立足產業鏈的中美日集成電路材料技術布局差異分析 *

孫文君 呂璐成 ， 張 凱 劉 婷 韓 濤 趙亞娟

（1. 中國科學院文獻情報中心，北京 100190；2. 中國科學院大學經濟與管理學院信息資源管理系，北京 100190）

集成電路技術是信息領域發展的基礎，半導體芯片廣泛應用于信息領域各類應用當中。近年來，以人工智能、智能制造、汽車電子、物聯網、5G等為代表的新興產業快速崛起，使我國集成電路產業得到長足的發展，逐步成為了我國技術發展的重點產業［1］。我國在部分相關關鍵材料上已實現從無到有、從低端到中高端的突破，取得了令人矚目的進步［2］。

集成電路材料具有細分領域眾多、技術跨度大、壁壘高等特點［3］。美、日等發達國家由于起步早，對于制備的關鍵技術始終具有“壟斷”優勢，全球集成電路材料呈現出高度集中化的發展態勢，產業和貿易網絡主要由具備高精尖制造能力的國家和地區構成［4］。具體而言，截至2020年，以市場規模占比最高的硅片為例，日本信越、日本盛高兩家日本公司擁有的市場份額合計達53%，處于絕對領先的地位，中國占4.52%；靶材方面，美國企業占市場份額的38.46%，中國占6.28%［5］。同時，日本企業基本壟斷了氟化聚酰亞胺、氟化氫和光刻膠市場，對14種重要原材料都擁有50%以上的市場份額［6］。當前，在中美貿易摩擦的背景下，集成電路領域一些至關重要的技術如光刻等，由于自主化程度較低，面臨“卡脖子”問題，對我國信息技術發展帶來一定挑戰［7］。因此，選取美、日兩國與我國進行技術布局差異的比較，便于準確把握我國集成電路材料領域的發展現狀。

在現有技術水平下，中國想要扭轉集成電路領域關鍵核心技術受制于人的局面、追趕國際先進水平仍面臨著巨大的挑戰［8］。因此，對我國集成電路材料產業發展現狀進行深入分析，揭示我國與發達國家的技術布局差異，為相關科技決策提供數據支撐和研究依據，對于我國集成電路材料產業發展具有重要意義。

現有研究已經關注到揭示國家間技術差異的重要性并展開探索［9-11］，然而，現有研究多側重圍繞某一技術點或細分領域開展分析。針對這一不足，本研究通過梳理集成電路材料產業鏈，從整體層面去分析出國家之間的差異及缺口，立足集成電路材料產業鏈，利用專利、論文、高價值專利、高被引論文等多源數據，同時關聯機構和企業等信息，從專利和論文的質量上揭示各國之間的差異，洞察我國在集成電路材料領域技術發展的優勢與不足。揭示預警我國集成電路材料產業與發達國家的技術差異，為國家戰略科技力量提供戰略決策依據和技術創新指引，對于我國走出發達國家關鍵核心技術的包圍圈、保障我國相關產業鏈和供應鏈安全具有極為重要的現實意義。

1 研究綜述

1）集成電路材料領域的研究問題。針對集成電路材料領域，李鐵成［12］、王磊［13］、石瑛［14］、李先軍［15］等眾多學者對我國集成電路材料的發展歷程和產業化現狀進行了梳理，對我國的產業狀況有了清晰的認識。在面向集成電路產業鏈細分材料的研究中，部分學者圍繞某一技術點或細分領域展開分析，如閆洪波等［16］對稀土拋光材料進行了發展趨勢研判，趙飛飛等［17］對高純濺射靶材的專利布局進行了分析，曹燕等［18］選擇光刻膠領域分析現狀并識別關鍵技術。選擇某一個領域或者技術點能更加細致的識別技術，但是無法在產業鏈的整體層面去分析出國家之間的差異及缺口。余麗等［19］依據《科技日報》推出的“卡脖子”技術，選擇重點材料進行分析，得出我國存在“原始創新能力不足、核心技術積累匱乏、市場集中度不高”的結論。陶金龍［20］對中國集成電路產業的發展戰略進行探討，提出應當“通盤考慮國家集成電路產業鏈布局”的策略，通過合理布局產業、規劃各產業鏈占比和扶持重點企業，打造國內完整產業鏈，凸顯了產業鏈的重要性。

2）圍繞某一產業領域差異研判的方法和數據源。目前，圍繞某一產業領域的趨勢及差異研判問題，國內外學者利用的數據類型主要有期刊、專利、科技規劃、基金項目等。用于開展技術布局差異揭示的方法有文獻計量法、關鍵詞／主題詞的共詞分析法以及知識圖譜等。絕大多數研究僅憑一方數據做出分析，沒有進行多源數據的融合。如佟賀豐等［21］從專利視角對中國、美國、日本鋰離子電池技術前沿及差距進行分析，陸天馳［22］以美國商品管制清單入手分析人工智能的領域的差距，季鵬飛等［23］通過引文情況分析集成電路領域核心專利，諸如此類的研究均只應用其中一方的數據進行分析。對于部分結合文獻計量和專利分析的部分研究，如劉宇飛等［24］從專利和論文兩個角度對數控機床產業進行分析，也僅從專利和論文數量上做出分析。

綜上所述，目前針對集成電路材料的研究還存在以下不足。

一是圍繞某一技術點或細分領域展開分析，沒有立足于產業鏈對產業整體進行差異分析，缺乏對整體的把握，可能造成對該產業發展態勢和各國技術差異的研判過于片面。只對整體做檢索，沒有對各項材料單獨構建檢索式，檢索出的文獻的準確性和全面性并不能得到保障。

二是數據源單一，大多數研究只針對論文或專利等單一數據源，缺乏多數據源的綜合分析。而少數綜合分析論文和專利的研究存在只看重數量、忽視質量的問題，缺乏對高價值專利以及高水平論文的重點研判。

2 研究路線

隨著集成電路材料行業的發展迭代，學術界形成了多種分類，分類依據并不統一。余海東等［25］將集成電路制造環節主要使用的材料拆解為硅片、靶材、拋光材料、光刻膠、高純化學試劑、電子特氣和化合物半導體；馮黎等［26］指出集成電路中使用的材料種類眾多，主要包括硅片、絕緣體上硅（SOI）、化合物半導體等襯底材料，光刻膠和配套材料、掩模版、濕化學品、電子氣體和源、拋光材料、靶材及蒸發材料等工藝材料，以及芯片級／晶圓級封裝材料、電磁屏蔽材料等封裝材料；李瀟等［27］按照產業鏈邏輯，把集成電路材料主要分為襯底材料、工藝材料（包括光刻膠、掩膜版、工藝化學品、電子氣體、拋光材料、靶材）以及封裝材料三大板塊。

集成電路原材料是集成電路產業的基石，集成電路生產的各個環節均要用到。之前的學者更多是從整個集成電路制造的環節上對產業鏈進行拆解，而沒有反映出集成電路材料的市場情況。因此本文從集成電路材料市場的維度出發，采用集成電路制造過程中最重要、市場前景最為廣闊的7類原材料（硅晶圓、光刻膠、掩模版、電子氣體、濕電子化學品、濺射靶材、化學機械拋光材料（Chemical Mechanical Polishing，CMP）），作為產業鏈的核心進行展開，旨在梳理集成電路材料產業鏈上的關鍵節點。研究框架如圖1所示。

圖1 研究框架Fig.1 Research Framework

本文對于集成電路材料產業鏈上的材料擬定了檢索策略，以此來檢索并獲取數據，然后形成分析用數據集，其中的專利數據來源于Incopat專利數據庫，論文數據來源于Web of Science數據庫。經過檢索清洗后，如表1所示，按照產業鏈上的不同材料、國家和文獻質量三個維度進行了數據標引，并抽取了機構、企業情況，構建了集成電路材料領域數據庫。

表1 數據情況統計Tab.1 Statistical Tables of Data

國家間技術布局差異的分析角度眾多，本文綜合考慮分析目標以及數據可獲得性，主要從科技成果產出體量、研發機構數量、企業數量、論文技術用詞和專利技術分類開展研究。主要采用文獻計量與專利計量法，結合多源數據，通過分析專利申請與論文發表在時間維度上的數量分布情況，判斷各類材料在中美日三國的發展趨勢；通過分析機構數量差異，與論文、專利數量對比，體現機構體量水平差異，進一步通過機構和企業數量的對比反映產業落地情況；通過論文關鍵詞和專利的IPC分類號，來展示中美日三國在集成電路材料研究的熱點與趨勢，以及對不同類別材料關注點的異同。

3 技術布局差異分析

3.1 中美日專利與論文差異分析

3.1.1 專利申請趨勢

從專利申請量可以看出，中美日在各項材料上均存在部分差異，日本專利申請量遠超中國和美國。中美日三個國家在時間維度上存在不同的特點，整體趨勢分別呈現增長、先增長后衰減、衰減趨勢。以光刻膠為例，具體表現為中國在1986—1990年間僅有6項專利，而在2016—2020年間增長至3296項專利；日本則恰恰相反，在1986—1990年間申請6591項專利，而在2016—2020年間衰減至1816項專利；美國的峰值在2001—2005年出現（圖2）。

圖2 專利申請趨勢對比Fig.2 Comparison of Patent Application Trends

申請海外同族專利需要付出額外的費用，專利權人往往會考慮同族專利帶來的經濟收益，通常只有效益大于申請成本時才會進行申請，基于此，同族專利可以側面反映出專利的技術價值，因此本文將有海外同族的專利視為高價值專利［28-30］。對集成電路材料的高價值專利申請趨勢進行分析，從申請數量可以得出中國在各項材料上均與美國和日本差距明顯。日本的高價值專利數量最多，對應的專利總量也大。從比重上看，美國的高價值專利占比最大，中國最少。且中國的高價值專利比重遠遠低于其他兩個國家。以掩模版為例，中國的高價值專利數量約占其專利總量的20%，而美國可以達到60%。中美日三國的高價值專利數量在時間維度上存在不同的特點，美國和日本表現出先增長后衰減趨勢，日本起步早，但是在1996—2010年間才是高質量產出的時期。中國呈現高價值專利申請的增長趨勢。

在硅晶圓、光刻膠、濕電子化學品方面，中國專利申請勢頭迅猛，但質量有待提升。從專利總量上，中國雖然起步晚，但發展勢頭迅猛。高價值專利上，三個國家差異相對較小，中國的高價值專利的數量較少，與總量表現并不一致，呈現量多但質不優的特點，而日本在高價值專利上有明顯優勢。硅晶圓方面的專利雖然申請總量多，但是高價值數量并不突出，反而光刻膠在高價值專利上表現較好。

在掩模版方面，中國發展勢頭迅猛，專利申請總量和高價值專利數量均趕超美國和日本。日本在掩模版方面的表現與其他六項材料的整體趨勢不一致，發展的高峰期在2001—2010年，之后迅速衰落。高價值專利上，三個國家差異相對較小，與專利總量趨勢一致，且中國的高價值專利高于美國和日本，是產業鏈上唯一一個高價值專利具有優勢的材料。中國在掩膜版方面的高價值專利比重相對較高（24.5%），但仍與美國（59.1%）和日本（34.7%）有差距。

在電子氣體、濺射靶材方面，中國起步晚，專利申請總量與美日兩國存在巨大差距，日本在這些材料上具有絕對優勢。中國濺射靶材專利申請數量較少，僅有783件，與數量最多的硅晶圓（28053件）相比兩者相差三十余倍。但是，中國近十年的發展較快，專利總量上有超越美日的趨勢。

在CMP拋光材料方面，中國高價值專利比重相對較高（16.4%），但仍與美（56.0%）日（28.8%）有差距。該類材料的專利申請總數較少，僅有2048件，但在高價值專利上表現突出。

通過對各項材料的專利申請趨勢進行分析，發現中國在掩模版、硅晶圓上相對美日差距較小，濺射靶材、電子氣體、CMP拋光材料方面仍存在較大的不足，還需要做進一步專利布局，同時提升專利質量。

3.1.2 論文發表趨勢

在論文總量上，相較于專利方面的差異而言，中美日相差并不大。這三個國家在時間維度上存在不同的特點，中國呈現增長趨勢，美國和日本呈現先增長后衰減趨勢，發展較為均衡（圖3）。

根據長尾分布效應，本文設置被引頻次大于25（即前20%）的論文作為高被引論文。對集成電路材料相關高被引論文發表趨勢進行分析可以發現，中國的高被引論文數量與總發文量不成正比，總發文量多于美日，但高被引論文數量尚未呈現明顯優勢；美國在論文與專利方面表現相同，更注重質量；而日本的論文數量過低，與專利表現情況不一致，主要因為日本的集成電路相關企業多，落地應用成熟，更偏向于專利申請。這三個國家的高質量論文數量在時間維度上均呈現先增長后衰減趨勢，其中主要原因除論文本身可能創新性不夠外，也可能是原來被引用最多的論文已經廣為人知，比那些被引較少的論文更容易被看到和擴散?？傮w上，2000—2010年作為集成電路材料領域發展的高峰期，高被引數量較多，論文質量較高。同時，隨著所發表的論文數量增加，學者越來越傾向引用已經被充分引用的論文，造成這一時間段內的高被引論文數量相對較多。

在硅晶圓、光刻膠方面，中國論文總量增長迅速，近年來逐步趕超美日，但是高被引論文比例仍處于較低水平；在掩模版方面，三個國家論文總量和高被引論文數量上均基本持平，差異并不明顯；在電子氣體、濕電子化學品方面，中國在論文總量和高被引論文數量上均發展迅猛，實現了較大程度的超越；在濺射靶材方面，中國和日本的高被引論文數量極少，無論是論文總量還是高被引論文數量在三個國家的表現均差于其他材料；在CMP拋光材料方面，三個國家的論文總量都較少，中國的論文總量和高被引論文數量均遠遠高于美國和日本，而高被引論文比重相對較高，但仍與美日兩國有差異。

總體而言，中國在論文總量上均存在優勢，且在電子氣體、濕電子化學品、CMP拋光材料等材料上的高被引論文比重相對較高，呈現出趕超趨勢，在其他材料上仍與美日有差異。跟美日相比，中國在論文方面的表現情況比專利好，在硅晶圓、光刻膠等領域更注重專利申請，在電子氣體、濕電子化學品等領域更注重論文發表，而掩模版、濺射靶材、CMP拋光材料兩方面數量都較少。

3.2 中美日研發機構數量差異分析

3.2.1 專利申請機構

中美日三個國家專利申請機構數量，與專利數量趨勢基本一致。中國在機構總量上略有優勢，但申請高價值專利的機構不足。對應到專利數量上，中國機構的平均專利申請量低，機構數量多但是實力弱（圖4）。

圖4 專利申請機構數量對比Fig.4 Comparison of the Number of Patent Application Organizations

在硅晶圓、掩模版、濕電子化學品方面，中國的機構數量較多，緊隨日本之后，強于美國，但是高價值專利申請機構數量相對較少，體現出機構水平差異較大，其中在掩模版上，中國的專利數量沒有明顯優勢，但是申請機構較多，且高價值專利申請機構占比高；在電子氣體方面，中國的機構數量和高價值機構數量極少，且沒有明顯的龍頭機構，日本申請專利的機構達到中國的數十倍，擁有電氣株式會社、富士通株式會社、松下電器產業株式會社等多家龍頭企業；在光刻膠、濺射靶材、CMP拋光材料方面，中國的機構數量和高價值機構數量均略低于美國和日本。

3.2.2 論文發表機構

從論文發表機構上看，各個國家在產業鏈各個環節都相差不大，美國略多；高被引論文上，美國優勢更加明顯，這與論文發表總量上呈現的趨勢一致（圖5）。

圖5 論文發表機構數量對比Fig.5 Comparison of the Number of Paper Publication Organizations

專利在不同材料上機構情況并不一致，而論文發表的機構情況相差并不大。中國論文總量較多，但是機構數量上反而低于美國和日本，呈現出論文數量多、機構少的趨勢，而日本恰恰相反。

3.3 中美日企業數量差異分析

企業的發展是產業落地情況的具體表現，可以通過產業鏈上申請專利的企業數量分析技術的落地情況（圖6）。本文中的企業來自于專利數據，由專利申請機構標引得到。

圖6 專利申請企業數量對比Fig.6 Comparison of the Number of Patent Application Enterprises

專利申請的機構中，企業占比較多，高價值專利更多由企業申請，企業數量與專利申請機構情況表現基本一致。日本的企業占申請機構的比例極高，企業往往更重視專利申請，也印證了日本專利量多而質優，論文卻相對較少的原因。中國的占比略低于日本，美國的更少（表2）。

表2 專利申請企業占專利申請機構比例Tab.2 Proportion of Patent Applicant Enterprises to Patent Applicant Organizations

以光刻膠為例，美國企業占專利申請機構比例只有60%，這表明與中國和日本相比，美國的科研機構相對擅長于申請專利。而日本企業更擅長于申請專利，印證了日本在光刻膠領域產業上比較發達。截至2020年，全球半導體光刻膠領域主要被日本合成橡膠株式會社（JSR）、日本東京應化工業株式會社（東京應化TOK）、日本信越化學工業株式會社（信越化學）、富士膠片集團等頭部廠商壟斷［31］。

3.4 中美日技術差異分析

3.4.1 IPC差異

選取每個材料Top20的IPC分類號對三個國家數據進行分析可以得知，中美日各國在不同材料上的關注點并不一致（表3）。

表3 中美日優勢IPC 1）Tab.3 Advantageous IPC in China，USA and Japan 1）

以硅晶圓為例，中國的專利保護主要集中在生產過程中的設備，重點關注H01L31／18（專門適用于制造或處理器件或其部件的方法或設備）和H01L21／67（專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置）。美國的專利保護主要集中在半導體電池，重點關注H01L21／44（在半導體材料上制造電極）和H01L21／48（在半導體器件組裝之前制造或處理部件，例如容器）。日本的專利保護主要集中制造過程中的制備方法和技術，重點關注H01L21／205（應用氣態化合物的還原或分解產生固態凝結物的，即化學沉積）和H01L21／301（半導體再細分成分離部分，例如分隔）。

除此之外，美國和日本還有一些區別于中國的共同關注點，如電子氣體和濕電子化學品在集成電路生產過程中的應用，代表性IPC為H01L21／302（更多集中于改變半導體材料的表面物理特性或形狀的，例如腐蝕、拋光、切割，以及機械處理，例如研磨、拋光、切割），而中國相關的專利較少。

3.4.2 關鍵技術差異

關鍵技術是指在一個系統或一項技術領域中起到重要作用且不可或缺的環節或技術，可以是當下的技術熱點、難點或未來的技術突破點，也可以是對某個領域起到至關重要作用的知識［32］。關鍵詞作為論文的核心要素，是對論文所涉及領域和所用技術的要點提煉，對于揭示論文所研究的技術路線、工藝等具有重要的指導作用。

本文利用關鍵詞作為識別關鍵技術的依據，統計中美日在各個集成電路材料領域論文關鍵詞的出現次數，選取每個材料Top50的關鍵詞，針對其中各國的主要關鍵詞作為核心關鍵詞（表4）。然后對照敘詞表進行篩選，再對相關關鍵詞在Web of Science 核心合集中進行檢索，得到相關領域的研究者、研究機構、研究進展等信息，進一步確定各國的優勢技術。

表4 中美日論文主要關鍵詞Tab.4 Main Keywords for Papers in China，USA and Japan

研究發現，中國的主要優勢領域有異質晶圓鍵合技術、薄膜轉移技術等，該領域的主要研究者有中國科學院上海微系統與信息技術研究所的Lin等；日本的主要優勢領域有化學放大型抗蝕劑、極紫外光刻、硅烷、光催化光刻等，主要研究者有大阪大學的Kozawa、Takahiro、Tagawa、Seiichi，兵庫縣立大學的Watanabe T，日本產業技術研究所的Matsuda A，東京大學的Tatsuma T、Kubo W；美國的主要優勢領域有濕法刻蝕、化學物質平整，主要研究者有美國佛羅里達州立大學Pearton S J、Araca 公司的Philipossian Ara。

通過對論文關鍵詞的分析可以發現，目前日本在全球集成電路材料領域仍然處于領先地位，有大量處于優勢的前沿領域和知名學者，從學術界到業界的成果轉化也非常成熟。中國目前從學術論文的總量上來看已經領先美日，但在極紫外光刻、化學放大型抗蝕劑、濕法刻蝕等技術上還未形成優勢。

4 結論與展望

4.1 研究結論

本文構建了集成電路材料的產業鏈，并立足于產業鏈，圍繞申請與發表趨勢、機構、企業和技術四個維度，利用豐富的數據源——專利、論文、高價值專利、高被引論文分析了中美日在集成電路材料領域的技術布局差異。通過對以上四方面進行分析，我們得到相關結論如下。

1）專利數據顯示，總體上中國與美日在集成電路材料領域的差距正在縮小，但在某些特定材料上仍有較大差距。中國在掩模版、硅晶圓上相對美日差距較小，濺射靶材、電子氣體、CMP拋光材料上仍存在較大的不足。論文數據顯示，中國在總量上均存在優勢，在電子氣體、濕電子化學品、CMP拋光材料等材料上高被引比重相對較高，呈現出趕超趨勢，但在其他材料上仍與其他國家有差距?？偟膩碚f，中國在論文方面的表現情況比專利好，在硅晶圓、光刻膠方面更注重專利申請，而在電子氣體、濕電子化學品方面更注重論文的發表，剩下的幾項材料兩方面成果都較少。

2）從專利申請機構上看，中國在機構總量上略有優勢，但申請高價值專利的機構不足，呈現出論文數量多，機構少的態勢，說明某幾家機構發表論文多。而日本恰恰相反，專利申請的機構中，企業占比較多，且高價值專利主要集中在企業。日本的企業占機構的比例極高，美國的占比少于中日。

3）在專利IPC方面，日本更關注制備方法和技術，中國更加關注生產過程中的設備，美國則關注半導體電池。美國和日本還有很多區別于中國的共同關注點，如關注電子氣體和濕電子化學品在集成電路生產過程中的應用。

4）在關鍵技術方面，通過對論文關鍵詞的分析可以發現，日本在全球集成電路材料領域仍然處于領先地位，有大量處于優勢的前沿領域和知名學者，從學術界到業界的成果轉化也非常成熟。中國目前從學術論文的總量上來看已經領先美日，但在某些關鍵技術上還未形成優勢。

4.2 研究展望

本文立足于產業鏈提出的技術布局差異分析框架具有一定的科學性和實用性，可以作為產業情報分析的輔助工具，可揭示我國集成電路材料產業與發達國家的技術差異，為國家戰略科技力量提供戰略決策依據和技術創新指引。但還存在一些問題，未來可從以下三個方面深入探討。

1）專利和論文的價值評判維度過于單一。本文利用是否有海外同族和論文的引用數量作為判斷質量高低的依據具有片面性。事實上，目前針對高價值專利已經產生了包括技術、市場、法律、經濟甚至戰略層面等多維度、深層次的評價標準。同時，僅考慮論文的被引頻次評估價值，也存在隨著時間推移，論文數量增加時，已高度被引用的被引用量會更加鞏固，形成高被引論文僵化的問題。因此，可以進一步將多維評價指標引入，對專利和論文價值差距的評價將更為客觀、真實。

2）國家間技術差距揭示框架有待進一步探索。在目前研究中，僅僅進行了中美日三國的差異分析，尚未達到揭示確切差距的目的?？梢赃M一步研究評價指標來量化揭示各國之間的技術差距，構建可解釋、可循證的產業技術差距揭示情報模型。

3）國家間技術關注點的差異原因有待細化解讀。例如，通過IPC分類號，可以發現各國的技術關注點并不一致。美國和日本還有很多區別于中國的共同關注點，原因可能是美日兩國合作交流密切，存在共同申請專利；也可能是兩國在沒有交流合作的情況下，對集成電路生產過程中不可忽視的關鍵技術恰好達成一致的共同關注點。其中原因應當引起重視，有待進一步細化解讀。

致謝感謝中國科學院寧波材料技術與工程研究所葉繼春研究員和付耀耀助理研究員對于集成電路材料產業鏈梳理方面提供的專業建議。

作者貢獻說明

孫文君：論文撰寫，數據采集與加工，專利數據分析；

呂璐成：論文框架設計，論文修改；

張 凱：數據采集與加工，基于論文數據的技術分析；

劉 婷：數據采集與加工，檢索策略制定；

韓 濤：分析思路整理，分析框架優化；

趙亞娟：論文選題，提出修改意見。

附錄1論文數據情況

數據來源：WOS數據庫

檢索時間：2022年4月19日

檢索式：

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附錄2專利數據情況

數據來源：Incopat數據庫

檢索時間：2022年4月19日

檢索式：

（（ TIAB= （ 晶圓 OR 硅片 OR 硅襯底 OR 硅晶圓 OR 硅晶片 OR 拋光片 OR 外延片 OR 單晶硅 OR 光刻膠 OR 光致抗蝕劑 OR 掩膜板 OR 光掩模 OR 光罩 OR 光刻掩膜版 OR 電子氣體 OR 大宗氣體 OR 惰性氣體 OR 特種氣體 OR 特殊氣體OR 刻蝕氣體 OR CVD氣體 OR 稀釋氣體 OR 摻雜氣體 OR 外延氣體 OR 離子注入氣體 OR 沉積氣體 OR 蝕刻氣體 OR 顯影液 OR 去膠液 OR 剝離液 OR 刻蝕液 OR 蝕刻液 OR 腐蝕液 OR 清洗液 OR 漂洗液 OR 濕電子化學品 OR 濕化學品 OR工藝化學品 OR 濺射靶 OR 靶材 OR 濺射鍍膜裝置 OR 拋光液 OR 拋光墊 OR 拋光粉 OR 拋光組合物 OR 拋光漿料 OR 拋光材料 OR 化學機械拋光 ） OR （ TIAB= （ 半導體 OR 集成電路 OR 芯片 OR 晶圓 ） AND TIAB= （ 封裝 OR 測試 ）））AND IPC= （ H01L21* OR G03F7* OR H01L23* OR H01L51* OR H01L29* OR H01L27* OR C23C16*OR C09K3* OR H01L31* OR C09K11* ）） OR（（TIAB= （ RESIST OR RESISTS） AND TIAB= （RESIN* OR PHOTOINITIATOR* OR “PHOTOACID GENERATOR*” OR PHOTOSENSI* OR EUV OR ARF OR KRF OR “G LINE” OR “I LINE” OR“CHEMICAL* AMPLIF*” OR 436NM OR 365NM OR 248NM OR 193NM OR 13.5NM OR “DEEP ULTRAVIOLET” OR “EXTREME ULTRAVIOLET”）） OR （ TIAB= （ SILICON AND WAFER* ）） OR（ TIAB= （ GAS* ） AND TIAB= （ “ ELECTRONIC SPECIAL*” OR ETCH* OR “CHEMICAL VAPOR DEPOSIT*” OR EPITAXIAL OR “ION IMPLANT*”OR CVD ）） OR （ TIAB= （ SPUTTER* AND TARGET* ）） OR （ TIAB= （ POLISH* ） AND TIAB= （ SOLUTION OR LIQUID OR FLUID OR PAD OR POWDER OR SLURRY OR COMPOSITION OR MATERIAL OR “CHEMICAL MECHANICAL”OR CMP ）） OR （ TIAB= （ PHOTORESIST* OR“PHOTO-RESIST*” OR “PHOTOSENSITIVE RESIST* “ OR “PHOTO-SENSITIVE RESIST*” OR“SILICON WAFER*” OR “SILICON SUBSTRATE”OR “POLISHED WAFER*” OR “EPITAXIAL WAFER*” OR PHOTOMASK* OR “LITHOGRAPHY MASK*” OR “ELECTRONIC GAS*” OR “DOPING GAS*” OR “DOPANT GAS*” OR “DILUTION GAS*”OR “DILUENT GAS*” OR “HIGH PURITY REAGENT*” OR “HIGH PURITY SOLVENT*”OR “WET ELECTRONIC CHEMICAL*” OR “WET CHEMICAL*” OR “PROCESS CHEMICAL*” OR ETCHANT OR “DEVELOP* SOLUTION” OR“STRIP* SOLUTION” OR “PEEL* SOLUTION”OR “ETCH* SOLUTION “ OR “CORROSION SOLUTION “ OR “CLEAN* SOLUTION” OR “RINS*SOLUTION”OR “DEVELOP* LIQUID” OR “STRIP*LIQUID” OR “PEEL* LIQUID” OR “ETCH*LIQUID” OR “CORROSION LIQUID” OR “CLEAN*LIQUID” OR “RINS* LIQUID” ）） OR （（ TIAB= （“INTEGRAT* CIRCUIT*” OR SEMICONDUCTOR*OR CHIP* ） AND TIAB= （ PACKAG* OR TEST OR PROBE ） AND TIAB= （ MATERIAL* ））OR （ TIAB= （ “INTEGRAT* CIRCUIT*” OR SEMICONDUCTOR* OR CHIP* ） AND TIAB=（ LEADFRAME OR “LEAD FRAME” OR “LEAD WIRE” OR “PROBE CARD” OR “PACKAG*SUBSTRATE” ）））） AND IPC= （ H01L21* OR G03F7* OR H01L23* OR H01L51* OR H01L29* OR H01L27* OR C23C16* OR C09K3* OR H01L31* OR C09K11* ））