薄膜晶體管(TFT)介紹薄膜晶體管物理與技術

薄膜晶體管（TFT）是場效應晶體管的一種。人類對薄膜晶體管的研究工作已經有很長的歷史。1962年Weimer用多晶 CaS 薄膜做成了薄膜晶體管。薄膜晶體管通常是在基板上沉積各種不同的薄膜制作而成，這些薄膜包括半導體主動層、介電層和金屬電極層。薄膜晶體管對顯示器工作性能的提升具有十分重要的作用。近年來，由于低費用、大陣列顯示的需求薄膜晶體管的研究廣為興起。

本書概覽了大量電子工業領域人員感興趣的主流薄膜晶體管的原理、應用和技術，并基于制備材料對不同種類的薄膜晶體管進行了詳細的介紹，如氫化非晶硅、多晶硅、透明非晶氧化物半導體和有機半導體薄膜晶體管。全書共12章：1.引言；第1部分 背景，包含第2-4章：2.薄膜晶體管的半導體器件物理；3.絕緣柵場效應晶體管；4.有源矩陣平板顯示器。第2部分 薄膜晶體管，包括第5-10章：5.氫化非晶硅薄膜晶體管技術與構架；6.氫化非晶硅薄膜晶體管性能；7.多晶硅薄膜晶體管技術與構架；8.多晶硅薄膜晶體管性能；9.透明非晶氧化物半導體薄膜晶體管；10.有機薄膜晶體管。第3部分 新型襯底和器件，含第11-12章：11.柔性基底薄膜晶體管；12.源門控晶體管。

本書涵蓋了薄膜晶體管所有主要的技術，是大面積顯示電子行業的科學家和工程師、從事薄膜晶體管研究的學生與科學家的重要參考書，也可做為本科和研究生教學參考。

作者Stan.D.Brotherton博士，目前是薄膜晶體管獨立顧問，之前是英國飛利浦實驗室資深科學家，研究范圍包括半導體器件及其相關材料問題，尤其是深度缺陷對硅器件性能的影響；在器件研究方面包括MOSFET和CCD，功率器件及紅外成像器件；最近研究主要集中在薄膜晶體管上，并創立了飛利浦多晶硅薄膜晶體管研究計劃，同時也在其他一些薄膜晶體管國際組織從事顧問工作。

杜利東，助理研究員

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