肖特基
- 二維鎳配位聚合物(Ni-CP)和Ag@Ni-CP肖特基結的制備及其光催化降解陽離子染料
馬志虎 任宜霞 王智香 張美麗 王記江(陜西省化學反應工程重點實驗室，新能源新功能材料實驗室，延安大學化學與化工學院，延安 716000)Metal-organic coordination polymers (M-CPs)have attracted wide attention from researchers due to their regulatory structural features and wide application prospe
無機化學學報 2023年10期2023-10-19
- 氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）被大會接收。IEEE IEDM是一個年度微電子和納電子學術會議，是報告半導體和電子器件技術、設計、制造、物理和建模等領域的關鍵技術突破的世界頂級論壇，其與ISSCC、VLSI并稱為集成電路和半導體領域的“奧林匹克盛會”。如何開發出有效的邊緣終端結構，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結相關的邊緣終端結構一直是難點。龍世兵課題組基于氧化鎵異質PN結的前期
河南科技 2022年24期2023-01-21
- 外電場和雙軸應變對MoSH/WSi2N4肖特基結勢壘的調控*
SH/WSN 肖特基結.在實際的金屬-半導體接觸應用中,肖特基勢壘的存在嚴重降低了器件的性能.因此,獲得較小的肖特基勢壘甚至是歐姆接觸至關重要.本文使用第一性原理計算研究了在外電場和雙軸應變作用下MSH/WSN 肖特基結勢壘的變化.計算結果表明,外電場和雙軸應變均可以有效地調控MSH/WSN肖特基結勢壘.正向外電場能實現MSH/WSN 肖特基結p 型與n 型肖特基接觸之間的動態轉化,而負向外電場可實現MSH/WSN 肖特基結向歐姆接觸的轉化.此外,較大的雙
物理學報 2022年21期2022-11-14
- 1 nm Al 插入層調節 NiGe/n-Ge 肖特基勢壘*
n 型鍺接觸的肖特基勢壘高度的影響.采用正向 I-V 法、Cheung 法和 Norde 法分別提取了鎳化鍺與n 型鍺接觸的肖特基二極管的串聯電阻、勢壘高度和理想因子.研究表明,在鎳和鍺襯底之間引入1 nm 鋁插入層,能夠有效降低勢壘高度,且其能夠在 350 ℃—450 ℃ 保持穩定.1 引言隨著超大規模集成電路發展到納米節點,硅(Si)材料逼近其物理極限,短溝道效應、隧穿效應等對器件性能的影響愈發嚴重.為了維持摩爾定律,需要新材料、新工藝和新結構來實現晶
物理學報 2022年20期2022-10-27
- 2.45 GHz 微波無線能量傳輸用Ge 基雙通道整流單端肖特基勢壘場效應晶體管*
究的重要方向.肖特基二極管和場效應晶體管是目前主流整流器件,但二者整流范圍有限,無法實現兼顧弱能量和中等能量密度的寬范圍整流.有鑒于此,本文提出并設計了2.45 GHz 微波無線能量傳輸用Ge 基p 型單端肖特基勢壘場效應晶體管(源端為肖特基接觸,漏端為標準p+摻雜).在此基礎上,充分利用器件的肖特基結構,采用新型二極管連接方式,以實現不同偏壓下開啟的溝道和源襯肖特基結構的雙通道寬范圍整流.采用Silvaco TCAD 軟件進行仿真,對于負載為0.3 pF
物理學報 2022年20期2022-10-27
- 半導體物理學課程課內創新實踐探究
——以金屬/半導體的肖特基接觸為例
和半導體接觸的肖特基勢壘高度計算為例，借助第一性原理軟件工具模擬計算，指導學生分組完成實踐報告。通過創新實踐的鍛煉，學生能夠更好地理解這些概念及背后所涉及的生產實際，緊跟半導體科學的發展趨勢。一、課內創新實踐設計——以二維磷化砷/石墨烯的肖特基勢壘計算為例（一）實踐背景在半導體物理學課程第七章節中，金屬和半導體的接觸是很重要的一部分內容。這部分內容包括金屬與半導體的整流接觸（肖特基接觸）和非整流接觸（歐姆接觸）。很多半導體器件的特性都和接觸界面性質相關。例
高教學刊 2022年29期2022-10-18
- 基于表面勢的增強型p-GaN HEMT器件模型
耗盡，缺乏考慮肖特基金屬/p-GaN結的物理特性，并且柵壓公式直接給出，缺乏物理意義，甚至沒有針對p-GaN柵進行柵電流建模［4～7］.本文建立基于表面勢的增強型p-GaN HEMT 器件SPICE 模型，充分考慮p-GaN 層的摻雜效應和柵結構金屬/p-GaN 結與p-GaN/AlGaN/GaN 結物理特性的影響，將解析公式與基于表面勢的ASM 模型內核相結合，準確實現了包括轉移特性、輸出特性、柵電容以及柵電流在內的p-GaN HEMT 器件的電學特性，
電子學報 2022年5期2022-07-07
- 基于肖特基接觸的半導體在機電轉換方面的應用
有廣泛的應用。肖特基二極管是目前使用最多的非線性器件[2],1938 年德國的Schottky 提出了第一個金屬與半導體交界面的理論模型,即Schottky-Mott 模型[3],對肖特基結做了科學的解釋。之后學者們又相繼提出了Bardeen模型[4]、有效功函數模型[5]等來解釋肖特基勢壘的形成機制。肖特基器件的輸出性能對金屬-半導體之間界面的載流子傳輸機制有著非常重要的影響[6]。經過不斷的研究,2006 年以王中林等[7]為代表,利用半導體與金屬形成
電子元件與材料 2022年5期2022-06-14
- 非金屬元素(F, S, Se, Te)摻雜對ZnO/graphene肖特基界面電荷及肖特基調控的理論研究
結合起來應用于肖特基二極管、場效應晶體管、光電器件和集成電路已成為研究熱點[15-16]。研究者通過設計二維異質結層間結構可以構造出性能優異的光電器件。如果將ZnO和graphene有機結合起來，不僅可以為graphene提供載體，還能彌補ZnO自身導電性能方面的不足，因此，開展ZnO/graphene異質結復合材料的研究具有重要的現實意義。目前，人們對ZnO/graphene異質結進行了研究。如Xu等[17]通過第一性原理對ZnO/graphene異質結
人工晶體學報 2022年4期2022-05-17
- rGO-AuNPs/n-Si的肖特基接觸特性研究*
導體接觸可形成肖特基異質結，具有整流特性，這與傳統金屬電荷運輸無法改變費米能級截然不同，石墨烯的費米能級可以通過載流子運輸自適應偏移[2]，也可通過化學摻雜來控制[3-4]，進而改變接觸界面的勢壘高度。其次石墨烯憑借高導電性、高電荷載流子遷移率、低成本、可制備薄膜電極等優勢，具有巨大的研究潛力?，F有研究表明將石墨烯與Si[3,5]、ZnO[6]、GaN[7]、Ge、GaAs[8]、CdSe等典型半導體材料進行接觸，可進一步提高光電探測器[9]、發光二極管[
功能材料 2022年3期2022-04-11
- 硅肖特基結自濾波窄帶近紅外光探測器的研究
來,硅/石墨烯肖特基二極管廣泛用于構建光伏和高性能光電探測器,原因如下:① 這種簡單的器件結構易于在平面硅上實現,肖特基結的勢壘可以通過控制硅的濃度進行調控;② 硅/石墨烯肖特基二極管與成熟的平臺硅工藝兼容,具有將光探測器和讀出電路集成的潛力。當前報道的硅/石墨烯肖特基二極管光電探測器都是寬光譜響應,對窄帶響應有待于深入研究[8-9]。本文首次采用Silvaco TCAD設計了光譜可調的硅/石墨烯肖特基二極管窄帶近紅外光探測器,并利用濕法轉移石墨烯電極構建
合肥工業大學學報（自然科學版） 2022年3期2022-04-08
- 勢壘可調的氧化鎵肖特基二極管*
延薄層對氧化鎵肖特基二極管的勢壘調控.模擬結果顯示,當n型氧化鎵外延厚度為5 nm、摻雜濃度為2.6×1018 cm—3 時,肖特基二極管縱向電流密度高達496.88 A/cm2、反向擊穿電壓為182.30 V、導通電阻為0.27 mΩ·cm2,品質因子可達123.09 MW/cm2.進一步研究發現肖特基二極管的性能與n+外延層厚度和濃度有關,其電流密度隨n+外延層的厚度和濃度的增大而增大.分析表明,n+外延層對勢壘的調控在于鏡像力、串聯電阻及隧穿效應綜合
物理學報 2022年3期2022-02-17
- 非對稱氧摻雜對石墨烯/二硒化鉬異質結肖特基勢壘的調控*
件中,制造低的肖特基勢壘仍然是一個巨大的挑戰.本文采用密度泛函理論研究了非對稱氧摻雜對石墨烯/二硒化鉬異質結的結構穩定性和電學性質的影響.結果表明石墨烯與二硒化鉬形成了穩定的范德瓦耳斯異質結,同時保留了各自的電學特性,并且形成了0.558 eV 的n 型肖特基勢壘.此外,能帶和態密度數據表明非對稱氧摻雜可以調控石墨烯/二硒化鉬異質結的肖特基接觸類型和勢壘高度.當氧摻雜在界面內和界面外時,隨著摻雜濃度的增大,肖特基勢壘高度都逐漸降低.特別地,當氧摻雜在界面外
物理學報 2022年1期2022-01-19
- 肖特基二極管銀遷移失效機理分析和研究
開關電源應用中肖特基二極管的銀遷移失效案例，闡述了在插件封裝半導體器件中的銀遷移失效機理，并給出分析方法和預防措施。1 銀遷移失效機理電子元件的遷移根據發生環境的不同有兩種表現形式。電遷移是一種在相對較高溫度（150℃）的干燥環境中發生電子動量傳遞的固態遷移，離子遷移是發生在周圍溫度低于100℃的潮濕環境中[2]。離子遷移是由于電流使電離產生的少數離子在導體中產生流動，當關閉施加電壓后，離子進行隨機的熱擴散現象。本文闡述的銀遷移屬于離子遷移的表現形式，受溫
電子技術與軟件工程 2021年16期2021-11-03
- 超級結JBS二極管特性的仿真分析
二極管的陽極由肖特基接觸和周圍的P 柱區組成；N 柱區域在肖特基接觸的下方，并且與P 柱區域形成復合耐壓層，底部N垣區域作為器件的襯底，并引出陰極。圖1 硅超級結JBS 二極管結構當該超級結JBS 二極管工作在正向導通狀態時，如果P 柱區的間距合理，在肖特基接觸下方存在未耗盡的區域，此區域可以進行單極傳導。因為硅器件的通態壓降為0.45V，小于PN 結開啟電壓，所以二極管兩端的壓降不足以使PN 結導通，從而可以令器件依然保持肖特基二極管的正向特性；也正因為
微處理機 2021年4期2021-09-03
- CdS紫外探測器芯片的制備研究
了Pt/CdS肖特基紫外探測器研究，通過對CdS晶片表面處理工藝、Pt電極制備及紫外芯片退火等關鍵技術進行優化研究，并對Pt/CdS肖特基紫外探測器性能進行測試分析。測試結果表明：Pt/CdS肖特基紫外探測器在0.3～0.5mm下響應率大于0.2A/W，對3～5mm紅外波長的平均透過率大于80%，很好地滿足了紫外-紅外雙色探測器中的工程化應用要求。Pt/CdS；肖特基；紫外探測器；-特性0 引言隨著紅外技術的日趨成熟，紫外探測技術在軍事、醫學和生物學等方面
紅外技術 2021年8期2021-08-31
- Ka頻段模擬預失真線性化器設計
非線性補償量的肖特基二極管，該技術在不但結構簡單、性能穩定，而且具有工作頻帶寬、易于集成與工程實現等優點，適用于毫米波頻段下的射頻電路設計[8]。本文使用ADS 2020軟件針對經典反射式模擬預失真電路進行優化改進，并用ANSYS對其無源結構進行建模仿真，驗證新型模擬預失真電路的幅度擴張與相位壓縮效果。1 模擬預失真器技術原理預失真技術的原理是在功率放大器的前端設置預失真單元，該單元在射頻信號輸入時產生一個非線性的預失真信號，由于預失真單元與功率放大器的非
通信電源技術 2021年2期2021-05-21
- 晶格匹配InAlN/GaN 異質結肖特基接觸反向電流的電壓與溫度依賴關系*
GaN 異質結肖特基接觸的反向變溫電流?電壓特性曲線, 研究了反向漏電流的偏壓與溫度依賴關系.結果表明: 1)電流是電壓和溫度的強函數, 飽和電流遠大于理論值, 無法采用經典熱發射模型解釋; 2)在低偏壓區, 數據滿足 l n(I/E)-E1/2 線性依賴關系, 電流斜率和激活能與Frenkel?Poole 模型的理論值接近, 表明電流應該為FP 機制占主導; 3)在高偏壓區, 數據滿足 l n(I/E2)-E?1 線性依賴關系, 電流斜率不隨溫度改變,
物理學報 2021年7期2021-05-07
- Application of Ag/ZnO composite materials in nitrogen photofixation: Constructing Schottky barrier to realized effective charge carrier separation
中的應用：構造肖特基勢壘以實現有效的電荷載流子分離肖 宇，歐陽宇欣，辛 月，王梁炳*(中南大學 材料科學與工程學院 粉末冶金國家重點實驗室，長沙 410083)將氮氣(N2)光催化還原為氨(NH3)是一種可持續的能源生產方法。等離激元共振光催化劑能夠通過表面等離激元共振效應實現太陽能的有效轉化，也因此受到越來越廣泛的關注。然而，熱載流子往往會在催化固氮的過程中發生重新結合。本研究將具有等離激元共振效應的Ag納米粒子與ZnO半導體復合(Ag/ZnO)并應用于
貴金屬 2021年4期2021-04-06
- 一種肖特基二極管氫氣傳感器芯體
發明公開了一種肖特基二極管氫氣傳感器芯體。所述肖特基二極管氫氣傳感器芯體由4層結構和導電引線構成，4層結構依次是氫氣裂解金屬層、羥基擴散阻隔層、半導體層和集流體層，從氫氣裂解金屬層和集流體層分別引出導電引線。本發明中所述肖特基二極管氫氣傳感器芯體具有室溫下抗濕度干擾的特殊性能，室溫下氣體環境中的水蒸氣不會降低所述肖特基二極管氫氣傳感器芯體對氫氣的靈敏度，克服了現有無羥基擴散阻隔層的普通氫氣裂解金屬層/半導體層肖特基二極管氫氣傳感器芯體在室溫下濕度降低其氫敏
傳感器世界 2021年7期2021-03-27
- InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子帶系綜蒙特卡洛模擬
彥InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子帶系綜蒙特卡洛模擬李金培 杜剛 劉力鋒 劉曉彥?北京大學微電子學研究院, 北京 100871; ?通信作者, E-mail: xyliu@ime.pku.edu.cn采用基于有效質量近似的多子帶、多能谷系綜蒙特卡洛方法, 考慮納米尺度 MOSFET 溝道二維電子氣中實際存在的多種散射機制, 模擬 InGaAs 肖特基源漏 MOSFET。結果顯示, 在穩態下, 散射雖然改變了InGaAs 肖特基源漏 MOSFET 溝
北京大學學報（自然科學版） 2020年6期2020-12-01
- 一種基于深肖特基勢壘輔助柵控制的隧穿場效應晶體管
提出一種基于深肖特基勢壘輔助柵控制的隧穿場效應晶體管。傳統肖特基勢壘晶體管希望勢壘盡可能降低[8-9]，與此不同，所設計器件利用深肖特基勢壘來克服由肖特基勢壘隧穿產生的電流，使源漏與硅體接觸界面處的正向導通電流，即帶帶隧穿（BTBT）電流，實現最大化。新器件利用輔助柵電極有效抑制反向漏電流，與傳統SB MOSFET或者JL FETs相比，能獲得低亞閾值擺幅、更小的反向偏置GIDL電流和高開關電流比等優越性能。2 HSB-TFET器件結構所設計的深肖特基勢壘
微處理機 2020年4期2020-08-24
- 用于提高微波無線能量傳輸系統接收端能量轉換效率的肖特基二極管*
折疊空間電荷區肖特基二極管, 該器件結構可以顯著降低肖特基二極管的零偏置電容, 利于能量轉換效率的提高. 通過在ADS 仿真軟件中使用該器件SPICE 模型進行整流電路仿真, 在輸入能量為24.5 dBm時, 獲得了75.4%的轉換效率.1 引 言微波無線能量傳輸系統(microwave wireless power transfer, MWPT)是一種可以突破傳輸線限制的在空間中自由輸送電能的系統裝置, 可以將空間中廣泛存在的自由電磁波轉換成為直流能量以
物理學報 2020年10期2020-06-04
- MOS光伏旁路開關電路
路保護電路——肖特基二極管的工作特性和缺點，并通過第三代MOS光伏旁路開關工作原理、電路結構、性能特點的分析和對比，證明MOS光伏旁路開關電路可以有效解決目前光伏電站現有的問題和可靠性風險。1 光伏旁路保護電路典型失效分析在光伏電站的實際使用過程中，對接線盒失效現象進行了不完全統計，發現接線盒的失效現象中由于光伏旁路保護電路原因引起的失效占到了80%，其中光伏旁路保護電路擊穿失效占63%，光伏旁路保護電路異常發熱失效占17%，接線盒失效比例見圖1。對光伏旁
電子元器件與信息技術 2020年2期2020-05-14
- 二維電場分布對JBS二極管阻斷特性影響的仿真分析
名為結勢壘控制肖特基二極管（JBS 二極管）的結構被提出[3-4]。該結構是在肖特基接觸周圍設置高摻雜的P+區來實現的，相較于肖特基二極管，可以更有效地提高反向阻斷電壓且保留快速開關的特點[5]。但P+結的出現也犧牲了一部分肖特基接觸面積，使正向導通電流密度增加了[6]。P+區的引入，使器件的電場呈現二維分布，此時可通過P+區寬度和結深的改變來改變[7]?；诖?，從二維電場分布入手，針對P+區寬度和結深對JBS 二極管反向阻斷特性的影響來展開討論。2 JB
微處理機 2019年6期2019-12-26
- 肖特基二極管氫氣傳感器的試驗研究
型[2,3]、肖特基二極管型等，每種傳感器都有其優點和缺點。肖特基二極管氫氣傳感器是一種新型的氫氣傳感器，具有工作溫度低、選擇性好的特點，且可以利用微加工技術實現批量制造，可確保同一批次傳感器的均一性和互換性[4]。由于肖特基二極管氫氣傳感器的諸多優點，國內外研究者展開了廣泛的研究。鐘德剛等人[5]采用NO直接氧化制備氮氧化物，并以該氮氧化物作為絕緣層制備高性能Si基MOS肖特基二極管式氣體傳感器，結果顯示,傳感器靈敏度高、重復性好、檢測極限低，可以檢測濃
傳感器與微系統 2019年9期2019-09-11
- 高速晶體管研制成功
員首次制備出以肖特基結作為發射結的垂直結構晶體管“硅- 石墨烯- 鍺晶體管”。目前已報道的石墨烯基區晶體管普遍采用隧穿發射結，然而隧穿發射結的勢壘高度嚴重限制了晶體管作為高速電子器件的發展前景。研究團隊通過半導體薄膜和石墨烯轉移工藝，首次制備出以肖特基結作為發射結的垂直結構的“硅- 石墨烯- 鍺晶體管”。研究人員表示，與已報道的隧穿發射結相比，硅-石墨烯肖特基結表現出目前最大的開態電流和最小的發射結電容，從而得到最短的發射結充電時間，器件的截止頻率由約1.
發明與創新 2019年41期2019-04-14
- 高速晶體管研制成功
員首次制備出以肖特基結作為發射結的垂直結構晶體管“硅-石墨烯-鍺晶體管”。目前已報道的石墨烯基區晶體管普遍采用隧穿發射結，然而隧穿發射結的勢壘高度嚴重限制了晶體管作為高速電子器件的發展前景。研究團隊通過半導體薄膜和石墨烯轉移工藝，首次制備出以肖特基結作為發射結的垂直結構的“硅-石墨烯-鍺晶體管”。研究人員表示，與已報道的隧穿發射結相比，硅-石墨烯肖特基結表現出目前最大的開態電流和最小的發射結電容，從而得到最短的發射結充電時間，器件的截止頻率由約1.0MHz
發明與創新·大科技 2019年11期2019-03-07
- Pt/Au/n-InGaN肖特基接觸的電流輸運機理?
n-InGaN肖特基接觸的勢壘特性和電流輸運機理,結果表明,在不同背景載流子濃度下,Pt/Au/n-InGaN肖特基勢壘特性差異明顯.研究發現,較低生長溫度制備的InGaN中存在的高密度施主態氮空位(VN)缺陷導致背景載流子濃度增高,同時通過熱電子發射模式擬合得到高背景載流子濃度的InGaN肖特基勢壘高度和理想因子與熱電子場發射模式下的結果差別很大,表明VN缺陷誘發了隧穿機理并降低了肖特基勢壘高度,相應的隧穿電流顯著增大了肖特基勢壘總的輸運電流,證實熱電子
物理學報 2018年21期2018-12-02
- 不同放射源在同位素電池換能單元肖特基結 金屬中的能量沉積
p-i-n結和肖特基結的輻伏同位素電池進行了廣泛的研究[2-4]，已有結果表明，基于傳統Ge，Si，GaAs半導體p-n結的核電池轉換效率都很低并存在壽命短等問題，主要原因是高能粒子輻射下材料的性能退化和p-n結低的載流子分離效率。通過采用耐輻射的寬禁帶半導體材料(如GaN，SiC等)是解決這些問題的有效途徑，尤其是金剛石具備優異的抗輻射能力、大的禁帶寬度(5.45 eV)、高載流子遷移率而更加引人關注[6-7]，基于金剛石半導體的肖特基結輻伏同位素電池也
西南科技大學學報 2018年3期2018-09-27
- MPS二極管特性折衷的研究
系統，可以使用肖特基二極管。對于中高壓系統，大部分使用PIN結構的二極管。但是，這種PIN二極管具有較差的開關特性（大峰值反向恢復電流，長關斷時間和較差的反向di/dt）[2]。通常通過金或鉑摻雜、電子輻照、輕離子輻照等少數載流子壽命控制技術，來改善PIN二極管的反向恢復特性。但是這種壽命控制技術導致正向壓降和反向漏電流的增加[3-4]。通過改變陽極結構，控制陽極的注入效率，調制其內部的載流子分布，從而獲得較軟的反向恢復特性和較好的導通特性[5]。MPS二
微處理機 2018年1期2018-02-08
- Ka頻段氮化鎵功放的預失真線性化器設計
器，用盡量少的肖特基二極管產生非線性補償信號，改良了傳統的電路結構，采用開環技術，舍棄使用功分器構成的環路或雙環路電路結構，更簡單且穩定性更高。調諧部位少，調試簡單，易于集成和安裝，降低了成本，這種預失真電路結構還沒有相關報道。本文首先介紹模擬預失真技術和具體電路，再從理論方面分析該電路的可行性，最后通過專用電磁仿真軟件ADS2013驗證其性能并與實測結果進行比較。1 模擬預失真技術預失真技術是在信號進入功率放大器之前，先通過一個與功率放大器的非線性失真特
計算機測量與控制 2018年1期2018-02-05
- Vishay 推出新款表面貼裝TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器系列
h MOS勢壘肖特基整流器系列該器件采用eSMP系列的SlimDPAK(TO-252AE)封裝。Vishay General Semiconductor整流器比其它的DPAK(TO-252AA)封裝的器件更薄，而散熱性能更好，反向電壓可以從45V到150V，正向導通壓降低，電流等級高。發布的40顆肖特基整流器集合了TMBS技術和SlimDPAK封裝的優點，單管芯結構的電流等級能達到35A，雙管芯共陰極結構的電流等級達到40A。器件的PCB占位與DPAK封裝
電子制作 2017年18期2017-12-30
- 利用碳化硅改善燃料電池汽車升壓轉換器效率的研究
準二極管和Si肖特基二極管。使用SiC代替上述兩個部件的Si材料，形成SiC標準二極管和SiC肖特基二極管。由于SiC具有較小的寬帶間隙，因而SiC標準二極管和SiC肖特基二極管的尺寸較小，使其內部電阻也隨之降低，而轉換的響應速度則隨之提高，實現了升壓轉換器功率模塊尺寸和電能損耗的降低，以及轉換頻率的升高。在日本豐田汽車公司和日野汽車公司聯合生產的Oiden燃料電池汽車上，對SiC標準二極管和SiC肖特基二極管的性能進行測試。測試結果顯示，與Si標準二極管
汽車文摘 2017年5期2017-12-05
- GaN基p-i-n和肖特基紫外探測器的響應光譜及暗電流特性
基p-i-n和肖特基紫外探測器的響應光譜及暗電流特性易淋凱1， 黃佳琳1， 周 梅1*， 李春燕1*， 趙德剛2(1. 中國農業大學理學院 應用物理系， 北京 100083； 2. 中國科學院半導體研究所 集成光電子國家重點實驗室， 北京 100083)研究了p-i-n型和肖特基型GaN基紫外探測器的響應光譜和暗電流特性。實驗發現，隨著p-GaN層厚度的增加，p-i-n型紫外探測器的響應度下降，并且在短波處下降更加明顯。肖特基探測器的響應度明顯比p-i-n
發光學報 2017年10期2017-10-10
- Si肖特基二極管直流及高頻建模*
0084)Si肖特基二極管直流及高頻建模*劉江宜，唐楊，王丁，王燕*(清華大學微納電子系，北京100084)采用分段提參的方法，針對SMIC 130 nm CMOS工藝下CoSi2-Si肖特基二極管的直流及高頻特性建立統一模型。直流時除了熱發射效應，也考慮了勢壘不均勻效應、大注入效應及隧穿效應的影響。高頻時，在直流特性基礎上特別考慮了襯底以及金屬寄生效應的影響。該模型直流擬合誤差為1.26%，高頻時在整個測試頻段(1 GHz～67 GHz)內電阻、電容擬合
電子器件 2017年1期2017-09-06
- Ni(W)Si/Si肖特基勢壘二極管電學特性研究
W)Si/Si肖特基勢壘二極管電學特性研究石青宏1，劉瑞慶2，黃 偉2(1.深圳深愛半導體股份有限公司，廣東 深圳 518116；2.中國電子科技集團公司第 58 研究所，江蘇 無錫 214072)首次提出在 Ni中摻入夾層 W 的方法來提高 NiSi的熱穩定性。具有此結構的薄膜，經600～800 ℃快速熱退火后，薄層電阻保持較低值，小于 2 Ω/□。經 Raman 光譜分析表明，薄膜中只存在 NiSi相，而沒有 NiSi2生成。Ni(W)Si的薄層電阻由
電子與封裝 2017年6期2017-06-27
- 表面處理對肖特基接觸的影響
咸?表面處理對肖特基接觸的影響霍蕩蕩1,2，鄭英奎2，陳詩哲1,2，魏 珂2，李培咸1（1. 西安電子科技大學先進材料與納米科技學院，陜西西安 710126；2. 中國科學院微電子研究所，北京 100029）研究了不同的表面處理方法對器件肖特基特性的影響。實驗結果表明，采用氧等離子體及體積比(HF:NH4F)為1:7的BOE溶液對AlGaN/GaN異質結材料表面進行處理后，其肖特基接觸特性比鹽酸或者氨水溶液處理有了明顯的改善。當柵壓為–50 V時，柵反向漏
電子元件與材料 2017年6期2017-06-13
- 柵條狀和蜂窩狀結構結勢壘肖特基整流器（JBSR）性能對比*
窩狀結構結勢壘肖特基整流器（JBSR）性能對比*高樺，柴彥科，劉肅*（蘭州大學物理科學與技術學院微電子所，蘭州730000）柵條狀和蜂窩狀平面結構的結勢壘肖特基整流管（JBSR）的不同之處在于其溝道有效面積的大小不同。從這兩種平面結構的結勢壘肖特基整流管（JBSR）的工藝和電學特性來看，適當的增大JBSR器件的溝道有效面積，可使JBSR器件的擊穿電壓得到提高。蜂窩狀平面結構JBSR器件的溝道有效面積較柵條狀器件的小，開啟電壓低，但反向耐壓不如柵條狀平面結構
電子器件 2016年2期2016-10-13
- 肖特基二極管用硅外延片過渡區控制研究
王鐵剛摘 要 肖特基二極管是一種低功耗、超高速半導體器件，具有正向壓降小、開關頻率高等特點，高性能的肖特基二極管器件需要高質量的外延材料，生長出高質量的外延層成了制作高頻肖特基二極管的關鍵。關鍵詞 肖特基；二極管實驗；工藝改善中圖分類號 TN3 文獻標識碼 A 文章編號 1674-6708（2016）161-0137-02肖特基二極管也被稱為肖特基勢壘二極管是一種低功耗、超高速半導體器件，具有正向壓降小、開關頻率高等特點，肖特基二極管被廣泛應用于變頻器、開
科技傳播 2016年8期2016-07-13
- Al/CuO肖特基結換能元芯片的非線性電爆換能特性
-13]。根據肖特基勢壘(Schottky barrier)理論,金屬Al薄膜和CuO半導體薄膜接觸時會因為肖特基勢壘的存在,形成肖特基結[14-18]。這一特性使得Al/CuO復合薄膜在外電場作用下產生類似于肖特基二極管的整流效應。將Al/CuO復合薄膜設計制備成電爆換能元,既可以利用Al薄膜和CuO薄膜的化學反應能提高換能元輸出效率,同時由于復合薄膜的整流效應,還可以使換能元具備一定的發火閾值,使其擁有非線性電爆換能的特性。為了提高火工品的安全性能,同
含能材料 2016年3期2016-05-08
- Schottky Barrier Diode Based on Super-Junction Structure
基于超結結構的肖特基勢壘二極管馬 奎，楊發順，傅興華(貴州大學電子科學系；貴州省微納電子與軟件技術重點實驗室 貴陽 550025)在功率半導體器件中，高的反向擊穿電壓和低的正向導通電阻之間的矛盾關系是影響其發展的主要因素之一，選用超結結構替代功率半導體器件中的傳統電壓支持層能夠有效緩解這一矛盾關系。該文設計和實現了一種超結肖特基二極管，其中的電壓支持層采用P柱和N柱交替構成的超結結構。在器件的制作方面，選用成熟的單步微電子工藝，通過4次N型外延和4次選擇性
電子科技大學學報 2015年1期2015-10-14
- 混合PiN/Schottky二極管的研究
MPS二極管、肖特基二極管、PIN二極管的伏安特性進行模擬，結果表明MPS二極管正向壓降小，電流密度大，反向漏電流小，是一種具有肖特基正向特性和PN結反向特性的新型整流器.可以通過改變肖特基和PN結的面積比來調整MPS二極管的性能，與肖特基二極管和PIN二極管相比具有明顯的優勢，是功率系統不可或缺的功率整流管。MPS；PiN；Schottky；伏安特性；模擬電力電子技術的發展使作為電力電子技術重要基礎的電力電子器件得到了廣泛的關注和研究。功率整流管是電力電
電子設計工程 2014年15期2014-09-25
- Analysis of Temperature Characteristic and Design of Interface ASIC Based on Ring Schottky Diode for MEMS Gyroscope*
理，提出了環形肖特基二極管與跨阻放大器結構，理論分析了它的功能與溫度特性。在此基礎上，設計了一款MEMS陀螺儀接口ASIC電路，適用于諧振頻率3 kHz～10 kHz的MEMS陀螺儀。1 MEMS陀螺儀與電路原理分析MEMS陀螺儀基于科里奧里力效應［8］，是一種線振動陀螺儀。圖1所示是EMMS陀螺儀的結構圖。它包含兩個振動模態，即驅動模態與檢測模態［9］。其中，沿驅動軸即x軸方向給質量塊施加正弦激勵，質量塊做正弦運動，如果在z軸方向施加一個角速度Ω，將在檢
傳感技術學報 2014年3期2014-09-08
- 10 A/600 V大功率硅基JBS肖特基二極管的制備*
功率硅基JBS肖特基二極管的制備*陳菩祥,高 樺,李海蓉,劉 肅*(蘭州大學微電子所,蘭州 730000)為了彌補傳統肖特基二極管漏電流大和反向耐壓低的不足,采用柵條P+-N結和肖特基結嵌套形成結勢壘肖特基二極管(JBS),終端結構由7道場限環和1道切斷環構成。通過模擬確定最優參數后流片試驗,同步制備肖特基二極管(SBD)和PiN二極管作為對比。結果表明:制備的JBS二極管兼備SBD二極管正偏和PiN二極管反偏的優點。在漏電流密度小于1×10-5A/cm2
電子器件 2014年6期2014-09-06
- JBS結構肖特基整流器
2）JBS結構肖特基整流器唐 冬，劉 旸，徐 衡（中國電子科技集團公司第四十七研究所，沈陽110032）介紹了結勢壘控制肖特基整流管（Junction-Barrier-controlled Schottky-Rectifier，JBS）的結構原理，論述了JBS結構肖特基整流器的正向特性和反向特性，通過對擴散掩膜尺寸m和擴散P＋區時窗口寬度S的工藝模擬，歸納出m、s變化對器件參數正向壓降和反向漏電流密度的影響。并通過實際產品進行驗證，得出JBS結構肖特基整流
微處理機 2014年5期2014-08-07
- NiCr勢壘肖特基技術
等新工藝技術。肖特基二極管是以其發明人肖特基(Schottky)博士命名的，SBD是肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的功函數差勢壘原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種多數載流子輸運的單極器件。在通常情況下，一般采用金屬—半導體接觸來形成肖特基勢壘，但是由于金屬與半導體接觸時，接觸界面
微處理機 2013年1期2013-06-13
- Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實現雙倍功率密度
芯心尺寸封裝的肖特基（Schottky）二極管，為智能手機及平板電腦的設計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現雙倍功率密度。全新30 V及0.2A SDM0230CSP肖特基二極管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盤封裝，熱阻僅為261oC/W，比DFN0603封裝低約一半，有效把開關、反向阻斷和整流電路的功耗減半。SDM0230CSP的占位面積為0.18 mm2，比采用了行業標準的DFN1006及SOD
電子設計工程 2013年14期2013-03-26
- Vishay發布采用SlimSMA?封裝的新款45 V TMBSTMTrench MOS勢壘肖特基整流器
h MOS勢壘肖特基整流器——VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95 mm的表面貼裝SlimSMATMDO-221AC封裝，正向電流為3 A和5 A。新的VSSAF3L45和VSSAF5L45在3 A下具有0.37 V的極低正向壓降，可在低壓高頻DC/DC轉換器、續流二極管，以及智能手機充電器等空間受限應用的極性保護中減少功率損耗，并提高效率。新整流器的最高工作結溫為+150℃，MSL潮濕敏感度等級達到per J-STD-020的1
電子設計工程 2013年1期2013-03-24
- 一種改進太陽能計算器芯片二極管穩壓電路設計
N結二極管改為肖特基二極管，使其正向飽和壓降處于一個合理的區間，避免上述的“鬼影”現象，從而達到改善太陽能應用的目的。2 肖特基二極管的特性肖特基二極管也稱肖特基勢壘二極管，肖特基二極管是以金屬（金、銀、鋁、鉑等）為正極，以N型半導體為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。肖特基二極管具有以下特性：（1）正向壓降小，約0.35V左右，比PN結二極管0.7V的壓降小很多；（3）更穩定的溫度特性；（4）有較高的工作頻率和開關速度
電子與封裝 2012年10期2012-05-31
- Vishay發布12個采用不同封裝的45V TMBS TrenchMOS勢壘肖特基整流器
MOS 勢壘肖特基整流器。 這些整流器在20 A電流下具有0.51 V的極低正向壓降，適合在太陽能電池接線盒中用作起保護作用的旁路二極管。發布的產品包括單芯片 V（B，F）T1045BP、V（B，F）T2045BP、V（B，F）T3045BP 和 V（B，F）T4045BP。 每款器件均提供功率TO-220AC、ITO-220AC和TO-263AB封裝。所有整流器在沒有反向偏置（t≤1小時）的直流正向電流下的最高結溫為200℃。器件符合RoHS指令200
電子設計工程 2012年3期2012-03-31
- 安森美半導體推出帶集成肖特基二極管的MOSFET
容,推出帶集成肖特基二極管的30 V產品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF 及 NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 mΩ、3 mΩ及5 mΩ的最大導通阻抗(RDS(on))值,針對降壓轉換器應用中的同步端而優化,實現更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規格分別為39.6 nC、25.6 nC及12.2 nC,確保開關損耗保持最低。安森美半導體這些新的功率MOSFET典型應用包括用于服務器、電信網絡設施、
單片機與嵌入式系統應用 2010年6期2010-04-04
- Ni（W）Si/Si肖特基勢壘二極管電學特性研究
參數測試儀測量肖特基二極管的正反向特性。3 結果和討論3.1 Ni（W）Si薄膜的薄層電阻用四探針法測量經不同溫度快速熱退火后的Ni（W）Si薄膜的薄層電阻，結果如圖1所示。由圖1可以看出，CapTi/Ni/Si結構經600℃～700℃快速熱退火后，該硅化物的薄層電阻為3.0 Ω/□～3.2Ω/□。當快速熱退火溫度升高到750℃時，薄膜電阻就增大到4.5 Ω/□，這個實驗結果已被張慧等人報道[6]。而由夾層結構得到的Ni（W）Si薄膜經受600℃～800℃
電子與封裝 2010年10期2010-02-26