通孔
- 添加劑競爭吸附機理研究及通孔電鍍應用
-10］。電鍍銅通孔是實現印制電路板（PCB）層間互連的主要途徑之一，使得印制電路板從單面板到多層高精度電路板轉換，因此通孔電沉積銅技術是當今PCB制造行業中至關重要的技術之一［11-14］。多樣化的PCB帶來了不同厚徑比（從1∶6到32∶1）的通孔。通常情況下，通孔電鍍銅的目的在于增加孔內金屬導電銅層的厚度，以確保PCB中的銅互連結構的信號傳輸完整性與可靠性。目前，對于不同厚徑比的通孔電鍍條件和參數設置還缺乏系統化的分析，不同厚徑比通孔電鍍條件有所區別，
電鍍與精飾 2022年11期2022-11-15
- 一種通孔插件回流焊接實戰技術
并開始應用在傳統通孔工藝當中。在傳統加工工藝中，一般采用波峰焊接技術，然而隨著電子產品發展的日新月異，波峰焊接技術已經無法滿足部分通孔雙面焊接需求，大力發展通孔插件回流焊接技術勢在必行。本文介紹了通口回流焊接技術的定義、工藝流程、優缺點等，旨在為相關研究提供重要參考。關鍵詞：通孔;回流焊接;工藝流程前言：傳統的電子組裝工藝，在安裝有過孔插裝元件印制板組件的焊接，通常選擇波峰焊技術。但實踐證明，波峰焊存在很多弊端，如不適用于高密度元件焊接、漏焊、橋接較多等。
科技研究·理論版 2022年11期2022-07-07
- 基于新型磁流變阻尼器的汽車防側翻研究*
提出了一種帶有旁通孔的MR 阻尼器，并研究了活塞旁通孔數量、孔徑、線圈高度等幾何參數對MR 阻尼特性的影響。Park 等人提出了一種帶有小孔的MR阻尼器，并通過1/4 車輛模型評價其舒適性。Oh Jong Seok 等人根據車輛質量分布，將帶旁通孔和不帶旁通孔的阻尼器分別用作前、后阻尼器，并驗證了搭載2種不同的MR 阻尼器的乘用車及客車的振動控制性能。上述研究中的MR 阻尼器只有開孔和不開孔2 種，且只通過電流對阻尼力進行控制，未涉及對阻尼器小孔控制策略的
汽車技術 2022年4期2022-04-27
- 一種橡膠母粒風冷振動篩
內部開設有主進風通孔，且主進風通孔外部的振動篩主體上安裝有進風管道，進風管道側邊外部安裝有引流箱體，且引流箱體內部的振動篩主體中開設有輔助進風通孔，固定底板底端上方連接有風機，且風機外部安裝有風冷管道，并且風冷管道頂端連接有進風管道，引流箱體內部開設有限位通孔，且限位通孔內部嵌合連接有擋風板，擋風板一端面貼合振動篩主體外壁時，擋風板另一端伸入限位通孔內部，且擋風板外部連接有移動手桿。該橡膠母粒風冷振動篩能夠有效增長風冷降溫路徑（申請專利號：CN202022
橡塑技術與裝備 2022年3期2022-03-17
- 含通孔損傷變截面鈦合金蜂窩壁板拉伸性能研究
載荷形式。但是，通孔對變截面鈦合金蜂窩壁板結構拉伸性能的影響尚不明確。為了評估通孔損傷對變截面鈦合金蜂窩壁板拉伸性能的影響，本研究采用試驗研究和有限元分析相結合的方法研究了壁板在拉伸載荷作用下的破壞載荷和破壞模式。1 試驗研究變截面鈦合金蜂窩壁板試驗件面板和芯體采用真空釬焊爐釬焊成整體，釬焊溫度為920℃，保溫2h。蒙皮材料和芯體材料均采用TC4。試驗件長度Lsp為390mm；寬度Wsp為176mm；內蒙皮厚度tskin-in為0.6mm；外蒙皮厚度tsk
航空制造技術 2022年3期2022-03-16
- 文獻摘要（228）
、間距和更小的導通孔尺寸;尋求利用埋置無源和有源元件、系統封裝（SiP）、芯片系統化（SoC）或其他方式，以增強IC功能的密集封裝。類載板的基本定義為線寬/線距小于35 μm，預計將成為一個主要趨勢，尤其是用于便攜式和可穿戴設備，成本是限制大容量、便攜式消費產品主要因素。（By Urmi Ray，PCD&F，2020/11，共4頁）剛撓結合驅動全球創新的五種因素Five Ways Rigid-Flex Is Driving Global Innovatio
印制電路信息 2021年1期2021-12-03
- 晶圓級封裝中的垂直互連結構
代的作用，其中硅通孔（Through Silicon Via，TSV)、塑封通孔(Through Molding Via，TMV)和玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)互連結構在近些年的先進封裝領域中是最為普遍的結構，通過垂直互連提高了封裝體的高密度互連能力，使得集成度更高、傳輸速率更快、寄生干擾更小、高頻特性更優越。本文從3種垂直互連結構的發展歷史、工藝方法和應用領域等多個方面進行闡述，系統總結3種垂直互連結構的特點和發展。2 TSV垂
電子與封裝 2021年10期2021-11-04
- 一種低壓接地連片的研制
要先通過第一螺紋通孔和第二螺紋通孔將連接片分別和低壓分路開關出線處以及出線電纜處連接，當需要裝設接地線時，將接地線的保安鉗夾在接地連片上以將接地線固定在接地連片上，從而開始進行后續的工作。這種低壓接地連片結構簡單，操作方便，就算在空間狹小的地方也能實現快速裝設接地線，且不易出現誤觸相鄰的開關的情況[2]。1.2 主要設計方案本發明是一種低壓接地連片，所采用技術方案的具體內容如下。一是連接片上間隔設置有第一螺紋通孔和第二螺紋通孔，第一螺紋通孔用以與低壓分路開
通信電源技術 2021年9期2021-09-23
- 5G通信發展使印制板導通孔走上主導地位
，甚至無線化；導通孔會越來越小、越多化，甚至全導通孔化。因此，信號在PCB導體內的傳輸過程會越來越多的在孔中進行。這樣的結果，PCB導體中影響信號傳輸完整性的主要因素將由導線轉為導通孔為主導地位。同理，導通孔的尺寸、表面狀態等也存在著阻抗值變化課題，因此提高導通孔的質量將成為主要課題。實驗表明，激光脈沖沖擊時間越短，則倒錐形孔就越小越接近理想的導通孔，因此采用不產生熱傳導的飛秒激光打孔可以得到無燒蝕的理想導通孔。1 導通孔的變遷與地位PCB導體是由孔、線和
印制電路信息 2021年7期2021-08-10
- 淺談大功率LED陶瓷基板制作工藝及填通孔技術
將DPC工藝和填通孔技術相結合，工藝流程見圖1。圖1 大功率LED陶瓷基板的制作工藝流程Figure 1 Process flow for manufacturing ceramic substrate applied to high-powered LEDs具體如下：(1) 選用具有高熱傳導率的氮化鋁陶瓷；(2) 借助激光機打孔得到通孔陶瓷基板；(3) 在陶瓷基板表面磁控濺射過渡層──微納米氧化鋁膜；(4) 在過渡層上磁控濺射得到熱應力緩沖層──鈦鎢合金
電鍍與涂飾 2021年13期2021-08-07
- 多次熱氧化削減硅通孔內壁扇貝紋
1-2]?；诠?span class="hl">通孔(through silicon via, TSV)實現多層堆疊芯片互連的三維集成技術能夠有效縮短互連線的長度、提高系統集成度和功率密度，且可實現異質集成、減小芯片面積、降低成本[3-7]。硅通孔是三維集成系統的關鍵技術之一[8]。目前常見的硅通孔內部一般包含絕緣層、勢壘層和金屬芯，由于各層材料的性質不同，層間界面質量對硅通孔的性能以及三維集成系統的可靠性有著至關重要的影響?？涛g形成原始硅通孔后，孔內壁的平滑度對后續填充的孔內各層材料以
人工晶體學報 2021年6期2021-07-12
- 三維封裝硅通孔銅互連電鍍工藝研究進展
的最佳選擇。以硅通孔(TSV)互連為特征的三維集成封裝技術已受到芯片封裝行業的廣泛認可。該技術在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制造垂直通道，并通過金屬填充通道來實現芯片之間的垂直互連。如圖1所示，與傳統橫向互連技術相比，TSV技術只在垂直方向進行通孔互連，連線的長度可以縮短至與芯片厚度相等。這樣，一方面縮短了信號的傳輸路徑，減小電阻以及信號傳輸過程中的寄生效應和延遲時間，從而降低功耗；另一方面減少了互連結構在芯片上的面積，縮小了封裝尺寸，在相同面積下形成的
電鍍與涂飾 2021年5期2021-04-19
- 面向異質集成應用的BCB 通孔刻蝕研究
需要通過BCB 通孔實現InP HBT 器件與Si CMOS 器件之間的信號垂直互連。如圖1 所示，對于兩層金屬的InP HBT 來說，分割成島狀的InP HBT 管芯被2 μm 厚的BCB1 介質層包裹，M1 層金屬下同樣覆蓋有約2 μm 厚的BCB2 介質層，最上面是M2 層金屬。然后上述結構從原始InP襯底剝離，通過BCB 鍵合轉移到目標Si CMOS 襯底上，考慮到Si CMOS 表面的起伏，常用的鍵合BCB層約1 μm 厚。即需要通過深度約5 μ
電子元件與材料 2021年3期2021-04-16
- 專利名稱：一種繅絲機的快速叉手
的頭部設有一固定通孔，所述的叉架包含一圓柱狀的叉筒，所述的叉筒的側壁上設有一對叉翼，所述的叉翼底部設有由固絲突出組成的固絲突出陣列，所述的叉翼上設有一鎖止通孔。本實用新型的繅絲機的快速叉手利用叉筒上的一對叉翼，使用者在進行卷繞時，可以直接旋轉一對叉翼，利用叉翼底部的固絲突出陣列來對蠶絲進行快速固定，最后利用鎖止通孔進行固定，整個過程單手即可完成，需要固定螺釘，大大提高了濕絲條的卷繞效率。該繅絲機的快速叉手結構簡單，操作方便，實用性強。
現代絲綢科學與技術 2021年1期2021-03-06
- 裝甲車輛油氣彈簧減振閥阻尼特性研究
方程計算分析了常通孔對油氣彈簧系統阻尼力的影響；同年，Basavaraj V等[10]對帶阻尼閥芯的提升閥進行了仿真，分析了其瞬態響應；2019年，么鳴濤等[11]將小間隙節流的計算方法和薄板彎曲變形的微分方程相結合,分析了節流閥片厚度變化時減振器阻尼力值的變化規律。上述研究多為常通孔和彈簧閥片式減振閥，然而針對裝甲車輛的實際應用表明，常通孔減振閥在高速時由于泄壓不及時容易出現空程和困壓等現象，造成減振性能變差和部件沖擊載荷過大損壞等問題，難以適用于強沖擊
兵器裝備工程學報 2021年1期2021-02-23
- CMUT 面陣制備中的硅通孔金屬互連工藝設計
情況，考慮采用硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術，利用硅晶片的通孔，建立從芯片的有效側面到背面的電連接，使器件上、下表面構成導電通道，將傳感器頂部的上電極引到器件的背面與電路板焊錫連接。目前，大多數傳感器的電極引出都是使用引線鍵合技術[1]，不過對于小尺寸的CMUT 面陣換能器來說，成千上百個上電極引出并封裝還是無法實現，硅通孔技術通過在硅片上制作通孔，能夠實現傳感器穿通硅的垂直互連[2-4]。如今，TSV 技術在傳感器陣列、IC
現代電子技術 2021年3期2021-02-02
- 一種圓織機
述展平環設有第一通孔，內尺碼環設有第二通孔，安裝環設有螺紋孔，緊固螺栓依次穿過第一通孔和第二通孔與螺紋孔連接將內尺碼環、展平環一起固定于安裝環。所述展平環設有第一通孔，內尺碼環設有第二通孔，安裝環設有第三通孔，緊固螺栓依次穿過第一通孔、第二通孔、第三通孔與螺母連接將內尺碼環、展平環一起固定于安裝環。所述展平環與內尺碼環之間設有套筒，套筒套在緊固螺栓上。所述展平環固定在主軸上。所述展平環的外周側面為圓柱面，圓柱面的頂端與展平環的頂面之間圓角過渡，圓柱面的底端
塑料包裝 2020年6期2021-01-21
- 8光罩BCE結構IGZO-TFT的鈍化層通孔柱狀不良的改善
性[4]。鈍化層通孔刻蝕需要同時刻蝕SiNx和SiO2兩種不同膜層，通常SiNx采用六氟化硫和氧氣刻蝕氣體進行刻蝕，SiO2采用四氟化碳和氧氣刻蝕氣體進行刻蝕[5-7]，由于IGZO通孔結構相對于非晶硅膜層復雜，且兩種膜層膜質差異較大，在通孔刻蝕過程中易出現通孔形貌異常，導致通孔連接異常。本文針對IGZO通孔柱狀不良進行系統研究，確定通孔柱狀發生的根本原因，同時討論了改善柱狀不良的方法，成功解決了IGZO通孔柱狀問題，為IGZO的泛應用提供技術參考。2 通
液晶與顯示 2020年12期2020-12-09
- 牟宗三“通孔說”對新時代文化自信的啟示
摘要：“通孔”是牟宗三在論述中國哲學之特殊性的過程中提出的具有理論支撐意義的概念?！?span class="hl">通孔說”否 定了“以西釋中”，開辟了“以中釋中”的詮釋范式，具有使人表現自己精神世界的積極意義，并且闡釋了人類 文化存在差異的原因，而且從一個側面體現了人類文化的平等性。其對新時代文化自信的啟示是：追溯“通孔” 的形成過程，達到文化自覺，是文化自信的前提;把握“通孔”的內外限制，在堅持中國特色社會主義方向的前 提下實現文化創新，是文化自信的保障;堅信“通孔”體現的文化平等觀
西部學刊 2020年13期2020-08-28
- 鋼管超聲波探傷通孔與刻槽校驗靈敏度差異原因探究
3.2 mm 豎通孔校驗靈敏度之間， 在相同波高下其靈敏度的差值是一致的。 下面以Φ355.6 mm×8.7 mm 規格焊管為例進行說明。（1） 在線焊縫探傷時， 在反射波高60%情況下， Φ3.2 mm 豎通孔靈敏度比N10 刻槽靈敏度約高2～3 dB。（2） 離線焊縫探傷時， 在反射波高60%情況下， N10 刻槽靈敏度比Φ3.2 mm 豎通孔靈敏度約高6 dB。（3） 手工探傷校驗時， 在反射波高60%情況下， N10 刻槽靈敏度比Φ3.2 mm 豎
焊管 2020年6期2020-07-23
- 一種新型雙頭輸液器的設計及應用
動塊上分別有3個通孔和3個接口。轉動桿由3個凸狀機構與轉動塊固定連接，與第二接口對應連接的凸狀機構為藍色。見圖1。2 使用方法利用三通連接管原理控制液體的接通和斷開。當只需輸入第一刺穿管連接的液體時，旋轉傳動桿使第一通孔和第二接口對應，第三通孔和第三接口對應，而第二通孔未接通。當只需輸入第二刺穿管連接的液體時，通過旋轉傳動桿，使第二通孔和第二接口對應，第三通孔和第一接口對應，此時第一通孔未連通。當需同時輸入第一刺穿管和第二刺穿管連接的液體時，通過旋轉傳動桿
中國臨床護理 2020年1期2020-05-14
- 基于C語言模擬計算的cdPCR最佳反應通孔數分析
分到芯片上的反應通孔中進行PCR反應，然后根據泊松分布和熒光信號陽性比例來計算目的核酸的拷貝數[13]。利用C語言程序來模擬芯片數字PCR中目的核酸進入反應通孔的過程，從而可以對干擾粒子對目的核酸分布的影響[17-20]、目的核酸最佳反應通孔數、目的核酸分布均勻性等問題進行分析與計算，旨在為數字PCR的芯片設計提供一定的參數依據與理論指導。1 模擬分析算法通過C語言模擬“干擾作用完全隨機的情況下目標粒子進入反應通孔的過程”的模擬算法如圖1所示，具體過程如下
黑龍江八一農墾大學學報 2020年2期2020-05-06
- 基于MEMS器件的玻璃通孔內金屬批量化填充制備
0 引言目前玻璃通孔(through glass via，TGV)晶片應用十分廣泛，在微機械系統制造和圓片級封裝中發揮著重要作用，通過TGV晶片可以有效實現電隔離和提高器件性能，實現的縱向互連技術工藝簡單，寄生電容小，氣密性良好[1-2]。本文所討論的TGV晶片主要應用于圓片級封裝，通過TGV晶片的批量化金屬填充，實現晶圓級真空封裝的導線互連技術。TGV成孔技術目前已報道有多種方法，如有激光燒蝕、濕法刻蝕光敏玻璃、干法刻蝕、熔融玻璃回流法等[3-5]。其中
儀表技術與傳感器 2020年1期2020-02-26
- 碳納米管在三維集成電路芯片硅通孔中的應用
件層信號，采用硅通孔實現垂直互聯，將器件層進行三維集成電路芯片受到重視。三維芯片可降低互聯線功耗，提高芯片處理速度，具有信號延遲小，走線短等特點?？赏ㄟ^三維芯片減少芯片面積。芯片內部器件產生熱量增大。如何合理處理散熱是設計三維芯片需要考慮的問題。一、硅通孔技術的研究隨著半導體產業發展，傳統集成電路面臨挑戰。SMOS晶體管趨近物理極限，互連線延遲等問題隨著工作頻率升高嚴重，硅通孔三維集成技術應運而生。硅通孔可提高芯片集成度，但面臨信號完整性等問題，為提高硅通
科學咨詢 2020年36期2020-01-06
- 高速PCB差分孔阻抗的影響因素及優化研究
高頻下傳輸時，導通孔的寄生電容和寄生電感所產生的阻抗會引起信號反射、串擾或衰減等問題。實現高速PCB互連必須采用導通孔設計，導通孔是PCB設計中的常用結構[2]。因此，在高速PCB設計和制造中，如何減小導通孔寄生效應帶來的阻抗是我們必須面對的問題。本文通過導通孔的影響因素分析，并通過優化設計試驗得出可以從孔徑、焊盤和反焊盤三方面改善孔阻抗。在研究過程中把控深鉆技術應用到孔阻抗優化設計，得到了差分孔阻抗的很好改善。1 孔阻抗的理論分析1.1 導通孔介紹高速電
印制電路信息 2019年8期2019-08-22
- 三重圖樣光刻與定向自組裝技術下通孔層的分解
于制造分布密集的通孔層[3]. 為了通過DSA對通孔層進行刻印制造，通常需要使用引導槽來輔助形成通孔[4]. 使用一些單孔的引導槽可以來制造稀疏結構的通孔. 但對密集結構，太近的單孔引導槽之間會產生沖突[5]. 為了減少沖突，本研究將一些短距離內的通孔放在某個多孔引導槽中組合制造[6]，但是復雜且不規則形狀的引導槽將會產生更大的重疊成本[7]. 因此，在引導槽分配時，應考慮引導槽的成本. 此外，對于非常密集的通孔層版圖，由于一些沖突錯誤，通過單重圖樣光刻制
福州大學學報（自然科學版） 2019年4期2019-08-16
- 鉆頭鉆尖角對鋁合金材料加工清潔度影響分析
某公司在加工缸蓋通孔時，刀具出口產生大量的翻邊毛刺，嚴重影響了零件加工質量&清潔度，本文從設備、材料、加工方法、加工環境四個方面進行剖析，找出了產生毛刺的根源，并得出了相應解決方法，具有較高參考價值。關鍵詞：鋁合金缸蓋；通孔；鉆；翻邊毛刺1 缸蓋材料介紹發動機缸蓋結構復雜，集油道、氣道和水道于一體，而且工作條件惡劣，與缸體、活塞構成燃燒室，承受高溫、高壓作用。近年來，發動機功率的提高使得缸蓋的工作溫度和工作壓力顯著增加，這就要求制造材料具有良好的室溫性能和
時代汽車 2019年3期2019-06-11
- 大尺寸帶通孔鋁合金板材熱成形工藝研究
李 信?大尺寸帶通孔鋁合金板材熱成形工藝研究薛 杰 秦中環 李保永 劉 偉 徐 凱 李 信（北京航星機器制造有限公司，北京 100013）以大尺寸帶通孔鋁合金板材熱成形工藝過程為研究對象，通過Deform-3D有限元分析軟件進行板材熱成形數值模擬。結果表明：板材上通孔沿周向熱成形比沿其它方向熱成形的變形程度小，原因在于沿周向熱成形時通孔大部分區域的等效應力為80MPa，比沿其它方向熱成形時通孔的等效應力小。試驗驗證帶通孔板材沿周向熱成形相比沿其它方向熱成形
航天制造技術 2019年2期2019-05-09
- 連鑄機冷卻水管道用超聲波傳感器探頭固定裝置
安裝板上設有第一通孔，第二安裝板上設有第二通孔，活動板兩端均設有連接板，連接板上設有第三通孔，第一通孔、第二通孔和第三通孔內穿設有螺栓，螺栓端部連接有螺母，活動板中部設有第一螺紋孔和限位銷孔，限位銷孔與第一螺紋孔相連通，第一螺紋孔中螺接有第一頂緊螺栓，第一頂緊螺栓上設有條形銷孔，限位銷孔和條形銷孔內穿設有限位銷。本實用新型結構簡單、便于操作、安裝效率高，而且穩固性好。
傳感器世界 2019年3期2019-02-17
- MEMS傳感器制備中的玻璃通孔金屬填充工藝設計
意法半導體已將硅通孔技術引入MEMS器件的制造中，例如，多軸慣性模塊、智能傳感器等，用垂直短線互聯的方式代替傳統芯片間引線互聯，在降低了產品尺寸的同時實現了更高的集成度，大大提高了產品的性能[3-5]。實現3-D和2.5-D集成電路的集成，關鍵技術有硅通孔（TSV）工藝、化學機械拋光工藝（CMP）、晶圓鍵合工藝、電化學沉積工藝（ECD）等，其中硅通孔工藝由于其縮短了芯片間的互聯路徑，同時具有更薄的封裝尺寸，被認為是 3-D集成工藝中的核心技術[6-8]，可
中國慣性技術學報 2018年5期2018-12-20
- 一種穿戴式空氣監測裝置
座的下端設有第一通孔和第二通孔，固定座的側壁上設有兩個第一滑槽，第一滑槽豎直設置，且第一滑槽與第二通孔相貫通。本實用新型的有益效果是:結構小巧，相較于環境有關部門的大區域監測數據，監測結果更加可靠，且可根據用戶需要佩戴于衣物上的任意位置。本實用新型涉及監測技術領域，特別涉及一種穿戴式空氣監測裝置。一種穿戴式空氣監測裝置，其特征在于:包括監測裝置本體(1)和固定裝置(2)，所述固定裝置(2)包括固定座(21)、卡針(22)、鋼珠(23)、移動架(24)和彈簧
數碼設計 2018年8期2018-12-03
- 一種高密度薄膜多層布線基板BCB通孔制作技術
介質材料，其介質通孔互連的導通性能直接影響著信號的高速傳輸，因此，BCB通孔光刻成為該基板制造的關鍵，可利用其光敏特性實現BCB通孔制作.傳統浸沒顯影方式進行BCB通孔顯影，容易導致通孔的高阻連接甚至互連斷路問題，特別是高深寬比的通孔顯影，造成信號斷路的幾率越來越大，為此，必須使用高昂的等離子刻蝕設備，采用O2/C2F6、O2/SF6等特殊氣體進行BCB去底膜工藝[11]，造成了基板制造過程中工藝周期增加，工藝復雜程度提高，甚至制造成本的大幅上升.基于此，
材料科學與工藝 2018年5期2018-11-20
- 電廠換熱器彎管遠場渦流檢測研究
不同位置和大小的通孔檢測信號做了對比分析,對彎管的遠場渦流檢測技術進行了探索。1 檢測系統本文采用的是西班牙Tecnatom公司生產的ETBox2i型多頻渦流儀,具備遠場渦流檢測功能。樣管及標定管材質為20#鋼,規格為Φ15 mm×1.2 mm。配套使用Tecnatom公司的CL115FMF20內穿型柔性遠場渦流探頭,對中花瓣,雙發雙收。探頭外徑為11.5 mm,填充系數為83%。探頭前部有43 dB放大器,檢測頻率為1 700 Hz。2 樣管檢測試驗所用
上海電力大學學報 2018年4期2018-09-11
- 混裝型印制板組件的通孔回流焊接工藝研究
裝型印制板組件的通孔回流焊接工藝研究楊小健 沈 麗 於德雪 張 琪（北京計算機技術及應用研究所，北京 100854）介紹了混裝型印制板組件的通孔回流焊接工藝技術。首先選用可用于回流焊接的表貼和通孔器件制作試驗板，繼而開展了焊膏印刷模板優化設計和印刷工藝參數研究；采用預成型焊片進行焊錫量補償的方法，解決了傳統通孔回流焊接工藝中通孔器件焊點焊錫量不足的問題；明確了通孔器件的插裝要求，合理設計了混裝回流焊接工藝參數。完成了試驗板的組裝和焊接，形成的焊點形態良好，
航天制造技術 2018年2期2018-05-17
- 專利集錦(31)
的頭部設有一固定通孔，所述的叉架包含一圓柱狀的叉筒，所述的叉筒的側壁上設有一對叉翼，所述的叉翼的底部設有由固絲突出組成的固絲突出陣列，所述的叉翼上設有一鎖止通孔。本發明的繅絲機的快速叉手利用叉筒上的一對叉翼，使用者在進行卷繞時，可以直接旋轉一對叉翼，利用叉翼底部的固絲突出陣列來對蠶絲進行快速固定，最后利用鎖止通孔進行固定，整個過程單手即可以完成，需要固定螺釘，大大提高了濕絲條的卷繞效率。該繅絲機的快速叉手結構簡單，操作方便，實用性強。
現代絲綢科學與技術 2018年5期2018-02-16
- 一種具有頂置擠壓機構的擠出模具
有縱置貫通的圓形通孔，頂置模塊左、右兩側壁上均開設有用于擠入熱熔塑料的擠入管，頂置模塊內部橫向開設有用于連通圓形通孔和擠入管的橫置流道。本實用新型的一種具有頂置擠壓機構的擠出模具通過在頂置模塊上端固定連接有用于帶動圓形通孔內部擠壓活塞升降的頂置電動推桿，通過擠壓管向圓形通孔內部注料，然后通過擠壓活塞對熱熔塑料進行擠壓，提升熱熔塑料的擠入效率，縮短生產時間，提升產品的品質，延長整個模具的使用壽命和生產效率（申請專利號：CN201620629311.9）。
橡塑技術與裝備 2018年2期2018-01-16
- 一種多層結構鉬隔熱屏
層鉬圓片上設置有通孔，各單層鉬圓片上設置有支撐各相鄰單層鉬圓片的凸軌，通孔中穿有兩端設有緊固支撐鉬螺桿。優選的，所述設置在單層鉬圓片上的通孔有若干個，各通孔兩端鄰近位置各設置有一道凸軌，所述凸軌用于支撐和固定相鄰鉬圓片，其中，凸軌處壓制成半圓形，使得相鄰鉬圓片之間還留有縫隙；優選的，所述鉬螺桿下方設置成直角彎曲狀，并留有一段支撐鉬螺桿，用于構成對鉬隔熱屏底部支撐架，螺桿上方設置有緊固螺母。
中國鉬業 2017年3期2017-01-20
- 一種造口專用腹帶的臨床應用
的中部開設有造口通孔，直徑7.5 cm，造口通孔設有相應的方形布罩，布罩上下邊沿有粘扣，能與帶體隨意粘貼，布罩內層有一內袋，造口袋尾端可直接放在內袋里，對造口袋起到一定的保護和支托作用，并能很好地保護病人的隱私。造口通孔二側均預設有引流管通孔并配有系帶，通孔處均有鎖邊，需要時，將預留的引流管通孔剪開則行。兩側引流管通孔的多少，造口通孔與引流管通孔兩側的距離以及引流管通孔之間的距離是根據造口定位原則以及腹部器官解剖定位，經過臨床無數次試驗制定，使造口通孔與引
護士進修雜志 2016年13期2017-01-06
- 多芯片組件BGA-垂直通孔結構參數對信號傳輸特性的影響
組件BGA-垂直通孔結構參數對信號傳輸特性的影響周保林，周德儉，盧楊(桂林電子科技大學 機電工程學院，廣西 桂林541004)為了提高多芯片組件的信號傳輸特性，用HFSS軟件建立了多芯片組件的BGA-垂直通孔互聯模型，分析垂直通孔半徑、焊盤半徑、反焊盤半徑及信號線與地間的距離等結構參數對傳輸特性的影響。分析結果表明，該模型的回波損耗隨著通孔半徑和焊盤半徑的增大而增大，隨信號線與地間距離的增大而減??；特性阻抗隨通孔半徑和反焊盤半徑的增大突變值達到最大。通過仿
桂林電子科技大學學報 2016年4期2016-09-14
- 一種滑翔傘用手柄及其成型模具
形狀為L型的第一通孔，中空一部遠離第一端口的一側邊上設有向第一端口方向凹陷的第一圓弧凹部；中空二部內具有軸向貫穿的第二通孔，中空三部內具有軸向貫通的第三通孔，第三通孔與第二通孔同軸連通設置，第二通孔連通第一通孔的第二端口，且中空二部與第一圓弧凹部同側側邊上設有第二圓弧凹部。該實用新型套于操作繩外可減少操作繩對人手的摩擦，保護手部，而第一圓弧凹部和第二圓弧凹部的設計符合人體工程學原理，在操作使用時手指輕松握在第一圓弧凹部和第二圓弧凹部，操作方便靈活。
科技資訊 2016年5期2016-08-13
- 一種手動液壓隨形活動支承定位裝置
方向上設置有第一通孔，在主體內下部的水平方向上設置有第二通孔；在主體的上部安裝有油缸外套，在第一通孔上部設置有彈性套；在油缸外套內設置有第一活塞，第一活塞與第一手柄相連接；在彈性套內設置有活動支承，在第一通孔的下端設置有下堵蓋；在第二通孔油缸側的外端設置有端蓋，內端設置有第二襯套，在第二通孔另一側的外端設置有螺紋堵蓋，內端設置有第二活塞，在螺紋堵蓋上設置有通氣孔，在第二活塞與螺紋堵蓋之間設置有彈簧；在第二通孔內設置有錐閥，錐閥的一端穿過端蓋與第二手柄相連，
科技資訊 2016年4期2016-06-11
- 用于檢測顆粒的激光傳感器
有長方體形的檢測通孔，檢測通孔包括進氣口和出氣口，檢測通孔的內壁上設置有激光發射器，激光發射器連接有激光驅動器，檢測通孔的頂部和底部均設置有光電二極管，兩個光電二極管均連接有前置放大器和A/D轉換器，A/D轉換器和激光驅動器分別與控制系統連接。本激光傳感器采用兩個光電二極管檢測顆粒散射光的結構，可以準確有效地檢測出顆粒的粒徑和數量，彌補了現有技術的缺陷。
傳感器世界 2016年12期2016-03-25
- 鋼管通孔直徑對渦流檢測信號的影響研究
飽和磁化，并針對通孔缺陷和不同規格的鋼管，明確其對應能檢出最小的通孔直徑，如鋼管外徑在76～144 mm 范圍內，應能夠檢出最小直徑為2.2 mm 的通孔即可。然而在實際檢測的工件中，通孔缺陷大小各異，值得研究的是，通孔直徑是否對渦流信號的相位或幅值產生影響，這將對鋼管通孔缺陷的定量評價方面有著重要意義。目前對于非鐵磁性管道通孔缺陷的研究較為透徹，如楊寶初［5］和曹剛等［6］發現不同直徑的通孔信號相位并非一個固定的值，并解釋了信號相位會隨直徑的改變而變化的
失效分析與預防 2015年3期2015-11-28
- 3D封裝與硅通孔（TSV）技術
維封裝一般利用硅通孔技術來實現。硅通孔技術通過在硅圓片上制作出一定布線排序的垂直互連孔，在孔中淀積通孔材料，實現不同芯片層之間的電互連，從而保證了芯片間具有較短的互連線，因此可以獲得更好的電性能以及更小的信號延遲。1 TSV簡介區別于傳統的芯片封裝技術，硅通孔技術在三維層面實現芯片間的電互連，封裝密度大大提高，而垂直的互連線也改善了芯片間的信號傳輸速度，同時在硅通孔技術保證了對電路板空間的集約化利用，降低了芯片的功耗。另外，一些大型的IDM制造商如IBM和
中國新技術新產品 2015年24期2015-05-11
- 通孔電鍍填孔工藝研究與優化
610054）通孔電鍍填孔工藝研究與優化Paper Code: S-014劉 佳 陳際達 （重慶大學化學與化工學院，重慶 401331） 鄧宏喜 陳世金 郭茂桂 （博敏電子股份有限公司，廣東 梅州 514000） 何 為 江俊峰 （電子科技大學微電子與固體電子學院，四川 成都 610054）為了提高高密度互連印制電路板的導電導熱性和可靠性，實現通孔與盲孔同時填孔電鍍的目的，以某公司已有的電鍍填盲孔工藝為參考，適當調整填盲孔電鍍液各組分濃度，對通孔進行填孔
印制電路信息 2015年3期2015-02-05
- 3D-TSV封裝技術
on Via，硅通孔）技術可實現芯片與芯片間垂直疊層互連，無需引線鍵合，有效縮短互連線長度，減少信號傳輸延遲和損失，提高信號速度和帶寬，降低功耗和封裝體積，是實現多功能、高性能、高可靠且更輕、更薄、更小的半導體系統級封裝的有效途徑之一[1～4]。TSV工藝分前通孔和后通孔，但具有相同的關鍵技術：通孔制作、通孔薄膜淀積技術、通孔填充、銅化學機械研磨、超薄晶圓減薄、芯片/晶圓疊層鍵合。2 通孔制作技術制作TSV通孔的方法主要有：激光鉆孔（Laser Drill
電子與封裝 2014年7期2014-09-19
- LTCC互連基板金屬化孔工藝研究*
分析。2 金屬化通孔填充工藝及控制技術通孔填充技術的研究目的就是提高通孔金屬化質量，保證通孔互連導通率100%。填孔起到層與層之間的電路連接的作用，其有兩種方式：絲印及通孔注射填孔。絲網印刷法對小于0.1 mm直徑的通孔來說填充非常困難，效果較差，燒結后的基板成品率低。原因是模板孔徑較小，印刷時漏過的漿料較少，經常有孔內填不滿，燒結后會出現漿料收縮，影響層與層之間的連接。通常注射填孔效果最好，但需要專門設備，填孔時漿料是通過空氣壓力將漿料壓進孔中，能自然排
電子與封裝 2014年2期2014-09-19
- 基于氣浮噴射的MEMS封裝中通孔的金屬互聯
板的鍵合;2) 通孔互連技術,用于芯片與外界的電學連接．蓋板一般采用玻璃材料,以形成玻璃-硅-玻璃結構或玻璃絕緣襯底上的硅(SOI)結構[2]．其中,激光刻蝕和噴砂工藝是在玻璃上刻蝕通孔的常用方法．然而,這2種工藝制作的通孔底部一般會產生脆性崩邊,導致硅和通孔之間形成5～40 μm的斷層,如圖1所示．這一缺陷極大降低了通孔金屬互聯的電學可靠性．針對這類普遍存在的工藝缺陷,通常采用增加沉積金屬厚度[3]或改變通孔底部結構[4]兩類方法加以解決．(a) 橫截面
廈門大學學報（自然科學版） 2014年5期2014-08-07
- 流體粘度對通孔泡沫鋁水下聲學特性的影響
33)流體粘度對通孔泡沫鋁水下聲學特性的影響姚欣鵬，何世平(海軍工程大學機械工程系，湖北武漢430033)對流體飽和狀態的通孔泡沫鋁的水下聲學性能進行實驗研究，測試500～4 000 Hz頻率范圍內不同粘度流體飽和狀態下的水下反聲系數和透聲系數。結果表明，通孔泡沫鋁中充入流體的粘度對其水下聲學特性有非常大的影響：低粘度流體飽和的通孔泡沫鋁有優良的水下反聲性能，而高粘度的流體飽和通孔泡沫鋁有較好的吸聲性能;流體的粘度對通孔泡沫的反聲性能有所降低，對吸聲性能有
艦船科學技術 2014年6期2014-07-12
- 基于鏈式的信號轉移冗余TSV方案
形尺寸小?；诠?span class="hl">通孔的三維集成得到了行業的廣泛采用。然而，硅通孔的制造過程引入了新的缺陷機制。一個失效的硅通孔會使整個芯片失效，會極大地增加成本。增加冗余硅通孔修復失效硅通孔可能是最有效的提高良率的方法，但是卻帶來了面積成本。提出了一種基于鏈式的信號轉移冗余方案，輸入端從下一分組選擇信號硅通孔傳輸信號。在基于概率模型下，提出的冗余結構良率可以達到99%，同時可以減少冗余TSV的數目。三維集成電路；硅通孔；容錯1 引言隨著集成電路的發展，為了在一定尺寸的芯片
計算機工程與應用 2014年17期2014-07-08
- 盲埋孔對高速PCB板信號特性的影響
真，將盲埋孔與導通孔進行比較，分析盲埋孔孔徑、焊盤、反焊盤幾種關鍵參數對信號特性的影響。信號完整性；高速數字電路；盲孔；埋孔隨著大規模、超大規模集成電路越來越多地應用到電路系統中，芯片的集成規模越來越大，體積越來越小，引腳數越來越多，速率越來越高，電路板也朝著多層復雜化的趨勢發展。高速多層PCB板中，大多采用導通孔進行層與層之間的連接，但是對于一些非頂層到底層的電氣連接就會產生多余的導通孔短柱（Stub）。文獻[1]中詳細明說了多余短柱對高速多層PCB板傳
印制電路信息 2014年1期2014-05-12
- 高深寬比硅通孔檢測技術研究
35）高深寬比硅通孔檢測技術研究燕英強，吉 勇，明雪飛，陳 波，陳桂芳（中國電子科技集團公司第58研究所，江蘇 無錫 214035）由于SEM顯微鏡、FIB顯微鏡檢測高深寬比硅通孔耗時、費用高，研究了垂直掃描白光干涉技術檢測硅通孔的可行性。設定刻蝕/鈍化時間比率，改變深硅刻蝕功率和刻蝕時間，獲得不同深度和側壁粗糙度的硅通孔，并用垂直掃描白光干涉技術進行檢測。研究結果表明垂直掃描白光干涉技術可以觀察硅通孔的形狀、測量側壁粗糙度、精確無損測量硅通孔深度，可以替
電子與封裝 2014年11期2014-03-22
- 硅通孔電鍍銅填充工藝優化研究
越多的重視，以硅通孔（Through Silicon Via，TSV）互連為特征的三維集成封裝技術正在成為其中備受關注的新技術[1，2]。由于銅具有高導電率、與傳統多層互連技術兼容等優點，因此銅被廣泛的用作硅通孔填充材料[3]。電鍍工藝作為最合適的硅通孔填充技術而受到人們的普遍關注[4]，硅通孔填充又分為盲孔填充和通孔填充兩種方法[5]。然而，若想獲得良好的銅填充卻面臨著種種困難與挑戰，目前影響銅填充的主要問題包括：硅通孔內側壁種子層的覆蓋[6]、硅通孔內
電子工業專用設備 2012年10期2012-09-16
- 三維疊層DRAM封裝中硅通孔開路缺陷的模擬
Li Jiang ,Yuxi Liu ,Lian Duan ,Yuan Xie ,and Qiang Xu(1.CUhk REliable computing laboratory(CURE)Department of Computer Science&Engineering，The Chinese University of Hong Kong,Shatin,N.T.,Hong Kong；2.Department of Computer Science&
電子工業專用設備 2011年1期2011-10-24
- 通孔微結構對Cu/低-k應力誘生空洞的影響*
關的失效——Cu通孔內部或通孔底部下面互連的空洞，是跟熱應力有關的失效模式，它會導致高電阻甚至電路功能失效.文獻［1］中提出了活性擴散體的概念，指出Cu互連SIV與互連尺寸、應力和應力梯度有關.文獻［2］中指出寬厚比為1的互連結構具有最大的靜水應力.文獻［3］中指出當通孔與底部相連接的互連為寬互連時，常在通孔底部互連產生SIV.互連通孔和通孔阻擋層形成工藝的波動性將影響互連通孔結構的尺寸，由此帶來的通孔微結構效應對互連通孔和通孔底部互連SIV的影響需要被更
華南理工大學學報（自然科學版） 2011年3期2011-03-15
- 倒裝焊器件中Cu/low-k結構熱可靠性分析
中選擇了兩種Cu通孔寬度，分別為0.2 μm和0.4 μm。模型中各部分具體的尺寸參數在表1中已給出，分析中采用了四邊形平面應變單元進行計算。表2列出了子模型中各部分的材料性能參數，表格中的材料均視為線彈性材料，已給出了有限元模擬時所用到的楊氏模量，熱膨脹系數及泊松比。分析時用到的low-k材料包括兩種，分別為TEOS(tetraethyl orthosilicate，四乙氧基硅烷)和SiLK(一種不含Si和F的芳香族碳氫聚合物)。表1 子模型各部分厚度尺
電子工業專用設備 2010年2期2010-08-09