日本大阪大學、三重大學、美國康奈爾大學的研究團隊開發出了用于“6G”的半導體成膜技術。研究團隊開發出了去除成膜過程中產生的雜質的方法,把晶體管材料的導電性提高到原來的約4倍。計劃應用于產業用途,例如在高速無線通信基站上增幅電力等。
研究團隊開發出了用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率晶體管(HEMT)制造技術。原來在成膜過程中氮化鋁表面發生氧化,由此產生的氧雜質改變氮化鋁的結晶,難以獲得高導電性。通過形成非常薄的鋁膜,還原表面的氧化膜,并使其揮發,解決了這一問題后,導電性將提高到原來的3~4倍。
電腦報2022年41期
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2《無線互聯科技》2024年5期
3《湛江文學》2024年2期
4《山西師大學報(社會科學版)》2024年2期
5《中外醫療》2024年5期
6《人人健康》2024年8期
7《花卉》2024年8期
8《西部廣播電視》2024年4期
9《濱州學院學報》2024年1期
10《英語教師》2024年5期