉機械故障診斷中得到廣泛應用，如文獻[5]利用B樣條改進本征時間尺度分解，將軸承故障振動信號分解成若干個固有旋轉分量之和，然后利用相關系數等選擇表征故障特征的分量重構，最后有效地提取了軸承故障特征；文獻[6]利用三次樣條改進本征時間尺度分解，對滾動軸承故障振動信號分解并計算表征故障特征
機械設計與制造 2018年7期2018-07-19
- 錐形二維光子晶體太陽電池數值模擬?
構參數變化對電池本征吸收的影響[22?25].實際上周期陷光形貌在提升電池總吸收的同時,也會顯著提升支持層的寄生吸收,由此導致所得的最佳形貌未必能顯著提升本征吸收.此外,對于周期結構而言,其陷光效果主要取決于衍射角和對應的衍射效率,這二者又主要取決于周期尺寸和高度.在先前的研究中通常將周期尺寸和高度對電池短路電流密度的影響進行分立研究,因此獲得的結論具有片面性,無法真正洞悉絨面形貌對電池光學吸收的影響規律[26,27].本文基于波動光學理論,采用時域有限差
物理學報 2018年2期2018-03-18
- Numerov算法和轉移矩陣法的分析和比較
，打靶法可以搜索本征能量值。要求非零能量本征值。本征值小于零的解是束縛解，這時它表現的較像兩端被固定的，在振動琴弦。波函數在經典力學允許的范圍內是震蕩的，在經典力學禁止的范圍內為指數行為。由于波函數分為兩個有不同行為的區域，直接積分會是交界區域不和諧或者數值不穩定。知道波函數的圖像及其導數必須連續，也就是通常所說的平滑的曲線，可以通過從節分交界處向左積分，再向右積分。因為一定有一種歸一化系數使兩函數在交界處的值相等，所以只需要讓其導函數連續便可。其中 ψ分
科學家 2017年22期2018-01-11
- 具有部分本征GaN帽層新型A lGaN/GaN高電子遷移率晶體管特性分析?
071)具有部分本征GaN帽層新型A lGaN/GaN高電子遷移率晶體管特性分析?郭海君 段寶興?袁嵩 謝慎隆 楊銀堂(西安電子科技大學微電子學院,寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室,西安 710071)(2017年4月11日收到;2017年6月5日收到修改稿)為了優化傳統A lGaN/GaN高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件的表面電場,提高擊穿電壓,本文提出了一種具有部分本征Ga
物理學報 2017年16期2017-09-07
- In、Ga摻雜SnO2的第一性原理研究
贗勢方法，建立了本征SnO2、SnO2∶In、SnO2∶Ga和SnO2∶(In,Ga) 超晶胞模型并進行了幾何結構優化，對其能帶結構、態密度、電荷密度及光學性質進行了模擬計算. 結果顯示，與SnO2∶In和SnO2∶Ga相比，SnO2∶(In,Ga)的晶格常數更接近于本征SnO2，可有效降低SnO2材料摻雜體系的晶格畸變. SnO2中In、Ga的摻入能夠增大材料的帶隙值，且能帶結構向高能方向移動，材料呈現典型的p型半導體特性. SnO2∶(In,Ga)中，
華南師范大學學報（自然科學版） 2017年3期2017-06-27
- 基于材質稀疏的人臉本征分解
于材質稀疏的人臉本征分解鄭期尹（四川大學計算機學院，成都 610065）本征圖像分解是圖像處理中的一個經典問題，給定一幅圖像，需要分解出對應的材質本征圖和光照本征圖。本征分解得到的材質圖和光照圖可作為高層視覺算法的輸入，如物體識別。通過引入材質稀疏先驗，恢復人臉的材質圖與光照圖，并利用MATLAB編程給出算法的實驗結果。本征分解；材質稀疏；人臉0 引言恢復本征圖像的任務是將給定的輸入圖像分離成材質相關的被稱為反照率或反射率的性質以及諸如陰影、光照、鏡面高光
現代計算機 2017年8期2017-04-22
- 基于旋轉微橢地球模型的內核平動振蕩三重譜線理論模擬與實驗探測
動振蕩三重譜線的本征周期，理論上系統研究了地球內部介質(包括密度、地震波速等)分布異常對三重譜線本征周期的影響，計算了不同的內外核密度差和地核中的不同的P/S波速對應的內核平動振蕩理論三重譜線周期；利用全球分布的9個超導臺站，迭積每個臺站長達54個月的高精度超導重力儀數據，在亞潮汐頻段(0.162～0.285 cph)檢測內核平動振蕩三重譜線.結果發現，三重譜線本征周期對內外核邊界的密度跳躍非常敏感，隨著密度差的增加，以類似于雙曲線的特征減??；無論是采用地
地球物理學報 2016年8期2016-09-29
- 基于變點分析思想的高維機械噪聲數據本征維估計方法
高維機械噪聲數據本征維估計方法梁勝杰1，張志華2，高紹忠1，胡俊波2，李大偉3（1.91697部隊，山東 青島 266405；2.海軍工程大學 科研部，武漢 430033；3.91550部隊，遼寧 大連116023）利用變點分析思想，針對高維數據協方差矩陣的特征值曲線特點，提出一種本征維估計方法：基于均值估計的特征值變點法，并應用于某雙層圓柱殼體的機械噪聲數據處理中。通過與其他現有常用方法的比較分析，驗證了基于均值估計特征值變點法的可行性。結果顯示：基于均
船舶力學 2016年11期2016-05-04
- 面向公差技術的幾何要素自由度表示與操作及其應用
描述了幾何要素的本征方向和本征自由度概念、幾何要素自由度的表示方法和約束自由度的計算規則。根據基本幾何元素的幾何特征以及與基準要素的位置關系確定了幾何要素的本征方向，根據幾何量測量原理，提出了基準要素約束自由度的計算方法，建立了基準體系約束自由度的計算規則。根據公差類型與基準要素和目標要素的關系，建立了公差設計正確性、完整性驗證的具體規則，提出了基于自由度分析的公差標注正確性驗證方法。自由度；本征自由度；約束能力；公差驗證0 引言點、線、面是構成零件形體組
中國機械工程 2015年11期2015-10-29
- 角動量算符的本征值
8）角動量算符的本征值高峰1，2，許成科1，2，張登玉1，2，游開明1（1.衡陽師范學院物理與電子工程學院，湖南衡陽 421002；2.衡陽師范學院南岳學院，湖南衡陽 421008）量子物理學中，角動量算符是一個十分重要的物理量，可以用它的本征值來表征微觀體系的狀態。本文根據對易關系，利用較為簡便的方法求出任意角動量算符的本征值，并討論了軌道角動量算符和自旋角動量算符的本征值。角動量算符；對易關系；本征值0 引言角動量是物理體系的一個重要物理量，它是確定體
衡陽師范學院學報 2015年6期2015-09-26
- 基于本征音子說話人子空間的說話人自適應算法
50000)基于本征音子說話人子空間的說話人自適應算法屈 丹*張文林(信息工程大學信息系統工程學院 鄭州 450000)本征音子說話人自適應算法在自適應數據量充足時可以取得很好的自適應效果，但在自適應數據量不足時會出現嚴重的過擬合現象。為此該文提出一種基于本征音子說話人子空間的說話人自適應算法來克服這一問題。首先給出基于隱馬爾可夫模型-高斯混合模型(HMM-GMM)的語音識別系統中本征音子說話人自適應的基本原理。其次通過引入說話人子空間對不同說話人的本征音
電子與信息學報 2015年6期2015-07-12
- 基于改進EMD和滑動峰態算法的滾棒軸承聲發射信號故障特征提取
式分解，選取特定本征模分量，采用滑動峰態算法提取其中的沖擊分量，即提取滾棒軸承聲發射信號的故障特征分量。改進的EMD方法剔除了某些虛假本征模分量，更準確地表征原始信號。通過仿真信號驗證，成功提取了混合信號中的沖擊分量，證明了該方法對沖擊信號提取的有效性。對外圈故障的滾棒軸承聲發射信號進行分析，滾棒軸承的故障特征頻率及其倍頻明顯，對軸承故障的診斷具有重要的意義并可推廣到航空發動機主軸軸承的故障診斷?；瑒臃鍛B算法；滾棒軸承；聲發射；小波包降噪；經驗模式分解；故
沈陽航空航天大學學報 2015年2期2015-05-04
- 利用二次型理論精確求解雙模耦合諧振子本征能級
解雙模耦合諧振子本征能級林 蓉(菏澤學院 物理與電子工程系，山東 菏澤，274015)當兩粒子在勢場中運動時，由于兩粒子之間存在相互作用，所以體系的哈密頓量必然會多出一項相互作用的耦合項.由于此耦合項的存在，使得體系本征能級的求解出現困難.本文主要介紹利用線性代數中的二次型定理，作一個線性變換消除其中的耦合項，并且此變換也不會引起本征能級的改變，也因此使其變成一個一般的二維勢場問題，便可以精確求出其本征能級.二次型；對角化；變換矩陣；耦合項0 引 言在量子
商丘師范學院學報 2015年6期2015-03-03
- 基于稀疏組LASSO約束的本征音子說話人自適應
ession）及本征音(EV, eigenvoice)方法及其相應的拓展算法為代表。2004年，Kenny等[6]通過對SD聲學模型中各高斯混元均值矢量相對于 SI聲學模型的變化量進行子空間分析，得到一種新的子空間分析方法。該方法與說話人子空間中的“本征音”類似，因此稱該子空間的基矢量為“本征音子（EP, eigenphone）”，該空間為“音子變化子空間”，但該方法采用“多說話人”聲學建模技術，只能得到訓練集中說話人相關的聲學模型，對于測試集中的未知說話
通信學報 2015年9期2015-01-06
- 語音識別中基于低秩約束的本征音子說話人自適應方法
LLR)[2]及本征音(EigenVoice, EV)[3]說話人自適應方法。文獻[1]和文獻[4]提出了一種基于本征音子(EigenPhone, EP)的說話人自適應方法。與EV方法不同，該方法認為對于每一個說話人，其SD模型中不同高斯分量均值的變化(相對于SI模型)位于一個子空間中，稱該子空間為“音子變化子空間(phone variation subspace)”，其基矢量稱為“本征音子”，反映了說話人的個體特征，是說話人相關的；而不同高斯分量對應的坐
電子與信息學報 2014年4期2014-11-18
- Max-plus代數中analogy-transitive矩陣及其本征問題
us代數上矩陣的本征問題.一般情況下,解決這類本征問題的算法大小為O(n3)[1].繼文獻[1]之后,max-plus代數上矩陣的本征問題被很多學者關注并深入研究.特別地,對于一些特殊形式的矩陣,計算本征問題的算法復雜度較一般情況有所降低[5-14].因此從降低算法復雜度的角度考慮研究特殊矩陣的本征問題是有重大意義的.P. Butkovicˇ等[5]給出一個O(n2)的算法計算雙值矩陣的極大圈平均.M. Gavalec等[6]給出一個O(n2)的算法計算M
四川師范大學學報（自然科學版） 2014年3期2014-02-03
- 基于EMD相關方法的電動機信號降噪的研究
號分解，得到各階本征模函數（IMF）分量；然后對高頻的IMF分量用小波相關濾波降噪方法進行處理，保留低頻IMF分量；最后把處理的高頻IMF分量和低頻的IMF進行信號重構，得到降噪后的振動信號。這種方法形式簡單，應用靈活方便，有較好的自適應能力，能有效地獲得早期的軸承故障信號的特征值。經驗模態；相關濾波；本征模函數1 引 言由于感應電動機具有結構簡單、可靠、成本低等特點，所以在船舶上應用的非常廣泛。感應電動機如果發生了故障，就會導致電力和動力系統無法正常工作
船舶力學 2014年5期2014-01-19
- 三氯氫硅本征電阻率（純度）的測試方法
長不摻雜外延層（本征外延層）的方法來確定，即測量三氯氫硅本征生長后的外延電阻率來衡量其純度。在硅外延的本征生長過程中，影響三氯氫硅本征電阻率參數的主要因素為系統內的自摻雜。增加硅外延層的厚度可以有效抑制系統自摻雜，但無限制地增加生長時間必然導致生產成本的增加。本文對襯底的選擇、生長時間、生長前生產設備的狀況等各個方面進行優化分析，選定了一個合理的生長工藝過程來準確評價三氯氫硅的本征電阻率。2 反應原理外延工藝是一種薄層單晶生長技術，在一定的條件下，在單晶襯
電子與封裝 2012年10期2012-08-15
- 一種基于本征波匹配的EMD邊界處理方法
形匹配預測法——本征波匹配預測法。但由于當時對該方法的有效性還有些懷疑，尤其是還不知道如何合理構造仿真信號來驗證該方法，因此文獻［10］只是提出了初步算法而沒有進行深入的算例驗證。本文最終彌補了這一重要不足，使文獻［10］的研究得到較大程度地深化和完善。1 EMD及其邊界處理問題EMD的主要內容是通過篩選將信號分解為有限個固有模態函數（IMF）和趨勢項之和，其中IMF被認為是構成非線性非平穩信號的基本信號，它具有唯一的瞬時頻率，而趨勢項反映信號變化的趨勢［
振動與沖擊 2012年1期2012-02-12
- 不變本征算符法在含時二維雙耦合諧振子系統中的應用
用量子力學的不變本征算符法處理系統的元激發能量和能級差.為此，本文利用不變本征算符法推導明顯的系統的簡正頻率解析解表達式及嚴格波函數，并討論不變本征算符法對于線性哈密頓量系統的退耦合方面的普遍性和簡捷性.1 利用不變本征算符法對含時二維雙耦合各向異性諧振子系統哈密頓量退耦合考慮一般的情形，令m1(t)≠m2(t)、ω1(t)≠ω2(t)且坐標與動量耦合強度也均含時的雙耦合諧振子系統的哈密頓量為:因為［xi，pj］=iˉhδij，［xi，xj］=［pi，pj
沈陽化工大學學報 2011年4期2011-01-25
- 矢量波動方程的新瀑布型多重網格方法
和技術中，諧振腔本征值問題是最基本的問題之一．很多微波部件和系統的分析與最優化設計又往往以該問題的求解為基礎．矢量有限元方法是近10年來在電磁場計算中應用比較廣泛的一種方法．只要選擇了合適的矢量基，所考慮結構的內部和外部邊界都能夠從數學上自然滿足，就能夠很好地解決偽解問題;又因為有限元方法的網格劃分能很好地模擬實際結構，因此我們選擇了矢量有限元對諧振腔進行離散計算．多重網格方法，對于求解由微分方程離散化得到的方程組來說，是目前最快速高效的方法之一，它的求解
云南民族大學學報（自然科學版） 2011年4期2011-01-25