晶體管
- 行業
1nm柵極長度晶體管近日，清華大學集成電路學院任天令教授團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破，首次實現了具有亞1納米柵極長度的晶體管，并具有良好的電學性能。。這一成果3月10日以“具有亞1納米柵極長度的垂直硫化鉬晶體管”為題，在線發表在國際頂級學術期刊《自然》上。據介紹，目前主流工業界晶體管的柵極尺寸在12nm以上，日本在2012年實現了等效3nm的平面無結型硅基晶體管，2016年美國實現了物理柵長為1nm的平面硫化鉬晶體管，而清華大學目前實現等效的物理
智能建筑與智慧城市 2022年4期2022-12-30
- 垂直短溝道二硫化鉬場效應晶體管*
維材料的場效應晶體管在超大規模集成技術方面具有非常大的應用潛力,因此開發高性能的短溝道二維半導體場效應晶體管是構建超大規模集成的必經之路.對于二維材料,獲得10 nm 以下溝道長度的二維半導體晶體管難度較大,目前很少有穩定制備亞10 nm 二維半導體晶體管的方法.本文使用石墨烯作為接觸材料,氮化硼作為間隔,可以穩定制備垂直短溝道二硫化鉬場效應晶體管.基于此方法,制備了8 nm 氮化硼間隔的垂直短溝道二硫化鉬場效應晶體管.該器件展現出良好的開關特性,在不同的
物理學報 2022年21期2022-11-14
- OLED 亮度電路漏電流補償技術分析
路通常包括開關晶體管、驅動晶體管和存儲電容器。有源矩陣有機發光二極管的像素特性受到驅動晶體管之間的差異和開關晶體管漏電流的不利因素的影響，因此，通過這樣的多個像素顯示的圖像質量均勻性和一致性較差［2］。為此，國內外許多公司都先后提出了許多解決漏電流補償的像素結構，本研究利用專利數據庫對國內外提出的漏電流補償技術進行了檢索，并介紹了其中幾種典型的漏電流補償技術。1 傳統的像素電路結構在這種傳統的有源矩陣有機發光二極管顯示裝置中，理想狀態下，當開關晶體管被截止
河南科技 2022年14期2022-08-03
- 大功率晶體管高溫功率老煉方法探究
出了針對大功率晶體管，控制環境溫度的功率老煉篩選方法，并介紹了如何進行老煉篩選應力的確定和控制， 通過理論分析和試驗證明，這種方法是切實可行的，能達到老煉篩選的預期目標。關鍵詞：大功率;晶體管;老煉篩選一、引言大功率晶體管是很多高精密設備和系統的關鍵器件，廣泛應用于航空、航天、武器裝備等高科技領域，有很高的可靠性要求。因此，在晶體管的設計、研制、生產、試驗、篩選及驗收等各個過程，均制定了嚴格的要求、詳細的技術規范和試驗方法，通過執行這些要求和方法保證電子器
科教創新與實踐 2021年34期2021-11-14
- 薄膜晶體管的專利研究進展分析
心 張雄娥薄膜晶體管的專利研究已然成為全球研究熱點，本文針對薄膜晶體管，開展關于薄膜晶體管的全球專利技術申請相關情況分析，主要涉及專利申請量布局、申請人統計分析以及專利申請的地區分布。隨著顯示器件的不斷發展，薄膜晶體管(TFT)作為顯示器元件的陣列基板開關元件起到陣列驅動的作用，并且在平板顯示技術的應用中尤為突出，薄膜晶體管已然成為微電子技術特別是顯示技術領域的核心技術之一，起到核心作用的薄膜晶體管的研究儼然已成為全球專利技術研究熱點。為實現目前顯示領域的
電子世界 2021年17期2021-11-05
- 讓集成最大化
電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍。第一個集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的，其中只包括一個雙極性晶體管、三個電阻和一個電容器。發展到2010年，一塊計算機CPU芯片上的晶體管數目已經達到11.7億個。摩爾定律是摩爾的經驗之談，并非自然科學定律，但在一定程度上揭示了信息技術進步的速度。什么是晶體管？晶體管是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調
少兒科學周刊·少年版 2021年24期2021-03-24
- 什么是晶體管？
晶體管是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等），具有檢波、整流、放大開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流并關，寫署通機城并關不筒，囂體詈利用電信號來控制自身的開合，所以開關速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達100GHZ以上。集成電器的分類我們常說的芯片，實際上就是封裝好的集成電路。根據一個芯片上集成的微電子器件的數量我們可以把集成電路分為以下幾類：
少兒科學周刊·兒童版 2021年24期2021-03-24
- 德國研發成功首個碳納米管16位計算機
術學院碳納米管晶體管開發取得重大進展:成功制造了一臺完全由碳納米管晶體管構成的16位計算機。研發過程中，技術學院開發了一種可行的納米管晶體管技術，以提供p型金屬氧化物半導體(PMOS)和n型金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管，滿足數字電子學中基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術的邏輯電路的執行。該納米管計算機采用CMOS技術，在16位數據上運行32位指令，晶體管通道長度約為1.5微米。此研究是基于每個晶體管通道中幾個納米管的平均性能，在未來大規模納米管
上海節能 2020年1期2020-12-20
- 基于硅襯底的NPN型超高頻低噪聲晶體管的研制方法
型超高頻低噪聲晶體管的研制技術，旨在為研究人員提供相關經驗參考?！娟P鍵詞】NPN;超高頻低噪聲;晶體管;研制方法前言微波集成電路的發展在不斷更新，主要以小型化、毫米波為主，在體積上要求器件盡可能小，這樣利于使用頻率的進一步提高。NPN型硅超高頻低噪聲晶體管是一種微波半導體器件，其特點是：超高頻性好、功率高、噪聲低，被廣泛運用在超高頻或直流信號放大，混頻、變頻或者低噪聲放大的電路中，也可運用于星載天線接受信號的放大等，是各微波通信中的重要組成器件。因此相比通
裝備維修技術 2020年15期2020-11-28
- 利用晶體管設計高頻小信號放大器的方法
小信號放大器;晶體管;通信原理;無線通信引言：信號經過較長的距離傳輸會受到損失和干擾，接收設備接收到的是非常微弱的高頻窄帶小信號，在信號作進一步處理之前，應當經過信號放大和減弱干擾的處理，即為高頻小信號放大器。其功能是對微弱的高頻小信號進行不失真線性放大，從其信號頻域來看，要求有相同輸入信號頻譜函數和放大輸出信號的頻譜函數。在因為高頻小信號放大器容易產生自激振蕩和容易受到外界干擾，阻抗匹配難以實現，所以該文利用晶體管設計高頻小信號放大器并對其改進。一、高頻
青年生活 2020年31期2020-10-14
- 基于Multisim的晶體管輸入特性仿真研究
能兩種方式仿真晶體管輸入特性曲線。在晶體管輸入特性曲線教學過程中通過仿真的使用，促進了學生對知識點的掌握和理解，提高了學習電子技術的興趣。關鍵詞：Multisim;電路仿真;晶體管;輸入特性曲線1 引言Multisim是美國國家儀器（NI）有限公司推出的以Windows為基礎的一個專門用于電子電路仿真與設計的EDA工具軟件。該軟件以圖形界面為主，用可以根據自己的習慣和熟悉程度來使用[1].利用Multisim軟件構建電路，不僅操作簡單，而且能直觀地觀察電路
卷宗 2020年15期2020-08-06
- 電子設備靜電防護與研究
子設備 靜電 晶體管 防治措施各種類型電子計算機還有通訊設備中采取了不同的電子技術，采取眾多的半導體、大規模集成電路等電子元器件，各個器件都擁有著自身與眾不同的功能和特性。但是，這些元器件承受靜電等過電壓沖擊的能力卻千差萬別，靜電會導致電子設備中的部分元器件出現損壞的情況，整個計算機或者通訊設備會發生諸多的故障，甚至系統癱瘓，給人們的工作和生活帶來了諸多的不便。就非常有必要研究電子設備所造成的一系列危害，避免經典對計算機等電子設備的損害有著積極的作用。一、
數碼世界 2019年7期2019-09-16
- 電力系統繼電保護不穩定原因及措施
保護;不穩定;晶體管 一、電力系統繼電保護不穩定原因（一）軟件在計算機技術飛速發展的背景下，對優化電力系統的技術創造了有利的條件。電力企業在發展過程中，為了優化繼電保護裝置，引入了網絡程序技術。但是，對繼電保護裝置有關軟件進行開發與應用時，因為屬于初級階段，在程序中，存在編碼錯誤的問題，因而降低了繼電保護系統運行的穩定性[1]。（二）硬件在繼電保護裝置中，涉及到較多的硬件設備，比如，斷路器和通信設備等，當硬件存在問題，容易出現電力系統繼電保護不穩定的問題，
中國電氣工程學報 2019年7期2019-09-10
- 場效應晶體管短路失效的數值模型
硅材料的場效應晶體管更適合于高頻、高溫、高耐壓等功率變換場合。在實際的應用中，功率場效應晶體管經常會遭遇短路事故，尤其是電機驅動系統，在保護電路能夠介于之前，人們希望功率場效應晶體管能夠具有一定的短路抵御能力。然而，由于碳化硅/氧化物界面陷阱密度比硅/氧化物高兩個數量級，為了取得較高的閾值電壓，碳化硅場效應晶體管的氧化層厚度往往設計得比硅場效應晶體管的薄，這使得在高電應力的條件下，碳化硅場效應晶體管的氧化層更容易失效[3]；同時，由于同樣功率等級的情況下，
西安電子科技大學學報 2019年4期2019-08-20
- 一種全集成的麥克風可編程增益放大器設計
增益放大器; 晶體管; 數字信號處理中圖分類號： TN433?34 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?文獻標識碼： A ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 文章編號： 1004?373X（2019）13?0173?04Design of a fully?integrated programmable gain amplifier for microphoneRUAN Jianjian1， 2， WEI Cong1， CHEN C
現代電子技術 2019年13期2019-07-08
- 高速晶體管研制成功
射結的垂直結構晶體管“硅- 石墨烯- 鍺晶體管”。目前已報道的石墨烯基區晶體管普遍采用隧穿發射結，然而隧穿發射結的勢壘高度嚴重限制了晶體管作為高速電子器件的發展前景。研究團隊通過半導體薄膜和石墨烯轉移工藝，首次制備出以肖特基結作為發射結的垂直結構的“硅- 石墨烯- 鍺晶體管”。研究人員表示，與已報道的隧穿發射結相比，硅-石墨烯肖特基結表現出目前最大的開態電流和最小的發射結電容，從而得到最短的發射結充電時間，器件的截止頻率由約1.0MHz提升至1.2GHz。
發明與創新 2019年41期2019-04-14
- 高速晶體管研制成功
射結的垂直結構晶體管“硅-石墨烯-鍺晶體管”。目前已報道的石墨烯基區晶體管普遍采用隧穿發射結，然而隧穿發射結的勢壘高度嚴重限制了晶體管作為高速電子器件的發展前景。研究團隊通過半導體薄膜和石墨烯轉移工藝，首次制備出以肖特基結作為發射結的垂直結構的“硅-石墨烯-鍺晶體管”。研究人員表示，與已報道的隧穿發射結相比，硅-石墨烯肖特基結表現出目前最大的開態電流和最小的發射結電容，從而得到最短的發射結充電時間，器件的截止頻率由約1.0MHz提升至1.2GHz?？蒲腥藛T
發明與創新·大科技 2019年11期2019-03-07
- 絕緣柵雙極晶體管的仿真設計方法
即絕緣柵雙極型晶體管業已得到廣泛的應用，高壓大電流是其未來的發展方向，近年來已經應用在高壓直流輸電領域。隨著功率容量的不斷提升，對器件的設計制造提出了更高的要求。為了縮短設計周期，提高成品率，降低制造成本，應采用計算機進行仿真，可極大地提高工作效率。論文結合流片的情況應用ISE軟件進行了仿真研究，結果表明，采用軟件仿真的方法能夠有效地指導器件的生產制造?！続bstract】IGBT， i.e. insulated gate bipolar transist
中小企業管理與科技·中旬刊 2019年10期2019-01-30
- 你手機里有幾十億個……？
上面有什么呢？晶體管！所以這幾十億個一定是晶體管了！在兩位十分符合“邏輯”的推理下，正確的答案悄然浮出水面。藏在手機的芯片中、數量有著幾十億個的小玩意兒就是——晶體管。晶體管可以做到非常小，省材料又省電。如果沒有晶體管，手機會比你住的屋子還要大?，F在，小小的芯片上可以承載幾十億個晶體管，電腦、手機都變得輕盈方便。晶體管是一種固體的半導體電子元件，它最基本的作用是放大功能。把什么放大了呢？就是電信號！手機打電話、聽音樂發出的聲音，是由變化的電信號通過喇叭時產
科普童話·百科探秘 2018年11期2018-10-25
- 晶體管功率老煉后關鍵電參數漂移機理分析
廖承龍摘 要：晶體管經過功率老煉后，有些電參數會出現漂移，有些較大的漂移會嚴重影響晶體管的性能。本文主要介紹晶體管功率老煉的原理，發生電參數漂移的主要原因以及一些解決措施，旨在提高我們對晶體管生產過程的認知和改進工藝水平，提高產品可靠性。關鍵詞：晶體管 老煉篩選 關鍵參數 漂移一、引言隨著電子、微電子器件在航空、航天等高科技領域的廣泛應用，對微電子技術提出了更高的可靠性要求。晶體管有效工作壽命就是它的可靠性，即它能夠正常完成某一特定電氣功能的時間。晶體管失
科學與財富 2018年27期2018-10-19
- 從“晶體管”到“云軌”：數字化轉型路上的“西湖電子”
文 楊武提到“西湖電子”，老底子杭州人肯定感到特別親切，很多人家里的第一臺黑白電視機和彩色電視機都是“西湖牌”的。而現在的西湖電子集團以另一種形式出現在人們的日常生活中，在馬路上我們看到越來越多的新能源電動公交車和出租車，其中90%以上都來自西湖電子，綠色出行成為一種生活方式，受到市民和外地游客的高度認可。從傳統家電行業成功轉型到新能源行業，西湖電子集團的華麗轉身讓人們看到了杭州老國企改革創新的身姿。從電視機，到新能源、智能軌道交通，作為一家制造企業在30
杭州 2018年23期2018-07-12
- 抑制波紋晶體管開關穩壓電源電路設計
一種抑制波紋的晶體管開關穩壓電源電路。通過實驗測試，得出文中提出的晶體管開關穩壓電源能夠較好地抑制電源中的干擾。Abstract： This paper analyzes the reasons of ripple produced in switching power supply and ripple suppression methods commonly used. A transistor switching power supply circu
價值工程 2017年35期2018-02-08
- 基于自激振蕩的三相交流電源的設計研究
蕩；移相電路；晶體管；放大倍數Key words： self-excited oscillation；phase shifting circuit；transistor；magnification中圖分類號：TM4 文獻標識碼：A 文章編號：1006-4311（2018）05-0137-021 概述在當前信息化、自動化的時代，各種自動化控制系統層出不窮，充斥在我們的生產生活的各個領域，我國在自動化信息化方面也走在世界的前列。在電子產品和自動化控制系統的測量
價值工程 2018年5期2018-01-24
- C波段固態功率放大器的分析與研究
；功率放大器；晶體管1 C波段固態功率放大器簡介C波段是一個頻率介乎于4.0～8.0 GHz的頻帶，是通信衛星下行傳輸信號的頻段。由于在陰雨天氣中，C波段不會出現雨衰現象，故此，其在衛星電視廣播中得到了廣泛應用。固態功率放大器的工作原理如下：其是由調制機或收信機傳送過來的中頻已調信號，經過發信機中頻放大器后，送至發信混頻器，再經過發混頻，將中頻已調信號轉變為微波已調信號，由單向器去除混頻后的一個邊帶，既可以是上邊帶，也可以是下邊帶，最后由功率放大器將微波已
無線互聯科技 2017年24期2018-01-22
- 晶體管收音機裝、調實踐教學研究
王爍摘 要：晶體管收音機的安裝和調試是高校以培養學生綜合能力為目的在電子工程類專業一年級學生開展的傳統工程實踐課程。本文以CDIO工程教育理念出發，結合傳統教學經驗，用最簡單的收音機為切入點，進行系統原理、分析元器件分析、仿真驗證、組裝和調試，逐步引導學生完成整個晶體管收音機的裝、調實踐項目，讓零基礎學生的也能建立學習興趣，讓學生的理論和實踐等到更緊密的結合。關鍵詞：晶體管 收音機 CDIO工程教育晶體管的發明是人類歷史上的重大事件，它作為當今社會信息化
新教育時代·教師版 2017年18期2017-06-27
- 幾種常見電子放大器件原理的一致性
義?！娟P鍵詞】晶體管 電子管 場效應管 共同點1 前言提起電子放大器件，諸如電子管、晶體三極管、場效應管等都是我們常用的電子器件，我們并不陌生。如果要指出它們有哪些不同點我們能說出很多，但要指出它們三者最大的共同點，我們就有些茫然了，其實它們最大的共同點就是它們的放大原理具有極其相似的一致性。下面就對每種器件僅舉一例予以說明，余可類推。2 幾種電子放大器件的原理如圖1所示的是我們大家比較熟悉的NPN型晶體管共射放大電路，它由發射結和集電結兩個PN結組成。為
電子技術與軟件工程 2017年11期2017-06-10
- “Transistor Density Increase by 1000X”鰭式晶體管密度增加技術
胡正明：“現在晶體管的三極已經可以縮小到1納米的寬度，未來半導體晶體管的密度還將再增加1000倍。這也就意味著互聯網將來的速度和普及度也還有千百倍成長的空間?！卑雽w技術是互聯網的一個重要支柱和驅動力。但在2010年以后，半導體的微型化遇到了一個很大的危機。在晶體管不能再繼續微型化的情況下，摩爾定律就要停止。在這種情勢下，加州大學伯克利團隊創新發明了“鰭式晶體管”——一種垂直的薄膜，它可以讓摩爾定律繼續下去，讓半導體的微型化大幅度再成長。在過去的12個月，
信息化建設 2016年12期2017-05-02
- 2.4GHz低噪聲放大器的設計
11 NPN型晶體管和ATF54143 PHEMT晶體管設計了一款低噪聲放大器（LNA）。在AT-41511 NPN型晶體管LNA仿真優化后，穩定系數大于1，噪聲系數為2.011，增益大于10 dB，S12 <-15，S11，S22<-10，故電路具有良好的傳輸性能，采用ATF54143的PHEMT晶體管LNA仿真所得的噪聲系數為0.738。關鍵詞：晶體管 低噪聲放大器 傳輸性能 噪聲系數中圖分類號：TN722.1 文獻標識碼：A 文章編號：1007-94
數字技術與應用 2016年12期2017-04-15
- 電子設備中晶體管類元件的常見故障及測量方法
苗?電子設備中晶體管類元件的常見故障及測量方法國家新聞出版廣電總局594臺 牛春苗【摘要】本文詳細介紹了電子設備中主要的幾種晶體管器件常見故障的判別和測量方法?！娟P鍵詞】晶體管；PN結；正向電阻；反向電阻1 引言晶體管類器件主要包括晶體二極管、晶體三極管、可控硅及場效應管等。常見的故障如下。⑴擊穿。無論晶體二極管、三極管、還是可控硅等，在元件內部都存在PN結，正常情況下PN結具有單向導電性，當擊穿后將使PN結的正反向電阻一樣或接近，判斷擊穿與否可以用三用表
電子世界 2016年10期2016-07-01
- 電視機中幾種自舉電路的功能綜述
；升壓；電容；晶體管一、黑白電視機行掃描輸出電路中的自舉升壓電路電路：黑白機行輸出電路圖功能：在采用低壓供電且偏轉功率指數保持不變的前提下，將行輸出管集電極供電提高一倍，行偏轉線圈上的電流峰值就可降低一半，使掃描線性得到大大改善。自舉升壓電路組成元件：行輸出變壓器、行輸出開關管、3BG13 、 3BG15 、3C34、電路分析：1.行輸出管3BG13工作在開關狀態，當行輸出管導通時，電源11.5V經3Q4、 3BG15、高壓包初級線圈⑥至⑦段到達行輸出管3
世紀之星·交流版 2016年6期2016-06-27
- 日本開發踩不爛洗不壞響當當的橡膠晶體管
樣柔軟、結實的晶體管。其特點是，利用橡膠和凝膠等制作了晶體管的大部分構成要素，這些構成要素均具備伸縮性。這樣便實現了出色的拉伸性及彎曲伸展性，即使用高跟鞋踩或洗滌，也不會損壞。憑借這一點，有望將其用于貼在人體或衣服上使用的各種大面積傳感器。該晶體管在約1mm或更薄的硅膠中制作了柵極、源極、漏極、柵絕緣膜及溝道。單晶體管的尺寸約為1mm見方，溝道長度約為50μm，溝道寬度約為700μm。據介紹，即使施加約25 kgf/cm2（約245N/cm2），也就是高跟
世界熱帶農業信息 2015年9期2015-05-30
- 碳納米管晶體管制造技術獲得重大突破
碳納米管晶體管制造技術獲得重大突破美國威斯康星大學麥迪遜分校在碳納米管晶體管制造技術方面獲得突破。其開發的新型高性能碳納米管晶體管成功突破了純度和陣列控制兩大難題，開關速度比普通硅晶體管快1000倍，比此前最快的碳納米管晶體管快100倍，使碳納米管晶體管向商業應用邁出了關鍵一步。目前，碳納米管被認為是制造下一代晶體管的理想材料，但高性能的碳納米管晶體管制造面臨著兩大技術難題：一是要達到極高的純度；二是要以極高的精度進行陣列控制。研究人員采用聚合體篩選技術找
軍民兩用技術與產品 2015年3期2015-01-08
- 垂直結構Zno薄膜晶體管制備與工作特性
明氧化物基薄膜晶體管（TFTs），如znO-TFTs和非晶In-Ga-zn-O等，由于它們具有透明、高性能以及可以在低溫條件下制作在柔性襯底上等優勢正成為下一代薄膜晶體管研究的熱點。endprint目前，透明氧化物基薄膜晶體管（TFTs），如znO-TFTs和非晶In-Ga-zn-O等，由于它們具有透明、高性能以及可以在低溫條件下制作在柔性襯底上等優勢正成為下一代薄膜晶體管研究的熱點。endprint目前，透明氧化物基薄膜晶體管（TFTs），如znO-TF
哈爾濱理工大學學報 2014年3期2015-01-04
- 硅烯首次被成功制成晶體管
首次被成功制成晶體管意大利和美國的研究人員合作，在世界上首次基于硅烯材料制成了新型晶體管。硅烯是一種由單個原子厚度的硅制成的二維材料，具有優異的導電性能，在未來的電子產品中應用潛力巨大，但其非常難以制備，單層硅烯材料的制備則更加困難。意大利和美國的研究人員通過研究，不僅制備出了該材料，還開發出了用其制造微晶體管的技術。研究人員首先在鍍有氧化鋁的銀條上制造出硅烯層，然后，硅烯層從培養基上剝落，將銀排斥到二氧化硅晶片的另一面，銀隨后成為允許硅烯單層被用作晶體管
軍民兩用技術與產品 2015年3期2015-01-03
- 薄膜晶體管(TFT)介紹薄膜晶體管物理與技術
薄膜晶體管（TFT）是場效應晶體管的一種。人類對薄膜晶體管的研究工作已經有很長的歷史。1962年Weimer用多晶 CaS 薄膜做成了薄膜晶體管。薄膜晶體管通常是在基板上沉積各種不同的薄膜制作而成，這些薄膜包括半導體主動層、介電層和金屬電極層。薄膜晶體管對顯示器工作性能的提升具有十分重要的作用。近年來，由于低費用、大陣列顯示的需求薄膜晶體管的研究廣為興起。本書概覽了大量電子工業領域人員感興趣的主流薄膜晶體管的原理、應用和技術，并基于制備材料對不同種類的薄膜
國外科技新書評介 2014年6期2014-12-17
- 微型監聽器電路的設計
用?！娟P鍵詞】晶體管;振蕩頻率;電壓;電流Abstract：A miniature monitoring circuit with a few simple components，output power to be able to launch 5-8mW，can achieve the transmission range of 300 meters，and the resolution and high sensitivity，small volum
電子世界 2014年23期2014-10-21
- 認識晶體管
陳江萍摘要：晶體管是電器中常用的電學元件，盡管中學物理中沒有過多的介紹，但了解一些晶體管最基本的知識，對你學習物理和做一些小設計有幫助.關鍵詞：晶體管；二極管；三極管晶體管是由半導體材料制作而成.使用的半導體材料有兩種，一種是鍺半導體，一種是硅半導體，現在都是以后者居多.晶體管可分為晶體二極管和晶體三極管.晶體二極管有PN結，主要特點就是單向導電性.二極管種類可分為一般二極管，穩壓二極管，變容二極管等，使用時可根據電路要求，選用不同種類的二極管.晶體三極管
數理化學習·教育理論版 2013年12期2014-10-08
- 用三角波控制開關電源開關晶體管工作方法的研究
制開關電源開關晶體管工作方法的研究徐敏，程立松（上饒職業技術學院，江西上饒 334109）采用三角波控制開關電源開關晶體管，克服了PWM控制方法存在的控制脈沖死區設定和調節的困難，解決了推挽式變換器、半橋式變換器及全橋式變換器存在開關晶體管共態導通的問題，既提高了開關電源的可靠性，又便于調試。開關電源；開關晶體管；三角波；控制方法1 引言隨著開關電源的使用率不斷提高，對于中、大功率的開關電源的可靠性要求越來越高，由于開關電源開關晶體管是工作在高壓開關狀態，
九江職業技術學院學報 2014年1期2014-06-09
- 日立EuB-5500彩超故障維修及分析
關鍵詞]彩超；晶體管；探頭；醫療設備維修我院3臺EUB-5500彩超，除應用軟件版本有差別外，其他硬件及選配件都一致。為了在故障出現后，根據故障現象判斷故障點，在較短的時間內修復故障，同時尋找彩超發生故障的規律，采取行之有效的維護保養措施，保證設備的正常運行，工作人員不僅要熟悉彩超設備的基本操作方法，也要在每次故障修復后及時總結維修經驗。本文針對幾個設備故障實例進行總結分析。1 故障一1.1故障現象開機后，無法進入正常系統界面。桌面提示“Now Setti
中國醫療設備 2014年4期2014-01-30
- 晶體管中頻變頻器性能改進
中頻變頻器是以晶體管為主要元件的靜止式變頻器，是為中頻電動機設計的專用變頻器，本文通過分析中頻變頻器不同的導通制、輸入輸出電壓波形，結合試驗數據，提出了相關具體改進措施，以改進優化中頻變頻器性能?！娟P鍵詞】晶體管；變頻器；電壓；波形；改進晶體管中頻變頻器是軸承行業中的主要設備，是專用軸承自動磨床中使用的高速電動磨頭驅動電源，不同程度地取代了傳統的中頻發電機組做為特殊供電設備。與其他變頻器不同，它不要求頻繁起、制動，為充分發揮其電源效率，使其達到最佳工作效果
科技致富向導 2013年23期2014-01-09
- 我國科學家實現微電子領域的重大原始創新
隊研發的半浮柵晶體管（SFGT）。多年來，我國的集成電路制造工藝長期處于全球產業鏈的末端。作為微電子領域的重大原始創新，SFGT的技術突破將有助于我國掌握集成電路的關鍵技術，在芯片設計與制造上獲得更大的核心競爭力。在過去的幾十年里，晶體管小型化驗證突破有兩個難題：令人咋舌的制造成本和耗電量。由復旦大學微電子學院副院長張衛領銜的團隊另辟蹊徑：研發新型晶體管。經過4年的不懈探索，張衛課題組終于在全球范圍內率先研發出半浮柵晶體管，實現了世界級的科研突破。與傳統的
電子產品可靠性與環境試驗 2013年5期2013-03-23
- 美國開發出迄今最小砷化銦鎵晶體管
最小的砷化銦鎵晶體管，其長度僅為22納米。隨著硅晶體管降至納米尺度，器件產生的電流量也不斷減小，從而限制了其運行速度，這將導致摩爾定律逐漸走到盡頭。為了延續摩爾定律，科學家們一直在尋找硅的替代品，以能在較小尺度上產生較大電流，其中之一便是砷化銦鎵。麻省理工學院微系統技術實驗室的科學家研究發現，使用砷化銦鎵創建一個納米尺寸的金屬氧化物半導體場效應晶體管（M O S FET）是可能的，并且成功開發出了這種設備。研究人員表示，他們下一步的研究目標是通過消除器件內
河南科技 2012年21期2012-08-15
- 量子隧穿效應“孵出”能效更高的隧穿晶體管
能效更高的隧穿晶體管據報道，美國圣母大學和賓夕法尼亞州立大學的科學家們表示，他們借用量子隧穿效應，研制出了性能可與目前的晶體管相媲美的隧穿場效應晶體管 （TFET）。最新技術有望解決目前芯片上的晶體管生熱過多的問題，在一塊芯片上集成更多的晶體管，從而提高電子設備的計算能力。晶體管是電子設備的基本組成元件，在過去的40年間，科學家們主要通過將更多的晶體管集成到一塊芯片上來提高電子設備的計算能力，但目前這條道路似乎已快走到盡頭。業界認為，半導體工業正在快速地接
電子產品可靠性與環境試驗 2012年3期2012-03-29
- 世界首款高能低耗3-D晶體管進入生產技術階段
特爾公司宣布在晶體管發展上取得了革命性的重大突破。英特爾將推出被稱為三柵極 (Tri-Gate)的革命性3-D晶體管設計，并將批量投產研發代號為Ivy Bridge的22 nm英特爾芯片。50多年來，2-D晶體管不僅一直在計算機、手機、消費電子產品中得到了廣泛的應用，還用于汽車、航空、家用電器、醫療設備以及數千種日用設備的電子控制中。這款3-D三柵極晶體管代表著從2-D平面晶體管結構的根本性轉變。這一革命性成果，其關鍵在于英特爾能夠把全新的3-D三柵極晶體
電子產品可靠性與環境試驗 2012年4期2012-03-29
- 噪聲的隨機共振
，它是將若干個晶體管組合起來，把兩個輸入電壓變換為一個具有特殊邏輯功能的輸出端，例如，在輸入時，在“0”與“1”中，至少有一個是“0”時將輸出“1”的“與非”門，邏輯門中使用的晶體管，其大小一般在90nm左右，但現在制造商們正企圖生產出只有65nm，45nm甚至22.5nm大小的晶體管，對于這樣大小的晶體管，由于線路中的串話式干擾、熱漲落和量子不確定性等因素，電壓不再能保持穩定，從而使邏輯門會在輸出時出現失誤，所以工程師們不得不考慮作更復雜的設計來解決這個
物理 2009年9期2009-10-29
- 硅薄膜晶體管液晶顯示器的發展
示技術中，薄膜晶體管液晶顯示器以其大容量、高清晰度和高品質全真彩色受到人們的廣泛青睞，薄膜晶體管液晶顯示器的顯示質量和整體性能在很大程度上取決于薄膜晶體管性能，薄膜晶體管(TFT)是眾多場效應晶體管(FET)中的一種，非晶硅用于制作薄膜晶體管液晶顯示器技術的成熟，使非晶體薄膜晶體管液晶顯示器在薄膜晶體管液晶顯示器的市場中占據了主導地位，而非晶硅薄膜晶體管由于其低遷移率、電導率等性能，嚴重制約了薄膜晶體管液晶顯示器的發展，尋找合適的替代品，追求高遷移率和高電
物理 2009年3期2009-05-21