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葉面阻隔對水稻吸收和轉運鎘的影響

2024-03-28 08:11唐樂斌黃燕玲周子寒吳辰潤桂林理工大學環境科學與工程學院廣西桂林54004桂林理工大學巖溶地區水污染控制與用水安全保障協同創新中心廣西桂林54004
中國環境科學 2024年3期
關鍵詞:穗軸劍葉糙米

唐樂斌,黃燕玲,周子寒,吳辰潤,宋 波,2*(.桂林理工大學環境科學與工程學院,廣西 桂林 54004;2.桂林理工大學,巖溶地區水污染控制與用水安全保障協同創新中心,廣西 桂林 54004)

《全國土壤污染狀況調查公報》顯示,我國土壤環境狀況總體不佳,其中Cd 在所有重金屬中點位超標率最高,達7.0%[1].調查顯示,重金屬污染的農業土壤約占農田種植面積的16.7%,其中Cd 污染土壤占40%以上[2].廣西作為我國水稻主產區之一,自然地質背景高[3],表層土壤Cd 含量的平均值是全國表層土壤的4.5 倍[4].相比其他土地利用方式,稻田土壤的Cd 污染更易對人體健康造成危害[5].

水稻是我國種植面積最大和單產最高的糧食作物,也是對重金屬吸收最強的大宗谷類作物[6].相對于動物和水產品來源的食品,糧食作物中Cd 濃度雖然不是很高,但由于食用量大,使其成為我國人群Cd 攝入的主要來源,其中大米作為主要貢獻者,對南方人群貢獻占比65%[7].

葉片是水稻最重要的根外營養器官,能夠吸收外源物質,并將營養物質轉運到稻株其他器官[8].相對于其他農藝調控措施,葉面噴施阻隔劑具有不違農時、施用方便和經濟高效等特點而被廣泛應用于農田生產中,對提高作物抗逆性和增強作物耐重金屬性均有較好的效果[9-10].Si 是水稻不可或缺的元素,可促進葉綠素的合成、改善水稻葉片結構和生理活性,提高根系保護酶活力和自由空間中交換態Cd 的比重,降低細胞壁孔隙度,從而抑制水稻根系對Cd 的吸收和緩解Cd 對植物的毒害[11-12].噴施Si可以減少水稻根系Si 運輸通道的基因表達,阻止Cd 由地下部向地上部遷移[13].Se 是植物體內抗氧化酶的組成成分和活性中心[14-15],能夠改變抗氧化酶的活性,并提高作物的抗性[16],通過增強與重金屬Cd 的拮抗作用來緩解Cd 的毒性[17].特別是Se能與Cd 相結合形成難溶的CdSeO3,使其難以被作物所吸收[18].研究表明,噴施富硒葉面肥能夠顯著降低稻株根系、秸稈和稻米中Cd 含量及Cd 在水稻體內的轉移系數[19].

目前葉面阻隔技術多停留在室內或盆栽試驗[20-21],田間試驗條件繁瑣,受區域自然環境條件的制約較為嚴重,不同種類葉面阻隔劑在桂北地區的田間驗證性試驗鮮見報道.鑒于此,本文以廣西某地的Cd 污染土壤為供試土壤,以糧食主產區種植面積較廣的兩種水稻品種為供試材料,開展大田試驗,探索葉面噴施Si 和Se 對水稻各部位Cd 積累和轉運的調控機理,明確不同水稻品種對噴施兩種阻隔劑降Cd 效應的響應差異,以期為其應用提供理論依據和受污染耕地的安全利用提供參考.

1 材料與方法

1.1 供試材料

大田試驗區位于廣西臨桂區四塘鎮(25°9′N,110°7′E),屬亞熱帶季風氣候,年平均氣溫約19.1℃,年平均降雨量約1887mm,適宜水稻、油菜和馬蹄等農作物和經濟作物生產.成土母質為第四紀紅土,土壤類型為潴育型水稻土,試驗區附近無工礦企業污染源,水源為河流水,重金屬主要來源為成土母質.供試土壤主要理化性質見表1.參照《土壤環境質量農用地土壤污染風險管控標準(試行)》(GB 15618-2018)中Cd 篩選值(0.3mg/kg)[22],試驗區屬于安全利用類受污染稻田.

表1 供試土壤基本理化性質Table 1 Basic physical and chemical properties of the tested soil

參試水稻品種為五優1179 和絲香1 號.供試葉面阻隔劑為流體硅(SiO≥26%),材質為單硅酸Si(OH)4和有機螯合態硒,主要成分為亞硒酸鹽,含Se 含量≥15g/L,Na 含量≤10g/L,均由山東綠隴作物營養有限公司提供.

1.2 試驗設計

本試驗共設計8 個處理:YM1、YM2、YM3、YM4、YM5、YM6、YM7 和YM8,每個處理設4 個重復,共計32 個小區,各小區面積約50m2,采用隨機區組設計,具體試驗處理方案見表2.為防止各處理間相互影響,采用泥巴覆膜的形式制成田埂.各處理按照產品要求于無風無雨的上午8:00~10:00 完成噴施.施用前流體硅和螯合硒分別兌水稀釋100 倍和300 倍,噴液量以作物葉片正背面沾滿霧滴為宜.

表2 試驗處理及操作規程Table 2 Test treatments and operating procedures

水稻于2021 年7 月4 日播種,采用濕潤育秧,7月13 日施基肥,所有處理施用復合肥(N-P2O5-K2O:15-15-15)375kg/hm2,7 月17 日同規格拋秧,拋秧后10d 追施尿素100kg/hm2,10 月10 日采集稻谷及對應的土壤樣品.田間施肥、種植密度和病蟲害管理與當地耕作管理保持一致.

1.3 樣品采集與測定

水稻成熟期各小區內采用“S”布點法采樣,記錄株高和劍葉長度等數據后采集整株稻株及其根際土樣,并做好相關標記.帶回實驗室后,將稻谷剝離,先用自來水洗凈根系雜物,再用超純水將整個植株潤洗3~5 次,將植株分為根系、其它節、第一節、其他葉、劍葉、穗軸、穎殼和糙米共8 個部分[23],稻谷曬干后按《米質測定方法》(NY/T 83-2017)[24]出糙,分離出糙米和穎殼,其他樣品在105℃殺青20min,70℃烘干至恒質量,樣品經不銹鋼打磨機粉碎過60目篩后裝入聚乙烯瓶內備用.根系土自然風干后,用瑪瑙研缽研磨過0.841,0.149mm 尼龍篩,保存備用.采用人工實割測產,各小區隨機選取4m2樣方的水稻,自然風干后測產.

土壤全量Cd 采用美國環保署推薦的HNO3-H2O2消煮體系,定容后由ELANDRC-e 型電感耦合等離子體質譜儀(ICP-MS)測定;土壤DTPA-Cd 依據(HJ 804-2016),采用DTPA-CaCl2浸提法提取,用Optima 8000 型電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)測定;土壤pH 值依據(HJ 962-2018),采用土水比1:2.5 提取,用玻璃電極法測定;植物樣品中Cd 的測定參照《食品中多元素的測定》(GB 5009.268-2016)微波消解法,用Agilent 7500cx 型電感耦合等離子體質譜儀(ICP-MS)測定.

分析過程中加入標準物質和空白樣品進行質量控制,分析樣品重復數為 10%~15%.標準物質GBW 07404(GSS-4)、GBW 10045a(GSB-23a)和GBW 10020(GSB-11)中Cd 的回收率分別為100%~109%、99.6%~107%和85.8%~105%.測定偏差控制在10%以內.分析過程中所用化學試劑均為優級純,所用水均為超純水(Milli-Q 超純水系統).

1.4 數據統計與分析

轉移因子(TFa/b)=a 部位Cd 含量/b 部位Cd 含量,它表示相鄰部位間Cd 部位的比值.

采用Excel 2010 進行數據整理,試驗數據采用SPSS 23.0 進行統計分析.各處理間平均值的比較采用最小顯著差數法(LSD),圖表中的數據均采用平均值±標準差(M±SD)表示.采用Origin 2023b 作圖.

2 結果與分析

2.1 不同葉面阻隔劑對稻谷產量、株高和劍葉長度的影響

由圖1 可知,對應的不同處理下五優1179 稻谷產量均高于絲香1 號,但差異并不顯著(P>0.05).與對照(CK)相比,噴施硅質葉面阻隔劑能夠提升水稻的實測產量,五優1179 和絲香1 號的產量分別提高9.02%和2.03%.相較于對照處理,噴施螯合硒后五優1179 的稻米產量提升7.27%,而絲香1 號的稻米產量下降5.40%.此外不同處理下絲香1 號的劍葉長度均大于五優1179,其中不噴施阻隔劑(CK),絲香1 號的劍葉長度顯著高于五優1179,達21.2%(P<0.05).而兩種水稻品種不同處理下的株高差異均不顯著,株高范圍介于110~112cm.

圖1 不同處理對水稻產量、株高和劍葉長度的影響Fig.1 Effects of different treatments on rice yield, plant height and flag leaf length

2.2 不同葉面阻隔劑對水稻各部位積累鎘的影響

如圖2 所示,與噴施清水相比,施用葉面阻隔劑能夠減少品種五優1179 體內Cd 總量,噴施流體硅(YM3)和螯合硒(YM4)體內Cd 總量降幅分別為10.9%和 19.1%.而與噴施清水相比,施用流體硅(YM7)和螯合硒(YM8)均可顯著降低絲香1 號體內Cd 總量(P<0.05),降幅分別為41.2%和33.1%.此外,相同處理對2 種水稻體內Cd 總量的影響并不顯著(P>0.05).從圖2 可以看出,噴施流體硅后兩種水稻不同部位Cd 含量的變化規律基本呈現根>其他節>第一節>其他葉>劍葉>穎殼>穗軸>糙米,而施用螯合硒后兩種水稻不同部位Cd 含量變化主要表現在穗軸>穎殼,其他部位Cd 含量規律保持不變.這與其他學者的研究結論一致,這是因為重金屬Cd 在新陳代謝旺盛的器官蓄積量較高,而如籽粒等營養儲存器官中的分布量則較少[19].此外,與YM2 處理相比,施用流體硅(YM3)和螯合硒(YM4)均可顯著降低水稻五優1179 根系、第一節、穗軸和糙米中Cd 含量,根系降幅為29.6%和37.7%,第一節降幅為29.9%和45.4%,穗軸降幅為60.4%和28.6%,糙米降幅為62.8%和58.5%,其中YM3 處理糙米ω(Cd)為0.181mg/kg,符合限量標準(0.2mg/kg),YM4 處理糙米ω(Cd)為0.202mg/kg.與噴施等量的清水相比,施用流體硅和螯合硒對絲香1 號的根系、第一節、穗軸和糙米Cd 蓄積量均產生了抑制作用,且顯著降低其他節中Cd 含量,其降幅分別為41.2%和33.1%(P<0.05).其中YM7 和YM8 處理糙米Cd 含量分別為(0.186±0.032) mg/kg 和(0.169±0.019) mg/kg,較CK 處理分別下降58.9%和62.7%,均符合限量標準.另外,相比于噴施清水,外源噴施流體硅后絲香1 號品種的其他葉和劍葉中Cd 含量顯著高出YM6 處理,說明其可使植株體內的Cd 更多地被攔截在葉片中.

圖2 不同處理對水稻各部位Cd 含量的影響Fig.2 Effects of different treatments on Cd content in various parts of rice

2.3 不同葉面阻隔劑對水稻Cd 轉運因子的影響

從表3 可知,水稻穎殼-糙米的Cd 轉移能力較強(TF糙米/穎殼>1).與CK 處理相比,在水稻孕穗期和灌漿期噴施清水能降低TF劍葉/其他葉和TF穎殼/穗軸,提高TF穗軸/劍葉.外源噴施葉面阻隔劑后水稻各部位間Cd 轉運能力的差異主要表現在第一節-其他葉-劍葉-穗軸-穎殼-糙米.與同時期噴施清水(YM2)相比,五優1179 的葉面噴施Si 和Se 能夠促進Cd 從第一節向其他葉的轉移,同時抑制Cd 從劍葉向穗軸和穎殼向糙米的運輸.此外,與YM4 處理相比,外源噴施Si 后五優1179 品種TF穎殼/穗軸顯著上升(P<0.05),TF穗軸/劍葉明顯下降,其降Cd 效果的差異可能與其特殊的調控機理有關.與噴施清水相比,絲香1 號外源噴施Si 和Se 后TF其他葉/第一節、TF劍葉/其他葉和TF穎殼/穗軸均上升,TF穗軸/劍葉和TF糙米/穎殼顯著下降(P<0.05),降幅分別為53.7%、21.6%和78.4%、61.1%,且YM7 處理TF第一節/其他節顯著高于其他處理.這表明噴施葉面阻隔劑能夠更多地將莖和其他葉中的Cd 轉移至劍葉,促進劍葉對Cd 的固定,同時抑制劍葉中的Cd 向穗軸和穎殼的轉運,進而減少糙米中Cd 的累積.

表3 不同葉面阻隔劑對水稻Cd 轉運因子的影響Table 3 Translocation factor of Cd in different foliar spraying inhibitors

2.4 稻米Cd 含量與其他部位Cd 含量相關性分析

從圖3 可以看出,稻米Cd 含量與其他部位Cd 含量間存在著一定相關性.根系、其他節、第一節和其他葉中的Cd 含量均與糙米Cd 含量存在顯著相關性,其中根系Cd 含量、其他節Cd 含量和第一節Cd 含量與糙米Cd含量存在顯著正相關,相關系數R2分別為0.81(P<0.01)、0.63(P<0.01)和0.78(P<0.01),而糙米Cd含量與其他葉Cd含量呈顯著負相關,相關系數R2為?0.33(P<0.05).

圖3 糙米Cd 含量與其他部位Cd 含量相關性分析Fig.3 Correlation analysis between Cd content in brown rice and Cd content in other parts

3 討論

3.1 不同葉面阻隔劑對稻谷產量的影響

水稻是典型的喜硅作物,Si 可以促進水稻的生長發育、提高抗病蟲和抗倒伏能力以及對礦質元素的利用率,從而提升稻谷產量[25-26].外源噴施適當的流體硅能夠提升五優1179 和絲香1 號的稻谷產量,增幅分別為9.02%和2.03%.相比于噴施流體硅,噴施螯合硒對水稻增產效果存在顯著差異.在五優1179品種孕穗期和灌漿期噴施1L/667m2螯合硒可提升稻米產量7.27%,但絲香1 號的稻谷產量下降5.40%,這可能與該品種對螯合硒的噴施濃度較為敏感有關,同時這也說明水稻品種是硒質葉面阻隔劑影響稻米產量的重要因素.

3.2 不同葉面阻隔劑對糙米Cd 含量的影響

水稻收獲期稻穗中60%~90%的總碳來自抽穗后的光合作用,儲存在營養器官中的營養物質和Cd也會被重新活化后轉運到籽粒中[27].研究表明,劍葉是成熟期稻穗光合碳水化合物的主要來源[28].由根系吸收的Cd 一部分通過穗軸直接進入籽粒,另一部分轉運到葉片等器官儲存,在灌漿期通過穗軸進入籽粒[29].因此,在水稻孕穗期和灌漿期通過噴施葉面阻隔劑以提高葉片、穗軸及穎殼對Cd 的“阻攔”能力,抑制莖葉中Cd向籽粒的運輸和分配,就有可能在不影響水稻生長發育的前提下降低糙米中Cd 含量.此外,相關性分析表明,糙米Cd 含量與根系和莖中Cd 含量均呈顯著正相關(P<0.01),與其他葉Cd 含量呈顯著負相關(P<0.05),說明葉面阻隔劑能夠通過抑制根系對土壤Cd 的吸收,同時將經根系吸收的Cd 更多地轉移至葉片累積和固定,提升Cd 在葉片中的分配比例,進而減少重金屬Cd在籽粒中的蓄積.施硅可以提高葉綠素含量,促進葉片的光合速率[30],刺激抗氧化酶基因表達,降低Cd 產生的氧化脅迫[31].Si 在水稻生長過程中以Si(OH)4的形式被根系吸收到根部[28].本研究結果表明,噴施以單硅酸為主要成分的流體硅能夠顯著降低根、莖和穗軸中Cd 含量,TF穗軸/劍葉和TF糙米/穎殼明顯下降,糙米Cd 含量均降至限量標準(0.2mg/kg)以下,說明由葉片進入水稻體內的流體硅可向根部轉移[32],不僅抑制土壤Cd 由根系進入稻株[33],增強Cd 在根和莖的固定和滯留[34],抑制其的向上遷移,還能有效減少Cd 從劍葉向穗軸和穎殼等高處的運輸和分配.此外,較之品種五優1179,噴施流體硅后絲香1 號葉片中Cd 含量和TF其他葉/第一節顯著上升,這可能與不同的品種對進入其體內的Si 濃度耐性不同有關.研究表明,高Si 濃度能夠促進Cd 與Si 在木質部和韌皮部等代謝活性較低的組織中共沉淀[35].

Se 作為多種酶和蛋白質的重要組成成分,其能調控水稻細胞中如OsIRT1、OsIRT2、OsLCT1 和OsNramp5 等Cd 轉運相關基因的表達,外源Se 供應水平能夠促進水稻體內谷胱甘肽過氧化物酶的產生,從而減少水稻對Cd 的吸收[36-38].與對照處理相比,葉面噴Se 能夠使品種五優1179 和絲香1 號體內Cd 含量分別減少35.1%和39.8%,同時根、莖和糙米中Cd 含量顯著降低,TF穗軸/劍葉明顯下降,這說明螯合硒與流體硅對水稻有類似的降Cd 機理.隨著外源Na2SeO3的噴施,大量Cd 被區室化于液泡中,阻礙了其在質外體中的運輸,最終減少Cd 由根和莖向籽粒的轉運[39-40].此外,相較于噴施流體硅,噴施螯合硒后水稻穗軸中Cd 含量和TF穗軸/劍葉得到提高,而TF穎殼/穗軸明顯降低,說明外源供應Se能夠促進穗軸中Cd 的積累,從而減少Cd 由穗軸向穎殼直至糙米的轉移.

3.3 經濟效益分析

本試驗所涉及的水稻種子、化肥、人工和產品運輸成本等大致相同,耕作管理水平一致,在噴施葉面阻隔劑將糙米Cd 含量降至限量值以下的前提下,流體硅和螯合硒的采購成本分別為975 元/hm2和1275 元/hm2.故葉面阻隔是一種具有良好經濟利用價值的阻控措施.此外,近年來得益于迅速發展的無人機技術,針對我國面積較大的輕中度Cd 污染農田土壤,葉面阻隔技術使其安全利用成本進一步降低.

4 結論

4.1 噴施流體硅能夠提高五優1179 和絲香1 號的產量,增幅分別為9.02%和2.03%.噴施螯合硒可使五優1179 稻谷產量提升7.27%,絲香1 號的產量降低5.40%.

4.2 噴施流體硅后不同部位Cd 含量由大到小依次為根>其他節>第一節>其他葉>劍葉>穎殼>穗軸>糙米,施用螯合硒后順序變化主要為穗軸>穎殼.葉面噴施阻隔劑后水稻根、莖和糙米中Cd 含量顯著下降,TF穗軸/劍葉受到抑制,這可能是其調控籽粒Cd 含量的主要機制之一.

4.3 相關性表明:糙米Cd 含量與根系Cd 含量、其他節Cd 含量和第一節Cd 含量均呈顯著正相關(P<0.01),而與其他葉Cd 含量呈顯著負相關(P<0.05).

4.4 在桂北地區Cd 污染安全利用類稻田,建議噴施流體硅能夠在提升稻谷產量的同時顯著降低糙米Cd 含量.

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