單晶硅
- 直拉法單晶硅中位錯影響因素的研究進展★
）0 引言制備單晶硅的主要方法包括直拉法與提拉法，其發明者為波蘭的科學家Czochralski，發明時間為1916年。就直拉法單晶硅而言，因其具備晶體缺陷較少、純度較高等優點，在太陽能電池以及半導體工業中廣泛應用。而硅中有害性最顯著，并且最常見的一種缺陷即為位錯問題，其可縮短少子的壽命，并且令金屬雜質聚集在一起，進而發生電流漏出的狀況。同時，還能夠令單晶變成多晶，進一步致使結構出現損失。因此，本文通過對國內外有關直拉法單晶硅位錯相關研究情況進行總結歸納，了
山西化工 2023年7期2023-08-08
- 海外單晶硅太陽電池生產線建設的分析與研究
觸(PERC)單晶硅太陽電池、遂穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)單晶硅太陽電池、p 型叉指式背接觸(IBC)單晶硅太陽電池和異質結(HJT)單晶硅太陽電池技術的投資成本進行拆解，并對采用這4 種太陽電池技術路線的海外生產線的建設成本和設備投資回報進行對比；然后通過海外實際項目案例，對海外以PERC 和TOPCon 單晶硅太陽電池技術為代表的生產線建設情況進行研究分析。1 海外光伏市場發展現狀目前，全球已有130 多個國家和地區相繼宣布其碳中和目標，部分國家
太陽能 2023年6期2023-07-03
- 單晶硅納米磨削亞表面損傷形成機制及其抑制研究＊
為半導體材料的單晶硅因為具有高強度、耐高溫、抗氧化以及耐磨損等優異特性被廣泛應用于集成電路的制造中，并且在手機、電腦、電器、國防建設以及航天等領域都扮演了重要角色[1]。隨著集成電路制造技術中對產品高性能、多功能、小型化和低功耗的需求，對硅晶圓減薄技術提出了越來越高的要求[2]，同時也對減薄的厚度以及表面質量提出了更高的需求。而單晶硅屬于典型的硬脆難加工材料，減薄過程中極易出現表面裂紋和亞表面損傷，嚴重限制其服役壽命和使用要求[3?4]。納米磨削技術由于可
制造技術與機床 2023年3期2023-03-10
- 四甲基胍單晶硅片濕法制絨工藝研究
04)0 引言單晶硅太陽電池的表面制絨是提高其光電轉換效率簡單有效的方法之一。在單晶硅太陽電池的制備過程中，單晶硅片的制絨工藝包括化學腐蝕法、反應離子刻蝕法、光刻法、機械刻槽法等?；瘜W腐蝕法是目前光伏行業使用最廣泛的制絨工藝，通常采用堿醇混合溶液，比如氫氧化鈉或氫氧化鉀與異丙醇或乙醇的混合溶液，作為刻蝕體系。其中，堿為刻蝕劑，用于刻蝕硅片；醇為消泡劑，用于除去反應產生的氫氣泡。硅片表面形成的金字塔結構是由于堿與硅的各向異性反應造成的，在一定濃度的堿溶液中，
太陽能 2022年7期2022-07-30
- 飛秒脈沖激光輻照半導體材料的熱/力特性
對飛秒激光作用單晶硅材料進行數值模擬，得到硅的電子溫度、晶格溫度等隨入射能量強度的變化規律。Ashkin A[5]利用單光束成功觀測到聚焦激光束的力學效應。林曉初[6]利用壓電探測器和超動態應變儀構成的應力/應變測量系統得到了激光脈沖作用靶板的應力/應變過程。認為實驗條件下飛秒脈沖激光脈沖加載的瞬態應力為GPa級。激光輻照材料產生的熱效應具有幾何尺寸小、隱藏在材料內部等特點，且常規的應力測量方法易受固體表面溫度的影響，因此實驗采取非接觸式測量的方式研究飛秒
裝備制造技術 2022年4期2022-07-24
- 單晶硅太陽電池濕法刻蝕工藝研究
合實際生產，以單晶硅太陽電池制備過程中的濕法刻蝕工藝為例，提出濕法酸拋——富氫氟酸工藝和濕法堿拋工藝，并進行實驗驗證其可行性。1 實驗1.1 實驗材料本實驗硅片采用河北松宮半導體有限公司生產的p型摻鎵單晶硅片，硅片尺寸為168 mm×168 mm，電阻率范圍為 0.4～0.8 Ω·cm。1.2 實驗儀器本實驗采用品牌為RENA的8道濕法刻蝕機臺、常州捷佳創智能裝備有限公司生產的去磷硅玻璃(PSG)機和堿拋機臺，減重測試使用品牌為Setra的精密電子天平，使
太陽能 2022年6期2022-07-05
- 激光輔助加工單晶硅溫度場的數值模擬
摘 要：單晶硅作為光學晶體材料的典型代表，具有導熱性良好、紅外光折射率高等優點，但其脆性大、硬度高，難以加工，而激光輔助加工是提高單晶硅加工效率的有效方法?，F首先通過COMSOL Multiphysics軟件建立激光輔助加工單晶硅的有限元模型，確定了最合適的激光功率;然后通過單因素試驗法，模擬了激光功率、光斑直徑、移動速度對單晶硅溫度場的影響;最后采用紅外熱像儀獲得實驗值，并與模擬值進行比較，結果表明，測量的溫度值與仿真計算值變化趨勢是一致的。關鍵詞：激光
機電信息 2022年12期2022-06-21
- 單晶硅的放電加工條件與試驗研究
應用[1]。但單晶硅的高硬度、高脆性以及低斷裂韌度，使其成為典型的脆性難加工材料，傳統的機械加工過程中容易出現加工效率低、加工精度無法保證、表面質量差以及崩碎斷裂等缺陷，而復雜曲線及曲面的加工則更為困難[2]。放電加工（Electrical discharge machining，EDM）是種一非接觸式的種特種加工技術[3]。EDM利用電極與工件之間的脈沖放電產生的熱量對工件材料進行不斷蝕除[4]。其特有的非接觸式蝕除機理，加工不受材料脆硬程度的限制，可以
機械科學與技術 2022年3期2022-04-19
- 基于分子動力學模擬的單晶硅沖擊壓縮相變研究*
準靜態荷載下，單晶硅表現出顯著的多態性，目前已觀察到13 種相結構。Mujica 等指出，單晶硅在10～11 GPa 的載荷下發生了從立方金剛石（cubic diamond, CD）結構到β-白錫（β-tin）結構的相變，并通過第一性原理計算出存在中間暫穩態 Imma 相。而增加壓力時，晶體硅繼續發生向簡單六角形（simple hexagonal，SH）結構的轉變；再進一步增加壓力，變為Cmca 空間群結構，而在41 GPa 的高壓下，晶體硅又從Cmca
爆炸與沖擊 2022年1期2022-02-11
- 基于分子動力學的單晶硅納米壓痕過程分析
本文主要分析了單晶硅的納米壓痕過程，并嘗試解釋其瞬間原子位置、作用力變化以及其壓痕過程等原理。經過筆者試驗發現：磨粒的不斷壓入，會使單晶硅的硅晶格發生變成，且磨粒產生的能量會以應變能的形式存儲在晶格之中。同時，隨著硅原子勢能增加到一定數值時，硅原子鍵就會以斷裂形式變成非晶層堆積在磨粒下方。當磨粒離開單晶硅時，非晶層開始重構，釋放能量，達到新的平衡狀態。Abstract： Based on the perspective of molecular dynam
內燃機與配件 2022年1期2022-01-06
- 光伏組件電池光致衰減效應(LID)研究進展
，p型摻硼直拉單晶硅太陽電池在光照下會出現效率衰退現象，因此，提高晶體硅的品質并抑制光衰的措施和機制成為光伏領域研究的重要課題。關鍵詞：晶體硅太陽電池;光致衰減.Abstract：With the continuous improvement of the conversion efficiency of the p-type crystalline silicon solar cell，the problem of efficiency loss due
科技信息·學術版 2021年29期2021-12-06
- 背表面氮化硅薄膜與氧化鋁薄膜制備工藝對 單晶硅雙面太陽電池EL的影響
為了進一步提高單晶硅太陽電池的光電轉換效率，研究人員針對單晶硅太陽電池背表面鈍化情況展開了研究。鈍化的目的是為了盡量減少單晶硅片表面陷阱所引起的非平衡載流子的復合[1]，通常是在單晶硅片背表面制備1層鈍化膜，即氧化鋁薄膜與氮化硅薄膜，依靠氧化鋁薄膜與氮化硅薄膜中的各種原子與半導體表面的懸掛鍵結合，從而降低單晶硅片表面陷阱對載流子壽命的影響。管式PECVD設備的背面鈍化工藝主要分為升溫、高溫退火、抽真空、氮化硅沉積、清洗這5個步驟。其中，升溫步驟主要是通過電
太陽能 2021年10期2021-11-03
- 硅片加工過程崩邊的控制措施
薛佳勇摘要：單晶硅片作為集成電路芯片生產主要原材料，在加工過程中的質量控制是至關重要的，尤其是單晶硅片崩邊的出現，更是困擾很多生產廠家的技術難題。本文只對單晶硅片加工的“斷”、“滾”、“切”、“倒”、“磨”幾個關鍵步驟中，如何控制單晶硅片崩邊的一些有效措施或者方法進行論述，希望能夠給單晶硅片加工的同仁帶來幫助和啟迪！關鍵詞：單晶硅;芯片;集成電路;崩邊;金剛石;損傷層引言集成電路的原材料很多，硅、鍺、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵和碳化硅等等，但最基礎還是要以單晶
科學與生活 2021年19期2021-10-30
- 便攜式電動汽車太陽能充電板設計
優化等步驟，對單晶硅太陽能電池特性分析以使本項目順利完成。關鍵詞：綠色出行;續航;單片機;單晶硅1、研究的現狀及意義為了解決電動汽車車主在行駛途中汽車電量不足的問題，讓車主綠色出行，放心出行，保護環境，綠色你我他。本項目各部分作用可從如下幾點加以實施：（1）車主在出行前，不用擔心自己的電動汽車電量不足的問題。若在行駛途中，汽車電量不足，便可拿出本產品自己安裝給汽車充電，實現隨時隨地充電，擺脫定點充電的束縛;（2）裝置簡單，方便操作。本項目產品質量輕，結構簡
科教創新與實踐 2021年12期2021-09-10
- 世界首個旋式鑄造單晶爐研制成功
，相比傳統直拉單晶硅， 旋式鑄造單晶爐生產鑄造單晶的成本要低20%，耗能也僅為前者的23%。業內人士認為，該成果表明我國光伏裝備研制水平邁上了新的臺階。多年來，光伏發電以多晶硅、單晶硅電池為主。近年來，單晶硅電池以較高的光電轉換率，在市場上逐步趕超多晶硅電池。單晶硅電池市場份額從2016年不到20%發展到如今接近90%，但單晶硅電池尤其是傳統直拉單晶的生產成本也較高，因此，大幅降低單晶硅成本是降低單晶硅電池乃至光伏發電成本的技術關鍵。據了解，鑄造單晶硅技術
中國科學探險 2021年3期2021-07-29
- 電化學沉積制備高結晶度金箔
方法，以傳統的單晶硅為基底，在三水合金酸氯化金水溶液（HAuCl4·3H2O，0.1mM）中沉積高度結晶的金薄膜。單晶硅已被證明是高度結晶半導體、光學材料和超導體外延生長的理想襯底。電化學沉積的金箔沿著作為陰極的單晶硅襯底的晶向形成。通過石英晶體微天平定量地得到了薄膜厚度隨時間的變化規律，薄膜厚度可由施加電壓在0.1mM固定濃度下控制。為將金膜轉移到硅襯底上，在光照射下通過硅氧化法制備了一層薄氧化物（SiOx）層?！続bstract】In this pap
中小企業管理與科技·上旬刊 2021年6期2021-07-14
- 單晶硅微銑削表面粗糙度實驗研究
215009）單晶硅是一種硬而脆的材料[1]，由于其獨特的物理化學性能，被廣泛應用于微電子領域[2]。某些應用通常把單晶硅制造成幾十甚至幾百微米的復雜結構[3]，并且要求很高的制造精度和表面質量，典型的光刻技術、化學蝕刻等加工僅能加工平面2維或2.5維結構[4-5]，相比之下，微銑削能夠制造出3維微結構，同時具有高精度、高表面光潔度，且機械裝夾簡單[6]，相比于光刻機設備成本低廉。常溫下，單晶硅屬于脆性材料，去除材料以崩碎為主，只有在合適的切削參數條件下才
蘇州科技大學學報(工程技術版) 2021年2期2021-07-02
- PECVD工藝制備的背面氮化硅薄膜對雙面單晶硅太陽電池EL發黑的影響
硅薄膜導致雙面單晶硅太陽電池EL發黑的各種條件進行了實驗驗證及理論分析，研究了背面氮化硅薄膜底層膜、中層膜，以及上層膜邊緣的折射率等條件不同的情況下對雙面單晶硅太陽電池EL發黑的影響，研究結果對雙面單晶硅太陽電池生產線的現場良品率控制有一定的幫助。1 EL原理EL又稱場致發光。EL的基本原理為：給太陽電池加正向偏置電壓，p區加正電壓，n區加負電壓，正向偏置電壓的電場與p-n結自建電場方向相反，正向偏置電壓的電場削弱了自建電場對晶體中電子擴散運動的阻礙作用，
太陽能 2021年2期2021-03-04
- 氚/單晶硅器件輻伏電池模型及樣機的長期穩定性研究
量也容易控制。單晶硅器件的材料生長工藝及器件制備工藝非常成熟，而且硅也是絕大部分低功耗集成電路和低功耗MEMS系統的原料，基于單晶硅器件制作輻伏同位素電池也易于實現與集成電路和MEMS系統集成。在應用低能同位素氚、Ni-63等的輻伏同位素電池研究中，人們首先關注的是射線能量在半導體換能器件結構中的能量沉積的優化[3-5]，但輻伏電池的輸出穩定性是之后更須關注的研究內容。輻伏同位素電池的基本要素是同位素和半導體結型器件，一般所選同位素半衰期很長，同位素材料一
同位素 2021年1期2021-02-25
- 基于圖像處理的單晶硅金字塔織構測量方法研究
因此，計算分析單晶硅金字塔織構高度的分布情況，對進一步研究單晶硅電池的光電轉換效率是非常有意義的。目前，一些學者在表征單晶硅金字塔織構的分布情況做了一些研究。文獻[1]通過掃描電子顯微鏡觀測制絨后單晶硅表面金字塔形貌，對比不同金字塔形貌圖片進行定性分析。該方法往往取決于人的主觀判斷，檢測結果不夠準確。文獻[2]利用掃描電子顯微照片（SEM）的統計分析檢測方法確定金字塔尺寸分布情況，該方法存在精確度不高，誤差大的缺點。文獻[3]基于共聚焦顯微鏡測量單晶硅金字
現代電子技術 2020年15期2020-07-31
- 加強本科生自動化工程項目參與提高本科生專業課程學習興趣
業;工程項目;單晶硅中圖分類號：G642? ? 文獻標識碼：B文章編號：1671-489X（2020）14-0096-03Strengthen Participation of Undergraduate Automation Project and Enhance Undergraduate Students Interest in Professional Course： A Case Study of Single Crystal Silicon G
中國教育技術裝備 2020年14期2020-01-28
- 標準硅片波數定值及測量不確定度
：標準硅片 ?單晶硅 ?拉曼光譜儀 ?波數 ?不確定度中圖分類號：TB9 ? 文獻標識碼：A 文章編號：1672-3791（2019）08（c）-0001-03Abstract： To establish a method for standard silicon wavenumber value and evaluation of measurement uncertainty for wavenumber value. Ods： The sample
科技資訊 2019年24期2019-11-11
- 毫秒激光輻照單晶硅產生燃燒波仿真及實驗*
130052)單晶硅是構成各種微電子元器件的重要材料，微電子在國家經濟、國防和科技現代化上起著舉足輕重的作用，一直是國內外研究的熱點[1-4].單晶硅也是非常優良的紅外窗口材料，在強光輻照下易產生致燃損傷，研究激光致燃損傷單晶硅的規律和機理防止單晶硅損傷是激光及相關電子系統設計的重要前題.目前，對激光誘導等離子體進行的研究[5-10]多集中于短脈沖激光和金屬靶材，對毫秒脈寬的長脈沖激光和半導體材料單晶硅的研究較少.本文建立毫秒脈沖激光誘導單晶硅產生燃燒波仿
沈陽工業大學學報 2019年5期2019-09-19
- 晶體材料種類區別及優勢研究
要：近年來，以單晶硅和多晶硅為代表的各種晶體材料和相關高科技產業的發展，成為現代信息技術產業的支柱，使信息產業成為全球經濟發展中增長最快的主導產業。本文針對單晶硅與多晶硅的特征、性質、區別、應用及優缺點進行了分析與研究，為實際開發相關資源提供了理論參考。關鍵詞：晶體材料;單晶硅;多晶硅;太陽能發電引言晶體材料作為一種潛力巨大，開發利用率高的高科技資源，越來越受到人們的關注和重視。目前，為了擴大太陽能發電的消費市場，提高太陽能電池的光電轉換效率是非常必要的，
科學導報·學術 2019年23期2019-09-10
- 單晶硅晶片化學機械拋光基本特性研究
和電子遷移率，單晶硅晶片已經廣泛地應用于從宏觀到納米級的器件中，用于照明，光電檢測，太陽能轉換等。例如，具有納米級光滑、超平坦且無損傷表面的單晶硅晶片適用于金屬有機化學氣象沉淀，以生產高性能柔性太陽能電池和發光二極管(LED)[1]。在加工過程中，單晶硅晶片首先經歷鋸切過程，由于其高硬度和脆性，在晶片表面深處引入缺陷和/或斷裂損傷，隨后，利用研磨和拋光過程去除鋸切引起的損傷并產生一個名義上的無損傷表面。目前，CMP是被用作生產納米級光滑表面最有效的方式之一
兵器裝備工程學報 2019年6期2019-07-05
- 背鈍化膜特性對PERC單晶硅太陽電池的影響研究
射率對PERC單晶硅太陽電池電性能的影響。通過分析不同的電性能參數，并結合量子效率QE、少子壽命，對PERC單晶硅太陽電池的電性能狀況進行了分析。1 實驗實驗中所使用的單晶硅片是目前各廠家量產的主流硅片，其規格為：p型單晶硅片，尺寸為156.75 mm×156.75 mm，電阻率為1～1.5 Ω·cm，厚度為180 μm。此單晶硅片采用PERC太陽電池工藝流程制備，即制絨、擴散、堿拋光、熱氧化、背面鍍氧化鋁膜及氮化硅膜、正面鍍氮化硅膜、激光刻槽、印刷燒結，
太陽能 2019年5期2019-06-11
- PERC雙面單晶硅光伏組件應用技術與案例分析
型PERC雙面單晶硅光伏組件；但是對于2017年才量產的PERC雙面產品，實際應用的案例還不多，其產品優勢還未能得到充分論證。本文對PERC雙面單晶硅的發電技術進行了簡要介紹，并以全球PERC雙面單晶硅光伏組件大規模應用的典型案例——黃河水電共和晨陽光伏電站為例，對PERC雙面單晶硅光伏組件的發電量進行了分析，為該發電技術的發展提供了一定參考。圖1 ITRPV太陽電池技術的預測數據1 PERC雙面單晶硅技術介紹相比于常規鋁背場(Al-BSF)技術，PERC
太陽能 2019年4期2019-05-13
- 淺析單晶硅輻照中子注量在線測量信號刻度的影響因素
探測器在線監測單晶硅受照熱中子注量時，需要對其測量信號（電流值）進行刻度。由于探測器無法布置在硅體上，導致其信號刻度的影響因素較多且復雜。為保證刻度的準確性，本文對影響自給能中子探測器和單晶硅位置的熱中子注量率分布及中子能譜的因素進行了簡要梳理和分析，并提出了一些刻度試驗策略?！娟P鍵詞】單晶硅;自給能中子探測器;信號刻度中圖分類號： O774 文獻標識碼： A 文章編號： 2095-2457（2019）03-0192-002DOI：10.19694/j.c
科技視界 2019年3期2019-04-20
- 單多晶組件對比分析
優勢。關鍵詞：單晶硅；多晶硅；效率中圖分類號：TM914.4 文獻標識碼：A 文章編號：1671-2064（2018）03-0155-02太陽能光伏發電的最核心器件是太陽電池，商用的太陽能電池主要包括單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池、非晶硅太陽能電池、碲化鎘電池、銅銦硒電池等。單晶硅、多晶硅太陽電池由于制造技術成熟、產品性能穩定、使用壽命長、光電轉化效率相對較高的特點，被廣泛應用于大型并網光伏電站項目。1 單晶硅和多晶硅的區別當熔融的單質硅凝固時，硅原子
中國科技縱橫 2018年3期2018-03-15
- 單晶硅光伏發電的前景和問題
現實意義。1 單晶硅光伏發電相關問題概述1.1 單晶硅發電電池簡介在目前的光伏發電發展中，對單晶硅光伏發電的運用較多，單晶硅電池主要由單晶硅原料制造，屬于早期進行太陽能開發的一種電池品種。在現階段太陽能電池制造的種類中，單晶硅原料的太陽能電池，具備最高的電力轉換效率，其擁有較為成熟的生產應用技術，在國內太陽能發電的實際應用與工業生產中所占比重最大。由于太陽能電池未用其進行普通硅的制造，主要目的是為了實現高純度目標，并在制作過程中增加其復雜性，容易導致能源的
建材與裝飾 2018年38期2018-02-14
- 基于單晶硅制絨金字塔生長異常的解決方法
要本文研究的是單晶硅太陽能電池堿制絨后出現異常表面的分析方法。以正常生產中出現的亮片表面為例，進行全面解析，通過SEM對不同制絨后的片進行金字塔的大小測量及ImageJ軟件統計單位面積的金字塔個數進行數據比較得到基礎數據，分析影響晶體硅金字塔結構生長異常的原因，便于查找相關的工藝和設備問題，為晶體硅太陽能制絨的正常生產提供了數據分析參考和經驗積累?！娟P鍵詞】單晶硅 制絨 金字塔 工藝 設備 數據分析 經驗積累單晶制絨的工藝以及設備運行狀態對表面制絨的效果起
電子技術與軟件工程 2017年24期2018-01-17
- 光伏：單晶硅片價格累計降幅高達12.5%
2月4日，隆基單晶硅片156.75mm＊156.75mm價格整體調整，調整后180um單晶硅片針對國內執行4.8元/片，價格下調0.4元/片，降幅達7.7%。多晶硅價格同樣下行，價格跌破130元/公斤，降價幅度達到13.3%。不到一個月，隆基單晶硅片在2月23日再次宣布價格下調。國內價格從4.8元/片下調至4.55元/片，國外價格從0.67美元/片下調至0.63美元/片。連續兩次下調單晶硅片價格累計降低0.65元/片，累計降幅高達12.5%。從目前來看，單
能源 2018年3期2018-01-16
- 淺析單晶硅生長的機理
馮殿義摘 要 單晶硅作為影響國家未來技術發展的重要材料，對于我國高新技術發展具有戰略性地位。論文主要對形成單晶硅的重要方法即直拉法（CZ）單晶硅生長的機理與工藝進行了分析，并對如何提純材料，提純減少雜質的措施進行了介紹。關鍵詞 單晶硅；生長機理；雜質中圖分類號 TM91 文獻標識碼 A 文章編號 2095-6363（2017）17-0002-01單晶硅作為影響國家未來技術發展的重要材料屬于立方晶系，單晶硅具有獨特的金剛石結構。這種材料獨特的結構屬性，使其成
科學家 2017年17期2017-10-09
- 葡萄糖對單晶硅太陽能電池制絨的影響
27)葡萄糖對單晶硅太陽能電池制絨的影響蔡淑紅，石 晶，姜 燕，譚凱峰，劉波濤(中國船舶重工集團第七一八研究所，河北 邯鄲 056027)本課題考察了葡萄糖作為制絨添加劑對單晶硅太陽能電池制絨的影響，試驗結果表明，當使用1.3%NaOH和6%乙醇的水溶液作為制絨液時，葡萄糖濃度為(0～400)ppm時，隨著葡萄糖濃度的不斷增加，單晶硅片表面金字塔結構尺寸和平均反射率不斷減小，結構越來越規則；當葡萄糖濃度為400ppm時，得到的單晶硅片金字塔形狀完整，尺寸大
山東化工 2017年15期2017-09-16
- 光伏發電電池和變換器拓撲綜述
綜述。關鍵詞：單晶硅；多晶硅；逆變拓撲光伏發電在整個能源消費中所占比例雖然還不大，但其增長速度比較快，且在某些應用場合是無法替代的。中國目前光伏發電的40%用于解決邊遠無電地區人民生活用電問題。作為可再生清潔能源的主要形式之一，光伏發電的發展得到了國家、地方各級政府的支持與扶持。光伏發電技術主要分為三代。第一代是晶體硅光伏電池，分為單晶硅和多晶硅，現在用得非常普遍，在我國其市場占有份額很大。第二代是品種繁多的薄膜電池，優點是材料用量少，缺點是轉化率通常只有
科學與財富 2017年17期2017-06-16
- 單晶硅太陽電池工藝研究
，研究背腐蝕對單晶硅太陽電池工藝的影響。通過分析腐蝕后硅片表面形貌及電池電性能的變化，發現腐蝕降低了硅片表面粗糙度以及表面電子空穴復合速率；內量子效率中短波響應增強，開路電壓和短路電流分別增加了2.1mV和26 mA。關鍵詞：單晶硅；電池效率；背腐蝕；光譜響應中圖分類號：TN914 文獻標識碼：A 文章編號：1671-2064（2017）05-0081-011 引言在目前的光伏行業中，硅基太陽電池仍然占據著主要地位。隨著硅材料價格的持續快速下降，以及單晶電
中國科技縱橫 2017年5期2017-05-12
- 隆基的單晶篤定
2016年，“單晶硅”這個詞突然火了起來，雖然此時的光伏市場仍然攥在多晶硅的手上，但是風向的變化讓人不得不開始重新審視單晶硅的價值。如果說協鑫是多晶硅片的帝王，那么隆基便是單晶硅片的代名詞。不論國內多晶市場怎樣好，隆基都不曾涉足多晶領域，一直篤定單晶，不斷為單晶的技術進步和成本下降而努力。隨著“領跑者”計劃的推行，國家對于光伏技術和成本的要求開始提高，越來越多的企業開始追求更為高效的光伏產品，以期在接下來的市場競爭中占據先機。多晶雖然占據著大部分的市場，但
能源 2017年3期2017-04-19
- 單晶硅輻照退火裝置溫控系統設計與應用
要：本文依據單晶硅輻照退火工藝要求，針對退火裝置溫度控制的要求，設計一套溫度控制系統，采用自適應模糊PID溫度控制技術實現高精度的溫度自動控制；設計相應的安全聯鎖電路以保證退火過程的安全性和有效性；通過對升溫速率、恒溫定值、恒溫時間等參數的設置與修改，滿足不同的溫度控制要求，具有靈活的適用性，可廣泛應用于相關的溫控工藝中。經過系統調試與運行，調試結果滿足使用要求，確保退火裝置安全、可靠的運行和任務的完成。關鍵詞：溫度控制；PID控制；單晶硅DOI：10.
山東工業技術 2017年4期2017-03-28
- 對單晶硅太陽能電池生產工藝的研究
46000)對單晶硅太陽能電池生產工藝的研究王森濤 焦朋府 張 波(山西潞安太陽能科技有限責任公司，山西 長治 046000)文章主要對制絨、擴散制結、等離子邊緣刻蝕、去磷硅玻璃、PECVD鍍減反射膜、絲網印刷電極、燒結幾種單晶硅太陽能電池的生產工藝展開了研究分析。單晶硅；太陽能；電池；生產工藝；研究在傳統能源不斷枯竭的背景下，作為新能源和綠色能源的太陽能受到了越來越多的關注。而在太陽能的利用中，太陽能電池是目前使用最為廣泛的。由于單硅晶電池是目前在太陽能
化工管理 2017年11期2017-03-05
- 單晶硅太陽能電池的生產工藝
能源枯竭問題。單晶硅太陽能電池是一種將太陽能轉化為化學能的有效裝置。本文就單晶硅太陽能的生產工藝展開研究?！娟P鍵詞】單晶硅 太陽能電池 生產工藝太陽能電池便是一種可將太陽能轉化為電能的裝置。硅太陽能電池是各種太陽能電池中性能較為優越的種類，其可靠性高、壽命長、成本低，其中又以單晶硅和多晶硅為代表，本文重點研究單晶硅太陽能電池。1 制絨制絨過程采用質量分數味20%堿液于80℃溫度下對硅片進行表面處理，從而達到去除損傷層效果。腐蝕作用速度為6-10um/min
電子技術與軟件工程 2016年20期2016-12-21
- 直拉法硅單晶中晶轉對雜質含量的影響
鳳艷【摘 要】單晶硅是半導體器件、集成電路以及太陽能電池片的重要原材料，對信息技術的發展及新能源光伏行業的發展有著至關重要的影響。直拉法是單晶硅生產制備的重要方法之一，其生長過程涉及到傳熱、傳質等物理過程，同時涉及到化學反應等化學過程。其中生長過程中的晶轉、堝轉直接影響晶體生長過程中的溫度分布、熔體對流，最終影響單晶中的雜質分布及電阻率分布等。本文以晶轉、堝轉為研究對象，分析其變化與單晶雜質、電阻率等品質的關系，以通過工藝調整，控制單晶品質?！娟P鍵詞】單晶
大陸橋視野·下 2016年7期2016-12-15
- 單晶硅引領光伏產業走向更高效率、更高收益
者 ■ 包婧文單晶硅引領光伏產業走向更高效率、更高收益本刊記者 ■ 包婧文搭借SNEC展會的順風車，西安隆基硅材料股份有限公司于5月24日在上海浦東嘉里大酒店召開了2016年隆基股份戰略發布，吸引了眾多業內人士和媒體的關注。該公司是全球最大的單晶硅光伏產品制造商，致力于為光伏和半導體產業提供高品質的產品和服務。鐘寶申2015年，我國單晶硅的市場份額從5％增長至15％，有顯著提升。單晶硅路線實現了革命性的成本突破，使系統投資更低；并且單晶硅高效率、高可靠、發
太陽能 2016年6期2016-09-23
- 金剛石飛切單晶硅的切削力模型及試驗研究
00金剛石飛切單晶硅的切削力模型及試驗研究閆艷燕王潤興趙波河南理工大學,焦作,454000摘要：首先對金剛石飛切單晶硅的加工特點進行分析，建立了未變形切屑厚度模型及材料去除類型的理論判定條件；然后推導出了適合金剛石飛切加工特點和單晶硅材料特性的數學預測模型；最后進行了切削力正交試驗，并通過切削力試驗值與模型計算值對比驗證了切削力模型的合理性。同時根據試驗結果總結了各主要加工參數(切深ap、進給量f、主軸轉速n)及其產生的最大未變形切屑厚度hmax對切削力的
中國機械工程 2016年4期2016-06-23
- 摻雜單晶硅納米梁的諧振頻率特性?
46)0 引言單晶硅技術是現代集成電路技術的基礎，同時納米硅也是制造NEMS的主要材料之一．納機電系統（NEMS）已有許多重要的應用，如超大規模傳感器[1?3]、參數反饋振蕩器[4]、開關[5,6]等．從長期可靠性的角度來看，這些諧振器的振動特性和機械性能，如楊氏模量和諧振頻率的研究是非常重要的，應該受到研究人員的重視．對于單晶硅材料的力學特性在實驗、理論分析、分子動力學模擬等方面已經做了一些研究．已有的一些實驗研究了硅納米梁、納米線等，基于連續介質假設方
新疆大學學報(自然科學版)（中英文） 2016年4期2016-05-16
- 氧化石墨烯在水合肼中對單晶硅織構化的影響
烯在水合肼中對單晶硅織構化的影響張會丹裴重華(四川省非金屬復合與功能材料重點實驗室-省部共建國家重點實驗室培育基地四川綿陽621000)摘要：單晶硅太陽能電池的表面反射率是影響其光電轉換效率的重要因素之一，表面織構化對降低表面反射率有著重要作用。采用水合肼對單晶硅進行刻蝕，并采用不同氧化程度的氧化石墨烯作為碳催化劑對水合肼腐蝕體系進行催化，采用失重法、XRD、SEM和FTIR測試手段對反應產物進行表征。結果表明：氧化石墨烯的加入對水合肼體系起到了促進催化的
西南科技大學學報 2016年1期2016-05-07
- 新興工業材料加工用金剛石工具
應用,并介紹了單晶硅、多晶硅和藍寶石的加工流程和加工過程中用到的金剛石工具,其中重點介紹了金剛石圓鋸片、高精度鉆頭、金剛石線鋸、超細粒度金剛石砂輪和金剛石超薄切割片,最后就國內金剛石工具的發展趨勢做了簡單闡述。關鍵詞:單晶硅;多晶硅;藍寶石;砂輪;線鋸1 前言我國金剛石工具的發展經歷了地質勘探、石材和建材加工等傳統的大發展階段,其代表產品包括地質鉆頭、金剛石鋸片、繩鋸、框架鋸等。隨著技術的不斷進步,以及國家對環保理念的不斷普及,金剛石工具不斷地進入新領域,
超硬材料工程 2016年2期2016-04-26
- 單晶硅片質量對太陽能電池性能的影響研究
33030)?單晶硅片質量對太陽能電池性能的影響研究謝義(安徽電子信息職業技術學院， 安徽 蚌埠 233030)摘要：太陽能電池硅片的質量是影響電池片轉換效率以及電池組件發電效率的一個關鍵因素。硅片缺陷的存在會極大地降低電池片的發電效率，減少電池組件的使用壽命，甚至影響光伏發電系統的穩定性。通過對單晶硅片質量進行檢測，分析少子壽命、早期光致衰減以及位錯對太陽能電池性能的影響及解決方案。關鍵詞：單晶硅； 太陽能電池； 轉換效率； 光致衰減； 位錯近年來隨著光
重慶科技學院學報（自然科學版） 2016年1期2016-03-24
- 微鉆—單晶硅切削工具
敏摘 要：微鉆單晶硅切削工具用于制造三維微形狀工件。微鉆是一個D形橫截面，切削刃的半徑為0.5μm的電磨工具（WEDG）。結果表明：實現切割延性域切削深度為0.1μm，間隙角大于0°，以防止在孔入口處斷裂。最小的機加工的孔直徑為6.7μm，這是最小的不只是在本研究中，也是迄今使用的最小切削工具鉆孔。對半導體單晶硅滾磨加工技術是很好的促進。關鍵詞：微鉆 微型刃具 單晶硅中圖分類號：TH161 文獻標識碼：A 文章編號：1672-3791（2014）09（b）
科技資訊 2014年26期2014-12-03
- 太陽能單晶硅位錯的返切辦法
要：根據太陽能單晶硅位錯密度關鍵詞：位錯密度；位錯返切前言太陽能單晶硅是光伏發電的主要材料，其位錯密度是影響光伏發電效率的重要因素，本文對其位錯密度的返切方法進行研究。1.實驗部分1.1實驗依據1.1.1太陽能單晶硅位錯密度1.1.2位錯遷移理論：單晶硅棒拉制后，由于熱應力作用，尾部會產生大量位錯，沿著單晶向上延伸，延伸的長度約等于單晶尾部的直徑。2.實驗根據位錯遷移理論分別將太陽能單晶硅掉苞棒返切130mm、120mm、110mm，以其位錯密度將單晶掉苞
中國機械 2014年24期2014-10-21
- 光伏市場回暖單晶硅突襲材料市場
驗，同樣瓦數的單晶硅光伏電池比多晶硅電池的發電效率高6%以上?！鼻鄭u隆盛晶硅科技有限公經理潘志明表示，國家鼓勵分布式光伏發電，并對光伏發電實行度電補貼的政策，促使電站開發商更加關注電池的轉化效率和經濟效益，而單晶硅產品在這方面優勢明顯。千億市場爭奪路線決定收益自2013年起，國家不斷出臺鼓勵光伏發電和并網的政策，并明晰電價補貼標準。2013年，我國新增并網光伏發電裝機達11.3吉瓦，成為該年度全球最大的光伏發電市場。根據規劃，2014年全國光伏新增裝機目標
化工管理 2014年25期2014-04-04
- 光伏單晶硅片成本下降速度有望快于多晶硅片
光伏單晶硅片成本下降速度有望快于多晶硅片目前，由于單晶切片采用金剛線切片已成為趨勢，中銀國際預計，未來單晶硅片的成本下降速度快于多晶硅片，從而兩者之間的價差亦進一步縮短。金剛線的特點是可以將硅片切的更薄且高效，金剛線切割速度是普通剛線的兩倍，而且不需要特殊切割液，用水作為溶劑。同時金剛線直徑小，線損低，可切割更薄的硅片。另外，單晶硅棒因其晶格有序的特性，可以實現金剛線切片的規模應用，促進硅片薄片化，對應每瓦硅片的硅料耗量將更低。隨著電池技術的改進，更薄的硅
電子工業專用設備 2014年8期2014-03-24
- 晶盛機電擬投產單晶硅設備
晶盛機電擬投產單晶硅設備晶盛機電公司擬對部分募集資金投向進行變更。擬將“年產400臺全自動單晶硅生長爐擴建項目”，變更為“年產100臺單晶硅棒切磨設備項目”。根據公告，年產400臺全自動單晶硅生長爐擴建項目總投資為13485萬元。截至公告日，該募投項目累計使用募集資金5273.72萬元，占項目投資總額39.10%，仍剩余募集資金8789.56萬元。調整后，公司擬投資年產100臺單晶硅棒切磨設備項目，新項目預計總投資15000萬元，擬使用原年產400臺全自動
有色設備 2014年5期2014-03-08
- 圖像處理在單晶硅直徑檢測中的應用
200234)單晶硅是晶體材料的重要組成部分，以單晶硅為代表的高科技附加值材料及相關高技術產業的發展，已經成為現代信息技術產業的支柱。單晶硅的主要用途是用作半導體材料和利用太陽能光伏發電、供熱等，它作為一種極具潛能，亟待開發利用的高科技資源，具有巨大的市場和廣闊的發展空間。由于世界上許多國家已經掀起了太陽能開發利用的熱潮，因此單晶硅正引起越來越多的關注和重視。直拉法單晶制造法生長具有生長速度快、晶體純度高等優點，隨著單晶硅片制造向大直徑化發展，直拉法單晶制
電視技術 2013年5期2013-08-13
- 單晶硅電池技術與市場的博弈
硅電池市場又分單晶硅與多晶硅。相關數據顯示，單晶硅與多晶硅的市場份額占比分別在30%～40%和50%～60%之間。單晶硅和多晶硅的區別在于當熔融的單質硅凝固時，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的芯片，則形成單晶硅；如果這些晶核長成晶面取向不同的芯片，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面，如在力學性質、電學性質等方面，多晶硅均不如單晶硅。目前的硅基電池主要性能參數見表1?？梢钥闯?，單晶硅電池無論是在實驗室轉換
太陽能 2012年24期2012-09-11
- 單晶硅等效機械特性的實驗研究*
張 旭，李 浩，肖定邦，侯占強，王興華，吳學忠(國防科學技術大學機電工程及自動化學院，長沙410073)Single crystal silicon is the most commonly used material in the microelectromechanical systems(MEMS)because of its excellent mechanical properties.The accurate mechanical parame
傳感技術學報 2012年8期2012-06-12